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中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)機遇之三：IGBT產(chǎn)業(yè)

  • 　　IGBT 　　是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  IGBT  

IGBT崛起——國產(chǎn)功率器件的曙光

  • 　　IGBT是功率器件技術(shù)演變的最新產(chǎn)品，是未來功率器件的主流發(fā)展方向。IGBT器件(絕緣柵雙極型晶體管)是一種MOSFET與雙極晶體管復(fù)合器件。既有功率MOSFET易于驅(qū)動、控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點。又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點?；诩夹g(shù)和功能上的優(yōu)勢，IGBT產(chǎn)品可以實現(xiàn)對以往功率器件產(chǎn)品的逐步替代。IGBT產(chǎn)品集合了高頻、高壓、大電流三大技術(shù)優(yōu)勢。IGBT能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能減排，具有很好的環(huán)境保護效益。IGBT被公認(rèn)為是電力電子技術(shù)第三次革命最具代表性的產(chǎn)品，是未來應(yīng)用發(fā)展的必然
  • 關(guān)鍵字： 功率器件  IGBT  

意法半導(dǎo)體(ST)推出先進的1200V IGBT,可實現(xiàn)更長的使用壽命、節(jié)省更多能源

  • 　　意法半導(dǎo)體最新的1200V絕緣柵雙極晶體管(IGBT,Insulated-Gate Bipolar Transistors)借助第二代溝柵式場截止型高速技術(shù)提升太陽能逆變器、電焊機、不間斷電源和功率因數(shù)校正(PFC, Power-Factor Correction)轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用的能效和耐用性。 　　意法半導(dǎo)體的新H系列1200V IGBT將關(guān)斷損耗和導(dǎo)通損耗降低多達15%。飽和電壓(Vce(sat))減低至2.1V (在標(biāo)準(zhǔn)集極電流和100°C下的典型值)，這能確?？傮w損耗降至最低，在20k
  • 關(guān)鍵字： 意法半導(dǎo)體  IGBT  H系列  

詳解IGBT驅(qū)動系統(tǒng)方案

  • 　　IGBT作為一種大功率的復(fù)合器件，存在著過流時可能發(fā)生鎖定現(xiàn)象而造成損壞的問題。在過流時如采用一般的速度封鎖柵極電壓，過高的電流變化率會引起過電壓，為此需要采用軟關(guān)斷技術(shù)，因而掌握好IGBT的驅(qū)動和保護特性是十分必要的。 　　IGBT是電壓控制型器件，在它的柵極-發(fā)射極間施加十幾V的直流電壓，只有μA級的漏電流流過，基本上不消耗功率。但IGBT的柵極-發(fā)射極間存在著較大的寄生電容(幾千至上萬pF)，在驅(qū)動脈沖電壓的上升及下降沿需要提供數(shù)A的充放電電流，才能滿足開通和關(guān)斷的動態(tài)要求，這使得它的驅(qū)
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世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)

  • 　　6月20日上午，被業(yè)界認(rèn)為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵 技術(shù)在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。 　　國家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) 　　IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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我國成功實現(xiàn)8英寸IGBT芯片產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)

  • 我國南車株洲所8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線建成，真正實現(xiàn)國產(chǎn)化，打破了國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷......
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我首條8英寸IGBT芯片線建成

  • 　　我國首條8英寸絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)專業(yè)芯片線，6月20日在中國南車株洲電力機車研究所有限公司建成，打破了國外在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，對保障國民經(jīng)濟安全和推動節(jié)能減排具有重大戰(zhàn)略意義。 　　與微電子技術(shù)中芯片技術(shù)一樣，IGBT芯片技術(shù)是電力電子行業(yè)中的“心臟”和“大腦”，控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備的能源利用效率、自動化和智能化水平，主要應(yīng)用于船舶、高壓電網(wǎng)、軌道交通等大功率電力驅(qū)動設(shè)備中。 　　IGBT芯
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國家“02專項”獲重大突破 8寸IGBT征名

