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saber下MOSFET驅(qū)動仿真實(shí)例

作者: 時間:2011-04-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/150904.htm

  Q2的電路中Rg=15,Q1的電路中Rg=10,這樣的目的是在討論電路中等效電阻的不一致(可能來自Rg本身不一致,也可能是線路不同,器件不同而造成的不一致)情況下,對串聯(lián)導(dǎo)通過程影響。觀察Vd1和Vd2兩點(diǎn)的波形,如圖:

  

  從圖中可以明顯看到,由于驅(qū)動電路參數(shù)不一致Rg1

  一般串聯(lián)都需要動態(tài)和靜態(tài)均壓。靜態(tài)均壓見圖中的兩端并聯(lián)電阻,取值可以參考MOSFET手冊中關(guān)斷狀態(tài)的漏電流,通過靜態(tài)電阻的漏電流是通過MOSFET靜態(tài)漏電流的6倍左右,太大會加大電阻靜態(tài)損耗。

  本設(shè)計中動態(tài)均壓網(wǎng)絡(luò),采用TVS并聯(lián)在MOSFET兩端,起到保護(hù)作用。TVS管好像有點(diǎn)貴,也可以采用RCD網(wǎng)絡(luò)。有人說,TVS并聯(lián)起到的不是動態(tài)均壓作用,只是瞬態(tài)保護(hù)作用,這也是有道理的。

  TVS管選擇,就是Vwm 大于電路正常工作電壓,Vc小于電路額定最大工作電壓。

  采用TVS管保護(hù)電路前后,Vd1波形對比圖:

  

  可以看到,加入TVS管后,尖峰脈沖的持續(xù)時間大大縮短。

  MOSFET串聯(lián)應(yīng)用,在保證動態(tài)靜態(tài)均壓和驅(qū)動一致性的條件下,還要采用一些隔離技術(shù)和多路驅(qū)動技術(shù),以保證多只MOSFET串聯(lián)組成高壓大功率高頻開關(guān)。這方面這里就不再寫了,希望大家指點(diǎn)


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