羅姆推出高耐壓功率MOSFET

　　日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會(huì)社(總部：日本京都市)面向太陽(yáng)能發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器市場(chǎng)，開(kāi)發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)頂級(jí)低導(dǎo)通電阻的高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”(500V/50A/typ,34mΩmax45mΩ)。

　　本產(chǎn)品采用散熱性卓越的TO247PLUS封裝，于2011年9月中旬開(kāi)始提供樣品(樣品價(jià)格：1000日元/個(gè))，并已于2011年12月份開(kāi)始投入量產(chǎn)。

　　隨著節(jié)能趨勢(shì)漸行漸強(qiáng)，作為可再生能源的代表，太陽(yáng)能發(fā)電市場(chǎng)規(guī)模不斷擴(kuò)大。其功率調(diào)節(jié)器領(lǐng)域，正在努力通過(guò)電源轉(zhuǎn)換效率的改善實(shí)現(xiàn)節(jié)電，因此對(duì)實(shí)現(xiàn)更低損耗的功率MOSFET的需求不斷高漲。羅姆此前也一直利用多層外延生長(zhǎng)方式，為客戶提供多層縱向pn結(jié)的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET，持續(xù)為高效化作出了貢獻(xiàn)。但是，由于這種方式的制造工序復(fù)雜，因此具有難于微細(xì)化和提高生產(chǎn)性能的課題。

　　此次，羅姆采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)，通過(guò)微細(xì)化及雜質(zhì)濃度的優(yōu)化，與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比，將導(dǎo)通電阻成功降低了約47%。此產(chǎn)品不僅非常適合低導(dǎo)通電阻容易體現(xiàn)出來(lái)的轉(zhuǎn)換器部分，而且與羅姆制造的快速恢復(fù)二極管或SiC肖特基勢(shì)壘二極管等相組合，還可應(yīng)用于逆變器。由于可以大幅降低電源轉(zhuǎn)換時(shí)的損耗，因此將會(huì)大大有助于提高太陽(yáng)能發(fā)電的效率。另外，為了適用于更多種類的電路方式，羅姆在采用本技術(shù)進(jìn)一步完善高耐壓產(chǎn)品線的同時(shí)，還將不斷擴(kuò)充“PrestoMOS™”系列。

　　羅姆今后也會(huì)繼續(xù)利用獨(dú)創(chuàng)的先進(jìn)工藝加工技術(shù)，不斷推進(jìn)滿足顧客需求的前瞻性晶體管產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)。

　　<高耐壓功率MOSFET“R5050DNZ0C9”的主要特點(diǎn)>

　　1) 業(yè)內(nèi)頂級(jí)的低導(dǎo)通電阻

　　2) 具有卓越散熱性能的TO247PLUS封裝

　　<利用了Si深蝕刻技術(shù)的超結(jié)結(jié)構(gòu)>

　　采用縱向p層一次成型的Si深蝕刻技術(shù)。

　　不僅可簡(jiǎn)化工序，而且適合微細(xì)化。

　　<導(dǎo)通電阻降低47%>　※以傳統(tǒng)產(chǎn)品為“1”為例

　　<術(shù)語(yǔ)解說(shuō)>

　　?導(dǎo)通電阻

　　功率器件動(dòng)作時(shí)的電阻值。是影響功率MOSFET性能的最重要的參數(shù)，其值越小性能越高。

　　?超結(jié)MOSFET

　　利用耗盡層在三維空間中的的拓寬，實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)產(chǎn)品更低損耗的功率MOSFET。

　　?SiC(Standard Industrial Classification：碳化硅)

　　帶隙是硅的3倍左右、絕緣破壞電場(chǎng)是其10倍左右、導(dǎo)熱率是其3倍左右，是具備優(yōu)異物理性能的化合物半導(dǎo)體，這些特性適合功率器件應(yīng)用和高溫動(dòng)作。羅姆在2010年4月實(shí)現(xiàn)肖特基勢(shì)壘二極管的量產(chǎn)，并于2010年12月實(shí)現(xiàn)了MOSFET的量產(chǎn)。

　　?“PrestoMOS™”系列

　　低導(dǎo)通電阻、低Qg并且實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的高速trr化的高耐壓MOSFET系列。

　　(Presto是指：源于意大利語(yǔ)的意為“極其快速”的音樂(lè)用語(yǔ)。)