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EEPW首頁 >> 主題列表 >> jfet-mosfet

電源系統(tǒng)開關控制器的 MOSFET 選擇

  • DC/DC開關控制器的MOSFET選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮MOSFET的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的MOSFET。要想讓MOSFET維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低柵極電荷和低導通電阻之間取得平衡。在多負載電源系統(tǒng)中，這種
  • 關鍵字： MOSFET  選擇  控制器  開關  系統(tǒng)  電源  

Power Trench MOSFET讓更高功率密度成可能

  • 引言對于現(xiàn)代的數(shù)據(jù)與電信電源系統(tǒng)，更高的系統(tǒng)效率和功率密度已成為核心焦點，因為小型高效的電源系統(tǒng)意味著...
  • 關鍵字： Power  Trench  MOSFET  

飛兆與英飛凌簽署汽車級封裝工藝許可協(xié)議

  • 英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)與飛兆半導體公司(NYSE: FCS)近日宣布簽署英飛凌先進汽車級MOSFET封裝工藝H-PSOF(帶散熱盤的塑料小外形扁平引腳封裝)——符合JEDEC標準的TO-Leadless封裝(MO-299)——的許可協(xié)議。
  • 關鍵字： 英飛凌  飛兆  MOSFET  

可編程大電流熱插拔控制

  • 電路熱插拔控制的目的是為了在一塊正在工作的電路板上添加或“插入”一塊未通電的電路板，不會中斷原電路板正在進行的工作狀態(tài)，并且同時啟動添加到系統(tǒng)中的那塊電路板的有序上電。主要目的是為了當電流轉(zhuǎn)入一塊插入到“正在工作”或帶電的背板或其他電路的電路板時，保護MOSFET器件。
  • 關鍵字： 熱插拔  MOSFET  

MOSFET門極驅(qū)動電壓的優(yōu)化

  • 在同步降壓電源應用中,降低MOSFET導通電阻對同步整流器而言十分關鍵,因為多數(shù)情況下,快速恢復式整流電...
  • 關鍵字： MOSFET  門極驅(qū)動  電壓優(yōu)化  

電源測試之-MOSFET開關軌跡線的示波器重現(xiàn)方法

  • MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性能、...
  • 關鍵字： TDS3000  示波器  MOSFET  

2016年LED照明領域大功率半導體市場將達30億美元

  • 　　據(jù)市場研究機構IMS Research的最新報告顯示，2016年，LED照明應用領域的全球功率半導體市場預計將超過30億美元。 　　報告認為，隨著更高效照明需求的增長以及淘汰白熾燈的法令的頒布，LED照明市場快速增長，這將催生一個巨大的大功率LED潛在市場，到2016年，大功率LED出貨量將達190億個，總值超過30億美元。 　　LED照明是大功率LED市場發(fā)展的最大機遇，到2016年將可帶動20億美元的功率半導體市場。市面上具有各種不同的電子設計、要求和規(guī)格的LED燈的產(chǎn)品范圍越來越廣，這也給大
  • 關鍵字： LED照明  MOSFET  

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046(四)

  • 摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC／DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
    關鍵詞：全橋移相控制器LM5046；28個PIN腳功能(上接第1
  • 關鍵字： 控制器  -LM5046  全橋移  驅(qū)動器  MOSFET  集成  

IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術

Alpha MOS在PFC應用中的注意事項與設計要點

  • Super-junction類型的高壓功率MOSFET具有更低的導通電阻，因此在通信電源，服務器電源，電源適配器以及臺式電腦電...
  • 關鍵字： Super-junction  PFC  MOSFET  

[組圖]800瓦MOSFET功放

  • 800瓦MOSFET功放功放適合大功率的AV場合，看看參數(shù)吧：頻響寬度：10HZ--100KHZ失真度（8歐姆100W輸出時）：0 ...
  • 關鍵字： MOSFET  功放  

Diodes MOSFET使電源供應器超越“能源之星”效率目標

  • Diodes公司推出ZXGD3105N8同步MOSFET控制器，讓反激式電源設計師能以MOSFET替換低效率的肖特基整流器，作為理想驅(qū)動二極管。同時，ZXGD3105N8還能使機頂盒取得少于100mW的待機功耗，以及逾87%的滿載效率。
  • 關鍵字： Diodes  控制器  MOSFET  

功率MOSFET抗SEB能力的二維數(shù)值模擬

  • 摘要：在分析了單粒子燒毀(SEB)物理機制及相應仿真模型的基礎上，研究了無緩沖層MOSFET準靜態(tài)擊穿特性曲線，明確了影響器件抗SEB能力的參數(shù)及決定因素。仿真研究了單緩沖層結構MOSFET，表明低摻雜緩沖層可提高器件負
  • 關鍵字： 二維數(shù)值  模擬  能力  SEB  MOSFET  功率  

智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能

  • 智能MOSFET提高醫(yī)療設計的可靠性同時提升性能,所有的醫(yī)療應用在要求高可靠性的同時仍然要為最終用戶提供所需的技術進步。由于各醫(yī)療設備公司間競爭激烈，他們的最終應用、功能急劇增加，但是沒有考慮到另外一個可能的失效點的影響。在所有這些點都需要電源，并且
  • 關鍵字： MOSFET  醫(yī)療設計  可靠性  性能    

羅姆推出高耐壓功率MOSFET

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)面向太陽能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場，開發(fā)出實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級低導通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。
  • 關鍵字： 羅姆  電阻  MOSFET  
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