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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

意法半導體(ST)推出全新M系列IGBT，有效提升太陽能及工業(yè)電源的能效和可靠性

  • 　　意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出全新M系列1200V IGBT，以先進的溝柵式場截止技術(shù) (trench-gate field-stop) 為特色，有效提升太陽能逆變器 (solar inverters)、電焊機 (welding equipment)、不間斷電源 (uninterruptible power supplies) 與工業(yè)電機驅(qū)動器等多項目標應用的能效和可靠性。 　　高度優(yōu)化的導通性和關(guān)斷性以及低導通損耗 (low turn-on loss)，讓全新的改
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IR為混合動力汽車和電動車推出堅固耐用的600V 車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和AUIRGF66524D0

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日發(fā)布600V車用IGBT產(chǎn)品AUIRGP66524D0和 AUIRGF66524D0，針對混合動力汽車和電動車中的小型輔助電機驅(qū)動應用而優(yōu)化，包括空調(diào)壓縮機應用等。 　　新的24A AUIRGP66524D0 和AUIRGF66524D0采用IR的COOLiRIGB平臺，并與軟恢復二極管共同封裝，擁有低Vce(on)，可有效減少功耗。同時，該產(chǎn)品提供最高175℃結(jié)溫，以
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中國8英寸IGBT模塊地鐵車輛達國際領(lǐng)先水平

  • 　　2012年，株洲建設起國內(nèi)第一條8英寸IGBT專業(yè)芯片線。10月，自主IGBT模塊成功通過功率考核試驗，并于當月底裝載至昆明地鐵1號線城軌車。據(jù)稱，載有首批8英寸IGBT芯片的模塊的列車，在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。
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英飛凌推出額定電流高達 120A 的新型 TO-247PLUS 封裝

  • 　　英飛凌科技股份有限公司針對大功率應用擴大分立式 IGBT 產(chǎn)品組合，推出新型 TO-247PLUS 封裝，可滿足額定電流高達 120A 的 IGBT封裝，并在相同的體積和引腳內(nèi)裝有滿額二極管作為 JEDEC 標準TO-247-3。TO-247PLUS 可用于 UPS、焊接、太陽能、工業(yè)驅(qū)動等工業(yè)應用以及傳動系統(tǒng)逆變器等汽車應用，可更新高功率輸出的現(xiàn)有設計或者改進這些應用的熱環(huán)境，從而提高系統(tǒng)可靠性和延長系統(tǒng)使用壽命。TO-247PLUS 具備更高的電流承受能力，能夠在并聯(lián)時減少設備數(shù)量，實現(xiàn)更緊湊的產(chǎn)
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谷歌眼鏡之殤：最酷的產(chǎn)品徹底淪為實驗品

  • 　　看起來，谷歌應該逐步放下對眼鏡產(chǎn)品的美好幻想。9月至今，越來越多的媒體開始唱衰谷歌眼鏡，其中包括兩年前給予谷歌眼鏡超高評價的《時代》、《連線》、《麻省理工技術(shù)評論》等老牌雜志?！哆B線》在本月發(fā)布的一篇評論文章中直言谷歌眼鏡已經(jīng)瀕臨失敗，拯救它的唯一方法就是“干掉它”。 　　兩年多以前，谷歌眼鏡曾是谷歌傾力打造的一個全新產(chǎn)品。美國時間2012年6月27日，舊金山莫斯考尼會展中心內(nèi)，谷歌聯(lián)合創(chuàng)始人謝爾蓋·布林(Sergey Brin)滿臉興奮。當天是谷歌開發(fā)者大會召
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中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片裝車成功試運行

