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英飛凌新一代高壓MOSFET設(shè)立能效新標(biāo)準(zhǔn)

  • 　　英飛凌的最新一代高壓CoolMOS? MOSFET取得了又一項(xiàng)創(chuàng)新，設(shè)立了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。在德國紐倫堡舉辦的PCIM Europe 2011展會(huì)(5月17日至19日)上，英飛凌展出了全新推出的650V CoolMOS? CFD2，它是世界上第一款漏源擊穿電壓為650V并且集成了快速體二極管的高壓晶體管。這個(gè)新的CFD2器件延續(xù)了600V CFD產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，不僅可以提高能效，而且具備更軟的交換功能，從而降低了電磁干擾(EMI)，提升產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
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Diodes推出超小型封裝的高性能MOSFET

  • 　　Diodes公司推出一系列采用超小型DFN1006-3封裝的高性能MOSFET產(chǎn)品線。該封裝僅占用0.6平方毫米的PCB面積，較同類SOT723封裝器件節(jié)省一半以上的占板空間，其結(jié)點(diǎn)至環(huán)境熱阻 (ROJA) 為256oC/W，在連續(xù)條件下功耗高達(dá)1.3W，而同類產(chǎn)品的功耗則多出一倍。 　　
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利用DAC、運(yùn)算放大器和 MOSFET 晶體管 構(gòu)建多功能高精度可編程電流源

  • 電路功能與優(yōu)勢(shì) 數(shù)字控制電流源在許多應(yīng)用中至關(guān)重要，如電源管理、電磁閥控制、電機(jī)控制、阻抗測(cè)量、傳 ...
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Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間

  • 　　Diodes公司推出旗下有助節(jié)省空間的DFN3020封裝分立式產(chǎn)品系列的首批MOSFET。這三款雙MOSFET組合包含了20V和30V N溝道及30V互補(bǔ)器件。這些雙DFN3020 MOSFET的電學(xué)性能與較大的SOT23封裝器件不相上下，可以替代兩個(gè)獨(dú)立的SOT23封裝MOSFET，節(jié)省七成的電路板空間?！?/li>
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為你的應(yīng)用選擇合適的高壓MOSFET

  • 高電壓MOSFET技術(shù)在過去幾年中經(jīng)歷了很大變化，給電源工程師帶來了不少選擇。只要提供有關(guān)不同技術(shù)的使用指南，就可以幫助工程師選擇合適的部件以達(dá)成其應(yīng)用的效率和成本目標(biāo)。了解不同MOSFET部件的細(xì)微差別及不同開
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IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET 芯片組

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出了一款優(yōu)化版車用DirectFET?2 功率 MOSFET 芯片組，適合內(nèi)燃機(jī)、混合動(dòng)力和電動(dòng)車中的DC-DC 應(yīng)用。 　　
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IR推出新系列車用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。 　　
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中國未來幾年IGBT市場(chǎng)火爆

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的研究，由于工業(yè)與消費(fèi)領(lǐng)域的需求增長(zhǎng)，中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場(chǎng)未來幾年將快速增長(zhǎng)，2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元，增長(zhǎng)一倍以上。 　　
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IR推出新系列車用MOSFET

  • 　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出堅(jiān)固耐用的車用 MOSFET系列，適合多種內(nèi)燃機(jī) (ICE) 和混合動(dòng)力車平臺(tái)應(yīng)用。 　　
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Linear 推出 LTC4441 新的高可靠性 (MP 級(jí)) 版本

  • 　　凌力爾特公司(Linear Technology Corporation) 推出LTC4441新的高可靠性(MP 級(jí)) 版本，該器件是一款6A N 溝道MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，在-55°C 至125°C的工作節(jié)溫范圍內(nèi)工作。該高功率驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)用于增加DC/DC 控制器的輸出功率及效率，從而使其能夠驅(qū)動(dòng)高功率N 溝道MOSFET 或多個(gè)并聯(lián)的MOSFET。其柵極驅(qū)動(dòng)電壓從5V 至8V 是可調(diào)的，從而允許設(shè)計(jì)師選擇標(biāo)準(zhǔn)門限或邏輯電平MOSFET。LTC4441 在5V 至25V 的寬輸入
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Microchip擴(kuò)展MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品

  • 　　Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布擴(kuò)展了其MOSFET驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品。在已獲得業(yè)界推崇的Microchip下橋臂MCP14E3/4/54.5A MOSFET驅(qū)動(dòng)器上，Microchip推出全新下橋臂MCP14E6/7/82A和MCP14E9/10/113A驅(qū)動(dòng)器。經(jīng)擴(kuò)展后，這一低成本系列器件的額定峰值輸出電流為2A至4.5A，工作電壓范圍寬達(dá)4.5V至18V。全新器件具備使能輸入引腳，可實(shí)現(xiàn)關(guān)斷功能以節(jié)省能耗，并采用8引腳SOIC和8引腳6mm×5m
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Fairchild開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝

  • 　　為了滿足高電流能力、高效率和更小外形尺寸的需求，飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出用于MOSFET器件的Dual Cool封裝，Dual Cool封裝是采用嶄新封裝技術(shù)的頂部冷卻PQFN器件，可以通過封裝的頂部實(shí)現(xiàn)額外的功率耗散。 　　Dual Cool封裝具有外露的散熱塊，能夠顯著減小從結(jié)點(diǎn)到外殼頂部的熱阻。與標(biāo)準(zhǔn)PQFN封裝相比，Dual Cool封裝在配合散熱片使用時(shí)，可將功率耗散能力提高60%以上。此外，采用Dual Cool封裝的MOSFET通過使用飛兆
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Vishay發(fā)布40V和60V N溝道TrenchFET功率MOSFET

  • 　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布新款40V和60V N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK® SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。 　　40 V SiR640DP在10V和4.5V下的導(dǎo)通電阻為1.7m?和2.2m?，在10V和4.5V下的FOM分別為128m?-nC和76m?-nC。器件在4.5V下的導(dǎo)通電阻比最
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saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例

  • saber下MOSFET驅(qū)動(dòng)仿真實(shí)例,設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊(cè)中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型，圖5-1所示MOSFET DC Characteris
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Vishay新款N溝道功率MOSFET刷新最低導(dǎo)通電阻記錄

  • 　　賓夕法尼亞、MALVERN—2011年3月31日—日前，Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代號(hào)：VSH)宣布，發(fā)布新款40V和60VN溝道Trench FET?功率MOSFET---SiR640DP和SiR662DP。兩款器件采用SO-8或PowerPAK?SO-8封裝，具有業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻，以及最低的導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即優(yōu)值系數(shù)。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  最低導(dǎo)通電阻  
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