  • 　　(飛馳于大江南北的和諧號機樣同樣需要IGBT核心器件。) 　　(一個8英寸IGBT芯片的“誕生”，至少需要2個月以上、歷經(jīng)200多道工藝、由數(shù)6萬個“細(xì)胞”完成。) 　　(中國南車株洲所功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)區(qū)域。) 　　(“中國智造”的南車株洲所辦公樓。) 　　紅網(wǎng)長沙6月11日訊(記者喻向陽)6月下旬，一個長期被發(fā)達國家玩轉(zhuǎn)的“魔方”——8英寸IGBT芯片將在
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傳統(tǒng)IGBT可靠性測試急需變革

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出40億美元。而從2011~2018年走勢可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(如圖1)。同時，鐵路牽引、可再生能源發(fā)電等需要越來越高的可靠性。 可靠性成為功率電力電子器件的關(guān)鍵指標(biāo)。 　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要8A，新能源汽車需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機
  • 關(guān)鍵字： IGBT  Mentor  EV/HEV  201406  

東芝推出4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器

  • 　　東芝公司(TOKYO：6502)旗下半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司(Semiconductor & Storage Products Company)于2014年5月20日宣布其門驅(qū)動光電耦合器陣容增添新成員，用于驅(qū)動中等功率絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這款新的4A輸出智能門驅(qū)動光電耦合器“TLP5214”采用纖薄的SO16L封裝，并具有保護功能，可防止IGBT產(chǎn)生過流狀況。這一新產(chǎn)品將于5月底開始量產(chǎn)出貨。 　　&l
  • 關(guān)鍵字： 東芝  TLP5214  SO16L  IGBT  

最經(jīng)典的IGBT資料大全，技術(shù)詳解，設(shè)計技巧，應(yīng)用案例

新能源汽車成為大功率IGBT的主要驅(qū)動力

  • 　　據(jù)Yole Developpement市場調(diào)查公司2013年報告，2014年IGBT市場總值將達到43億美元，比2013年的39億美元多出4億美元。而從2011年~2018年可見，主要驅(qū)動力是電動汽車/混合動力(EV/HEV)汽車(下圖草綠色部分)?！　】煽啃猿蔀楣β孰娏﹄娮悠骷年P(guān)鍵指標(biāo)　　EV/HEV汽車用IGBT等大功率的電力電子器件不僅對性能指標(biāo)要求高，目前電流已達600安培左右，同時對可靠性的要求更為嚴(yán)苛，例如汽車應(yīng)用的期望壽命需要二三十年，需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，而且需要在不同的
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Mentor推出1500A功率循環(huán)測試設(shè)備

  • 　　聚焦可靠性　　IGBT等大功率的電力電子器件通常需要大電流，例如地鐵需要800A，新能源汽車需要600A，風(fēng)能需要1500A及以上。同時電力電子器件的可靠性非常關(guān)鍵，例如機車牽引的期望壽命超過三十年，功率器件通常需上萬次甚至百萬次的功率循環(huán)要求，對新型IGBT等電力電子器件的可靠性提出了巨大的挑戰(zhàn)。　　功率循環(huán)和熱量導(dǎo)致與熱相關(guān)的器件老化降級，容易導(dǎo)致焊線老化降級，金屬層錯位，焊接失效，硅芯片和基板的分層等問題。因此需要精密的實驗設(shè)備對電力電子器件的可靠性進行評估。　　傳統(tǒng)的功率循環(huán)測試和失效分析有諸
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安森美半導(dǎo)體看好中國汽車市場

  • 　　中國已成為全球最大的汽車生產(chǎn)國和消費市場，2013年中國整體汽車銷量增長14%至2,200萬輛，其中乘用車銷售約1,800萬輛(份額80%)，商用車約400萬輛(份額20%);2014年整體銷量可達2,300萬輛，乘用車銷量較2012年增長16%。汽車大趨勢正在推動半導(dǎo)體成分的升高：IHS公司預(yù)測，由于汽車安全與導(dǎo)航等系統(tǒng)的不斷采用，中國汽車半導(dǎo)體市場將在2014年增長11%，達到46億美元。而在未來三年會延續(xù)增長勢頭，到2017年，中國汽車芯片市場將達到62億美元。 　　面對巨大的需求，半導(dǎo)體廠商
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高鐵“中國芯”即將量產(chǎn)：速度超600km/h

  • 高鐵在技術(shù)上的突破確實令人欣慰，但這給老百姓帶來的實惠非常有限，其在經(jīng)濟民生方面的意義更像是國家層面的形象工程。
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