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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

IGBT開關(guān)式自并激微機勵磁系統(tǒng)的原理及應(yīng)用

  • 　　1. 概述 　　HWKT—09型微機勵磁調(diào)節(jié)器是武漢洪山電工技術(shù)研究所研制的新型的由IGBT作為功率輸出器件的自并激微機勵磁調(diào)節(jié)器。它的最大特點是結(jié)構(gòu)簡單，主控回路只需一塊面積為25×20(cm2)的印制電路板，以Intel公司準(zhǔn)16位單片機(8098)為核心，加上外圍接口芯片組成的控制系統(tǒng)。該裝置于2000年12月在我站#1、#5機上成功投運，目前運行良好。 　　2. IGBT自并激勵磁系統(tǒng)的組成及主回路原理 　　2.1 勵磁系統(tǒng)組成及接線方式 　　自并激勵磁系統(tǒng)也就
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MIUI 7驚艷 ！小米新品發(fā)布會總回顧

  • 小米新品發(fā)布會推出了里程碑式的作品MIUI 7，下面就來看下MIUI 7相較于MIUI 6有什么進步。
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關(guān)于明天的小米發(fā)布會，劇透都在這里了

  • 這次發(fā)布會很神秘，但是小編找到蛛絲馬跡，大家先睹為快。
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銷量疲軟 MIUI 7能成小米的救命稻草嗎？

  • 　　花無百日紅，人無千日好。再絢爛的曾經(jīng)，或許一朝不慎，就會成為過去。在科技圈，諾基亞、黑莓等就是最好的例子。而對于看似蓬勃發(fā)展的小米來說，這么早早地看衰似乎并不合乎時宜。畢竟出貨量在國內(nèi)智能手機上還是處于一線陣營，各種智能硬件產(chǎn)品也層出不窮，儼然是創(chuàng)建龐大商業(yè)帝國的趨勢。 　　但實事求是地說，目前小米最核心的智能手機業(yè)務(wù)已經(jīng)出現(xiàn)下滑的苗頭，昔日的高速增長已經(jīng)完全成為過去式。于是，當(dāng)初引領(lǐng)小米進入智能手機行業(yè)并一鳴驚人的“先知”——MIUI系統(tǒng)跳出來，
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iPhone 7或?qū)⒒貧w金屬圓角設(shè)計？

  • 　　未曾正式發(fā)售的產(chǎn)品總是會有各種曝光，大家總是對還沒出現(xiàn)的充滿好奇，總想提前探出點什么，本次關(guān)注iPhone 7或?qū)⒒貧w金屬圓角設(shè)計?魅族9月再開發(fā)布會發(fā)布MX5 Pro? U盤版Windows 10曝光了;谷歌亞馬遜將幫助NASA設(shè)計無人機交通管制系統(tǒng);英國3D打印無人機成功試飛：拼裝無需任何工具。一起來看一下具體詳情吧。 　　1. 蘋果新專利曝光：iPhone 7要回歸經(jīng)典? 　　   　　我們知道蘋果即將推出的iPhone6s外觀不會有什么新意了，跟iPhone6的幾乎不會有
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意法半導(dǎo)體（ST）的650V IGBT可大幅提升20kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能效

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出新款M系列650V IGBT，為電源設(shè)計人員提供一個更快捷經(jīng)濟的能效解決方案，適用于暖通空調(diào)系統(tǒng)(HVAC)電機驅(qū)動、不間斷電源、太陽能轉(zhuǎn)換器以及所有的硬開關(guān)(hard-switching)電路拓?fù)?0kHz功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。 　　采用意法半導(dǎo)體的第三代溝柵式場截止型(trench-gate field-stop)低損耗制造工藝，M系列IGBT有一個全新溝柵(trench gate)和特殊設(shè)計的P-N-P垂直結(jié)構(gòu)，可以在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗之
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中國手機單款產(chǎn)品打天下時代已經(jīng)過去

  • 現(xiàn)在一款好手機的火爆不僅要有好口碑，還要有不錯的銷售渠道和宣傳攻勢，更主要廠商還要有不錯的品牌溢價。
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意法半導(dǎo)體（ST）新款1200V IGBT是業(yè)內(nèi)性能最好的低頻晶體管

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出S系列 1200V IGBT絕緣柵雙極晶體管。當(dāng)開關(guān)頻率達到8kHz時，新系列雙極器件的導(dǎo)通和關(guān)斷綜合損耗創(chuàng)市場新低，大幅度提升不間斷電源、太陽能發(fā)電、電焊機、工業(yè)電機等類似設(shè)備的電源轉(zhuǎn)換效率。 　　新S系列擁有當(dāng)前1200V IGBT市場上最低的飽和電壓(VCE(sat))，可確保更低的壓降與最小的功率耗散，從而簡化熱管理系統(tǒng)。此外，正VCE(sat)溫度系數(shù)結(jié)合緊密的參數(shù)分布，不僅簡化多支晶體管的并聯(lián)
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英飛凌推出全新可控逆導(dǎo)型IGBT芯片 可提高牽引和工業(yè)傳動等高性能設(shè)備的可靠性

  • 　　英飛凌科技股份公今日發(fā)布一款采用可控逆導(dǎo)型IGBT，在同一芯片上集成了IGBT和續(xù)流二極管的6.5 kV功率模塊。新發(fā)布的這款RCDC(二極管可控逆導(dǎo)型IGBT)IGBT芯片，非常適合現(xiàn)代高速列車和高性能電力機車，以及未來的HVDC輸電系統(tǒng)和傳動裝置。較之安裝尺寸相同的前幾代模塊，采用RCDC IGBT的模塊電流密度提高了33%，散熱性能也有所增強。因此，它可以延長產(chǎn)品工作壽命并提高可靠性，進而最大限度降低系統(tǒng)維護工作量。 　　通過推出RCDC IGBT芯片，英飛凌進一步壯大其高性能6.5kV
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優(yōu)化高電壓IGBT造就高效率太陽能逆變器