  • 　　中國南車株洲所25日對外公布，裝有中國首批自主研發(fā)8英寸IGBT芯片的模塊在昆明地鐵車輛段完成段內(nèi)調(diào)試，并穩(wěn)定運行一萬公里，各項參數(shù)指標均達國際先進水平。 　　這意味著，由中國南車株洲所下屬公司南車時代電氣自主研制生產(chǎn)的8英寸IGBT芯片已徹底打破國外高端IGBT技術(shù)壟斷，實現(xiàn)從研發(fā)、制造到應用的完全國產(chǎn)化。 　　IGBT是一種新型功率半導體器件，中文全名“絕緣柵雙極型晶體管”。作為電力電子裝置的“心臟”，IGBT在國家戰(zhàn)略領(lǐng)域中不可或缺。 　　由
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OPPO Find 7閃充暴力拆解內(nèi)部器件大解密

  • 　　 ? 　　看了很多關(guān)于Find7閃充技術(shù)的文章,大同小異的,懂得都明白了,不懂得的依然是一個謎底,到底這個閃充電器有多么神秘,今天帶大家揭開他那神秘的面紗,一起來看個究竟? 　　VOOC閃充”是OPPO獨立自主研發(fā)的快速充電技術(shù)，具備16項專利技術(shù)的VOOC閃充能將最快充電速度提升4倍以上，并有無懈可擊的智能全端式五級防護，是全世界最快最安全的手機充電技術(shù)。 　　此外OPPO定制了專門的電池、數(shù)據(jù)線、電路、接口，并首次在適配器中加入MCU智能芯片，在此基礎上，深度研發(fā)
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Littelfuse推出額定值高達1700V和450A的模塊，以擴充其IGBT功率控制半導體系列產(chǎn)品

  • 　　Littelfuse公司是全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，已擴充其專為電機控制和逆變器應用設計的IGBT模塊功率半導體產(chǎn)品。 IGBT功率模塊提供廣泛的包裝設計，現(xiàn)包括半橋、六只裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模塊，額定值高達1700V和450A。 這些模塊依托現(xiàn)代IGBT技術(shù)能夠可靠、靈活地提供高效快速的開關(guān)速度。 除了標準設計外，Littelfuse還可提供定制解決方案以滿足客戶的具體規(guī)范。 這些模塊將被用于工業(yè)電子產(chǎn)品的眾多功率應用中，包括工業(yè)驅(qū)動與運動控制硬件、太陽能逆變器、不間斷電源/開關(guān)
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DC-DC電源模塊的設計及優(yōu)化方案匯總，提供完整軟硬件設計指南

  • 　　DC-DC是一種新研制的小型化電源開關(guān)模塊，它是采用微電子技術(shù)，把小型表面安裝集成電路與微型電子元器件組裝成一體而構(gòu)成。dc-dc電源模塊的使用有利于簡化電源電路設計縮短研制周期，實現(xiàn)最佳指標等，可廣泛應用于各類數(shù)字儀表和智能儀器中。本文為大家介紹相關(guān)DC-DC電源設計方案及優(yōu)化方案。 　　隔離型全橋DC-DC電源的設計方案 　　本文介紹了一種基于全橋DC-DC的隔離電源設計。文中提及的半橋IGBT板為兩組隔離的正負電壓輸出，這樣做是為了能夠成為IGBT的驅(qū)動及保護。并且在實踐設計時，需要根據(jù)選擇
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蘋果藍寶石新專利曝光 iPhone 7有望采用

  • 　　雖然蘋果將在iPhone 6中使用藍寶石玻璃的傳言沒有成為現(xiàn)實，不過蘋果仍然繼續(xù)著這方面的探索。根據(jù)美國專利和商標局(USPTO)今天公布的文件，蘋果申請了名為“電子設備外殼的陶瓷保護玻璃”專利，這份專利介紹了如何將藍寶石玻璃安裝至iPhone的技術(shù)。 　　根據(jù)專利，蘋果除了藍寶石之外還在考慮氧化鋯材料，二者都是有著合適透明度的結(jié)晶體，但蘋果顯然更青睞藍寶石，之前的5.78億美元投資可不能白扔了。 　　蘋果之前關(guān)于藍寶石的專利多數(shù)都是涉及材料制造，這一次則詳細地描述了如何將
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IR為高功率工業(yè)應用推出新IGBT模塊系列

