saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例
設(shè)計中,根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS,ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù),利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型,圖5-1所示MOSFET DC Characteristics設(shè)置,圖5-2所示MOSFET Capacitance Characteristics設(shè)置,Body Diode 參數(shù)采用默認設(shè)置。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/150904.htm首先驗證Rg、Vgs、Vds關(guān)系,仿真電路如圖
這里電路中加入了一定的電感Lg,仿真電路寄生電感,取值是0.05uH,有沒有什么依據(jù)?我當(dāng)時是想導(dǎo)線計算電感的時候好像是要加上0.05u,就放了個0.05u。
仿真過程是,Rg分別取1歐姆,到10歐姆,到100歐姆。驗證Rg取值對驅(qū)動波形Vgs和開關(guān)導(dǎo)通特性Vds影響。結(jié)果如下圖:
可以看出,不同Rg阻值對MOSFET IXFN50N80Q2 的影響。設(shè)計中,取Rg=10,取Rg=1,擔(dān)心過沖擊穿Vgs,取100,上升沿速度太慢,不滿足高速應(yīng)用。
下邊討論MOSFET串聯(lián)問題。仿真電路如圖:仿真電路中兩路驅(qū)動,只有Rg參數(shù)不一致,其他均一致。
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