jfet-mosfet 文章 進(jìn)入jfet-mosfet技術(shù)社區(qū)
根據(jù)應(yīng)用恰當(dāng)選擇MOSFET的技巧
- 鑒于MOSFET技術(shù)的成熟,為設(shè)計選擇一款MOSFET表面上看是十分簡單的事情。雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 導(dǎo)通阻抗 開關(guān)電源
MOSFET應(yīng)用案例解析
- 1.開關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言,這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時,有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_關(guān)電源,這...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 應(yīng)用案例
MOSFET的選型基礎(chǔ)
- MOSFET廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路中,和我們的生活密不可分。MOSFET的優(yōu)勢在于:首先驅(qū)動電路比較簡單。MOSF...
- 關(guān)鍵字: MOSFET 選型 應(yīng)用概覽
大功率開關(guān)電源中功率MOSFET的驅(qū)動技術(shù)
- 功率MOSFET具有導(dǎo)通電阻低、負(fù)載電流大的優(yōu)點(diǎn),因而非常適合用作開關(guān)電源(switch-modepowersupplies,SMPS...
- 關(guān)鍵字: 大功率 開關(guān)電源 功率 MOSFET 驅(qū)動
汽車電子功率MOSFET解決方案
- 過去15到20年間,汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展成為蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因?yàn)槠淠軌蚰?..
- 關(guān)鍵字: 電子系統(tǒng) MOSFET 瞬態(tài)高壓
用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
- 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法,這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn),新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計空間,使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終,通過構(gòu)成一個由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層,晶體管的創(chuàng)新將會繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時發(fā)揮關(guān)鍵作用。
- 關(guān)鍵字: CMOS 器件 功效 功率 提高 MOSFET 方案 非傳統(tǒng)
瑞薩電子推出具有大電流和低功率的半導(dǎo)體器件
- 高級半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子公司(TSE:6723,以下簡稱“瑞薩電子”)宣布開發(fā)面向消費(fèi)類產(chǎn)品(如無線電動工具和電動自行車)中電機(jī)驅(qū)動的100A大電流功率MOSFET,以便加強(qiáng)公司的整個功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線。新款功率MOSFET提供了較寬的電壓范圍,其中3款新產(chǎn)品(包括N0413N)具有40V的電壓容差,而另外3款新產(chǎn)品(包括N0601N)具有60V的電壓容差。新款功率MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低的功率損耗水平,是延長電池壽命的理性之選。
- 關(guān)鍵字: 瑞薩 MOSFET N0413N
高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的新進(jìn)展
- 從1957年第一只晶閘管的誕生開始,功率電子技術(shù)以相當(dāng)迅猛的速度發(fā)展。近年來又取得了長足的進(jìn)展,產(chǎn)生極佳的經(jīng)濟(jì)及社會效益。從美國高能效經(jīng)濟(jì)委員會(ACEE)出版的一份報告可以看到,到2030年,受益于采用半導(dǎo)體技術(shù)而獲得的更高能效,可以使美國的經(jīng)濟(jì)規(guī)模擴(kuò)大70%以上,與此同時,使用的電能卻將減少11%。作為高能效功率電子技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先廠商,安森美半導(dǎo)體一直專注于超低損耗MOSFET/IGBT、智能電源IC及集成功率模塊等方面的研發(fā)和創(chuàng)新,而且取得了長足的進(jìn)展
- 關(guān)鍵字: 安森美半導(dǎo)體 MOSFET
IR推出微電子繼電器設(shè)計師手冊以簡化選型和電路設(shè)計
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出光盤版微電子繼電器 (MER) 設(shè)計師手冊,內(nèi)容包括 IR 公司MER 產(chǎn)品系列的選型指南、應(yīng)用手冊、數(shù)據(jù)資料和設(shè)計技巧等。 IR 的 MER 產(chǎn)品系列包括以 MOSFET 和 IGBT 為基礎(chǔ)的光伏繼電器和光電隔離器。其中以 MOSFET 為基礎(chǔ)的器件是理想的固態(tài)繼電器,能把AC 和 DC 負(fù)載和感測信號從幾毫安轉(zhuǎn)換成幾百瓦,廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、測試設(shè)備、外圍電信設(shè)備、電腦外設(shè)
- 關(guān)鍵字: IR 微電子繼電器 MOSFET
IR推出雙PQFN2x2和雙PQFN3.3x3.3功率MOSFETs
- 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 擴(kuò)展其PQFN封裝系列,推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封裝。新型封裝集成了兩個采用IR最新硅技術(shù)的HEXFET? MOSFET,為低功率應(yīng)用提供高密度、低成本的解決方案,這些應(yīng)用包括智能手機(jī)、平板電腦、攝像機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、直流電動機(jī)、無線感應(yīng)充電器、筆記本電腦、服務(wù)器、網(wǎng)通設(shè)備等
- 關(guān)鍵字: IR MOSFET
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