  • 　　全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商， 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出完善的IGBT模塊系列，適合電機驅(qū)動逆變器、開關(guān)模式電源、不間斷電源、太陽能逆變器及焊接應用等高功率工業(yè)應用。 　　全新模塊系列采用IR極為堅固可靠的IGBT技術(shù)(包括非擊穿平面柵極和場截止溝道柵極技術(shù))及成熟的二極管技術(shù)，提供一系列穩(wěn)健的高效模塊。這些產(chǎn)品采用了行業(yè)標準封裝，加上寬泛的配置及電流額定值范圍，有助于設計師靈活、輕易地部署高功率系統(tǒng)。這72款模塊提供600V或1200V
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傳iPhone 7將用裸眼3D屏 宸鴻正大力籌資

  • 臺灣《經(jīng)濟日報》昨日報道稱，供應鏈人士透露，蘋果可能計劃在下一代iPhone中引入裸眼3D屏幕技術(shù)。該網(wǎng)站表示，蘋果正在積極建造3D的軟硬件生態(tài)系統(tǒng)。該媒體還提到，這種3D觸控屏幕將不會使用自iPhone 5以來就一直采用的內(nèi)嵌觸控(in-cell)技術(shù)。據(jù)稱，蘋果將再度尋求跟觸控屏生產(chǎn)商TPK宸鴻合作，協(xié)助研發(fā)下一代iPhone?！　? ? 　　傳iPhone 7用裸眼3D屏(圖為i
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先進攜手北車構(gòu)建中國IGBT核心競爭力

  • 　　上海先進半導體制造股份公司(ASMC)與中國北車股份有限公司(CNR)10月22日在上海就雙方“建設戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作協(xié)議”簽約，上海先進總裁王慶宇、中國北車總工王勇智分別代表雙方在協(xié)議書上簽字，上海先進董事長陳建明、中國北車副總裁孫永才均表示，通過雙方戰(zhàn)略聯(lián)盟的合作，在充分利用各自競爭優(yōu)勢基礎上聯(lián)手打造出具有核心競爭力的國產(chǎn)化IGBT大規(guī)模商用產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈。 　　據(jù)悉，戰(zhàn)略產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟合作主要包括4個方面：一是通過成立聯(lián)盟形成從設計、制造到封裝、測試的完整IGBT產(chǎn)業(yè)鏈;二是簽訂合
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中國變頻器工業(yè)遠景光亮

  • 　　在大規(guī)模的分布式可再生能源發(fā)電中，變頻器在電力電子技術(shù)與信息通訊技術(shù)雙方面都扮演著重要的角色。據(jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，全球再生能源用變頻器市場在2011年為72億美元的規(guī)模。預測今后5年該規(guī)模將會倍增，到2017年將超越190億美元。變頻器可使電機系統(tǒng)節(jié)電率達30%左右，甚至40%～60%。未來幾年中低壓變頻器需求將保持20%以上的增速，高壓變頻器行業(yè)保持40%以上的增速。絕緣柵雙極晶體管(IGBT)是變頻器的核心部件，目前國內(nèi)IGBT市場仍主要由外資企業(yè)所把控，擁有技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)有望率先實現(xiàn)進口替代。
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IGBT等功率器件：芯片更薄，封裝散熱更好，集成度更高

  • 　　近日，三菱電機功率半導體制作所參加了上海2014年P(guān)CIM亞洲展，總工程師佐藤克己介紹了IGBT等功率器件的發(fā)展趨勢。 　　IGBT芯片發(fā)展進程 　　IGBT芯片始于19世紀80年代中期。30年以來，就FOM(優(yōu)點指數(shù))來說，今日的IGBT芯片比第一代性能提升了20倍左右，其中改良技術(shù)包括：精細化加工工藝、柵式IGBT的開發(fā)(如三菱電機的CSTBT)，以及薄晶圓的開發(fā)等等。如今，三菱電機的IGBT芯片已經(jīng)踏入第7代，正朝第8代邁進。 　　隨著產(chǎn)品的更新?lián)Q代，功耗越來越低，尺寸越來越小。從80
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