  • 　　隨著綠色電力運動勢頭不減，包括家電、照明和電動工具等應(yīng)用，以至其他工業(yè)用設(shè)備都在盡可能地利用太陽能的優(yōu)點。為了有效地滿足這些產(chǎn)品的需求，電源設(shè)計師正通過最少數(shù)量的器件、高度可靠性和耐用性，以高效率把太陽能源轉(zhuǎn)換成所需的交流或者直流電壓。 　　要為這些應(yīng)用以高效率生產(chǎn)所需的交流輸出電壓和電流，太陽能逆變器就需要控制、驅(qū)動器和輸出功率器件的正確組合。要達到這個目標(biāo)，在這里展示了一個針對500W功率輸出進行優(yōu)化，并且擁有120V及60Hz頻率的單相正弦波的直流到交流逆變器設(shè)計。在這個設(shè)計中，有一個DC/D
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英飛凌推出新款A(yù)dvantage系列 IGBT產(chǎn)品，為逆變焊機的持續(xù)發(fā)展注入動力

  • 　　近年來，中國的逆變焊機技術(shù)已日趨成熟，逆變焊機本身的技術(shù)和性能在不斷提高，且得到各行業(yè)用戶的認(rèn)可，并逐漸進入國際市場。作為功率半導(dǎo)體市場領(lǐng)軍者，英飛凌憑借豐富的經(jīng)驗和創(chuàng)新實力，重視中國本土客戶的需求，全新推出針對于逆變焊機應(yīng)用的34毫米IGBT功率模塊Advantage系列，該系列產(chǎn)品包括1200V 50A、75A和100A, 具有高性價比，其品質(zhì)和可靠性達到英飛凌一貫高標(biāo)準(zhǔn)。 　　電焊機在工業(yè)領(lǐng)域應(yīng)用非常廣泛，如焊接機器人、機械制造、造船、石油化工、電力建設(shè)、建筑業(yè)等，隨著對焊機的利用率的提高，這
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國產(chǎn)手機新一輪洗牌：高端市場進入肉搏戰(zhàn)

  • 　　過去的幾年，中國智能手機市場季度出貨量始終保持在20%以上的增長率。然而，最新的各方數(shù)據(jù)均表明，這個增速已經(jīng)放緩開始接近飽和。對于手機廠商而言，要想占領(lǐng)、站穩(wěn)市場，就要在硬件和軟件方面有所突破，并不斷構(gòu)建自己的生態(tài)圈。 　　于是，我們看到在即將過去的半年里，手機廠商使出渾身解數(shù)：無邊框、曲面?zhèn)绕?、絕無預(yù)裝軟件、內(nèi)容生態(tài)鏈……國產(chǎn)手機紛紛著力增加品牌附加價值，提升用戶體驗，市場進入白熱化廝殺階段。在渠道、定價、品牌等多個環(huán)節(jié)的不斷變化中，一場真正的洗牌正在逐漸拉開。 　　
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SiC Mosfet管特性及其專用驅(qū)動電源

  • 　　摘要：本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設(shè)計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應(yīng)用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設(shè)計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。 　　關(guān)鍵詞：SiC Mosfet管;隔離驅(qū)動電路;驅(qū)動電源模塊;QA01C 　　一、引言 　　以Si為襯底的Mosfet管因為其輸入阻抗高，驅(qū)動功率小，驅(qū)動電路簡單，具有靠多數(shù)載流子工作導(dǎo)電特性，沒有少數(shù)載流子導(dǎo)電工作所需要的存儲時間，因而開關(guān)速度快，工作頻率
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一種智能型全自動快速充電機的設(shè)計

  • 　　1 充電機的現(xiàn)狀 　　目前，礦用電機車蓄電池的充電，無論是恒流充電、恒壓充電或是先恒流再恒壓的分段式充電，都有一個共同的問題，就是這種小電流慢充方式，蓄電池初充需70小時以上，進行普通充電也需10小時以上，這種充電方式在充電過程的初期，充電電流遠小于蓄電池可接受的充電電流，因而拉長了充電時間，造成電能的浪費。而在充電過程的后期，充電電流又大于蓄電池可接受的電流，蓄電池內(nèi)部溫度升高，產(chǎn)生大量析氣，并形成內(nèi)部硫化結(jié)晶，大大縮短了蓄電池的循環(huán)使用壽命，甚至有可能永久性地?fù)p壞電池。這不僅造成了浪費，也增加了
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IGBT產(chǎn)業(yè)基地 有望掛上“國字號”牌子

  • 　　今年省“兩會”期間，駐株省政協(xié)委員張國浩、余群明、謝一明等聯(lián)名提交了《關(guān)于在株洲建設(shè)IGBT項目千億產(chǎn)業(yè)園的建議》。5月22日，省經(jīng)信委有關(guān)人員就該建議來株答復(fù)委員。 　　正申報國家新型工業(yè)化示范基地 　　駐株省政協(xié)委員提出“將IGBT產(chǎn)業(yè)園作為省重點工業(yè)園”，省經(jīng)信委電子產(chǎn)業(yè)處副處長彭濤答復(fù)時表示，由于相關(guān)政策規(guī)定，IGBT產(chǎn)業(yè)建設(shè)產(chǎn)業(yè)園，可以以新型工業(yè)化示范基地或園中園形式建立。省經(jīng)信委將在項目用地、資金、政策等方面優(yōu)先保障。 　　據(jù)悉，目前，
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igbt 7介紹

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