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空間受限型應(yīng)用中的PMBus熱插拔電路介紹

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具備低導(dǎo)通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET,適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
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詳細介紹如何運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 汽車上許多組建的多元應(yīng)用,從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達,不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案,也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此,設(shè)計人員為了增加車上電子
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MOSFET驅(qū)動器及功耗計算介紹

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型:



    Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
    耗盡區(qū)電容
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提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

  • 標簽:電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多,設(shè)備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率,很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機
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功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象,且其封裝簡單,主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET雙峰效應(yīng)的評估方法簡介

  • 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后,MOSFET快速的發(fā)展
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  雙峰效  方法    

瑞薩電子推出新款超級結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723),高級半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商,日前宣布推出三款新型超級結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)三極管(超級結(jié)MOSFET),具有如下的特點:600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷,適用于高速電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  MOSFET  

MOSFET驅(qū)動器及功耗計算方法

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型:



    Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd:是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
    耗盡區(qū)電容
  • 關(guān)鍵字: MOSFET  驅(qū)動器  功耗計算  方法    

確定JFET特性的簡單電路

  • 當(dāng)使用分立的JFET時,設(shè)計者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個給定的晶體管型號相適應(yīng)。一般會使用平方律方程,作為JFET漏極電流特性的一個近似模型:ID=beta;(VGS-VP)2,其中,ID是漏極電流,VGS是柵源電壓,be
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強型PowerPAK? SC-70封裝,具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
  • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  SiA436DJ  

JFET級聯(lián)實現(xiàn)恒定精確電流源的方法

  • 很多工藝控制傳感器(如熱敏電阻器和應(yīng)變橋)都需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后,電壓基準電路IC ...
  • 關(guān)鍵字: JFET  恒定  精確電流源  

高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

  • 前言近年來,產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴重的地球暖化現(xiàn)象,促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視,更造...
  • 關(guān)鍵字: 高效能  Power  MOSFET  

MHP技術(shù)在鋰電池電路保護中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量,可以取代諸如電動工具、電...
  • 關(guān)鍵字: MHP技術(shù)  鋰電池  電路保護  MOSFET  
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