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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt 7

英飛凌再度稱雄功率電子市場

  • 　　英飛凌科技股份公司在功率電子半導(dǎo)體分立器件和模塊領(lǐng)域連續(xù)第六年穩(wěn)居全球第一的寶座。據(jù)IMS Research公司2009年發(fā)布的《功率半導(dǎo)體分立器件和模塊全球市場》報(bào)告稱，2008年，此類器件的全球市場增長了1.5%，增至139.6億美元(2007年為137.6億美元)，而英飛凌的增長率高達(dá)7.8%?，F(xiàn)在，英飛凌在該市場上占據(jù)了10.2%的份額，其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區(qū)以及美洲，英飛凌也繼續(xù)獨(dú)占鰲頭，分別占據(jù)了22.8%和11.2%的市場份額。 　　隨著汽車、消費(fèi)和工
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本土資本與高新產(chǎn)業(yè)完美結(jié)合 “鳳凰模式”借讀

  • 　　經(jīng)濟(jì)領(lǐng)域有兩大活躍因子：技術(shù)與資本。走進(jìn)鳳凰半導(dǎo)體科技有限公司，你可以感受到這兩大活躍因子結(jié)合后迸發(fā)出的強(qiáng)勁效應(yīng)。這家注冊于2008年7月的“530”企業(yè)，一期工廠已開始安裝設(shè)備。今年9月正式投產(chǎn)后,其生產(chǎn)的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補(bǔ)國內(nèi)空白，告別同類產(chǎn)品依賴進(jìn)口的局面。 　　剛滿“周歲”的鳳凰半導(dǎo)體就將進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段,其速度令人驚奇，但在總經(jīng)理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二：一是所率留美博士團(tuán)隊(duì)擁有國際一流技術(shù);二是擁有
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IGBT在客車DC 600 V系統(tǒng)逆變器中的應(yīng)用與保護(hù)

  • IGBT綜述
    1．1 IGBT的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
    IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)而發(fā)展的一種新型復(fù)合電子器
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基于EXB841的IGBT驅(qū)動和保護(hù)電路研究

  • 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件，它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關(guān)特性，又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
  • 關(guān)鍵字： 電路  研究  保護(hù)  驅(qū)動  EXB841  IGBT  基于  電源  

新IGBT技術(shù)提高應(yīng)用性能

  • 在日益增長的變頻器市場，許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關(guān)頻率而著稱的新IGBT技術(shù)施展的舞臺。在62毫米（當(dāng)前模塊的標(biāo)準(zhǔn)尺寸）模塊中使用新IGBT技術(shù)使用戶可以因不必改變其機(jī)械
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大功率弧焊逆變電源的IGBT保護(hù)技術(shù)

  • 摘要：本文通過分析IGBT的結(jié)構(gòu)及其安全工作區(qū)，解釋了在實(shí)際應(yīng)用中可能造成其損壞的原因，并利用硬件電路結(jié)合單片機(jī)的控制程序?qū)『改孀冸娫吹腎GBT采取相應(yīng)措施進(jìn)行保護(hù)，從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞：IGB
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IGBT驅(qū)動器輸出性能的計(jì)算

  • 摘要：絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是應(yīng)用廣泛的功率半導(dǎo)體器件，驅(qū)動器的合理設(shè)計(jì)對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮，介紹了一些計(jì)算用于開關(guān)IGBT的驅(qū)動器輸出性能的方法。 敘詞：IGBT，驅(qū)動
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
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功率半導(dǎo)體：節(jié)能應(yīng)用顯身手中國市場現(xiàn)商機(jī)

  • 　　6月4日，為期3天的“PCIM China 2009”展會在上海光大會展中心落下帷幕。在展會期間，國內(nèi)外知名功率半導(dǎo)體廠商向與會觀眾展示了眾多新產(chǎn)品和高能效解決方案;同時，參展企業(yè)也紛紛表示對中國功率半導(dǎo)體的市場前景充滿信心。 　　新產(chǎn)品亮相PCIM展 　　一年一度的PCIM展是功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的盛會，同時也是業(yè)內(nèi)企業(yè)展示新技術(shù)、新產(chǎn)品的舞臺。在今年的展會上，英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊，該模塊是變頻器的核心部件。在傳統(tǒng)的變頻器中，通常要在I
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混合動力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動核心

  • 　　目前，混合動力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外，混合動力汽車還需要在電池、電動、傳動及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。 　　節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視，在最近的國際汽車展上，多家汽車企業(yè)推出了電動和混合動力汽車，這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今，中國對于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個關(guān)鍵時期，今年2月，財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》，推廣節(jié)能與
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英飛凌推出Smart系列IGBT模塊

  • 　　在2009年紐倫堡PCIM展會上，英飛凌科技股份公司宣布推出全新的Smart系列IGBT(絕緣柵雙極晶體管)模塊。Smart 模塊封裝采用自動壓接裝配工藝，僅需一個螺釘通過單步安裝流程可將模塊安裝到印刷電路板和散熱器上。通過提供高可靠性壓接技術(shù)，英飛凌滿足了功率高達(dá)55 kW逆變器的設(shè)計(jì)要求。Smart模塊能夠優(yōu)化功率變換器的解決方案，應(yīng)用于通用變頻器、不間斷電源(UPS)、感應(yīng)加熱和焊接設(shè)備、太陽能逆變器及空調(diào)系統(tǒng)中。 　　安全、簡單的自動壓接裝配 　　壓接工藝結(jié)合自動裝配技術(shù)的革命性創(chuàng)新簡化了
  • 關(guān)鍵字： infineon  IGBT  壓接  

意法半導(dǎo)體發(fā)布Arira Design針對主動式RFID資產(chǎn)監(jiān)控和安全應(yīng)用開發(fā)的智能傳感器硬件開發(fā)工具套件

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字： MEMS  RFID  ISO18000-7  

使用柵極電阻控制IGBT的開關(guān)

  • 1 前言 用于控制、調(diào)節(jié)和開關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開關(guān)動作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過使用典型的+15V控制電壓（VG(
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飛兆半導(dǎo)體的柵極驅(qū)動器提高汽車的燃油效率

  • 　　飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為設(shè)計(jì)人員提供一系列能夠提升汽車應(yīng)用功耗、噪聲免疫能力和瞬態(tài)電壓性能的柵極驅(qū)動器FAN7080x系列，讓工程師開發(fā)出在所有操作條件下更準(zhǔn)確、精密的燃油噴射控制系統(tǒng)，從而提高燃油效率。這些柵極驅(qū)動器在高邊和橋驅(qū)動器應(yīng)用中驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT，如直接燃油噴射系統(tǒng)和電機(jī)控制。與市場上同類器件相比，它們的靜態(tài)功耗減少一半以上 (靜態(tài)電流100µA對比240µA)，容許設(shè)計(jì)人員優(yōu)化系統(tǒng)和擴(kuò)大工作范圍。這些產(chǎn)品
  • 關(guān)鍵字： Fairchild  柵極驅(qū)動器  MOSFET  IGBT  
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