lte-tdd 文章進(jìn)入lte-tdd技術(shù)社區(qū)

4G-LTE系統(tǒng)中反向Doherty功率放大器設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： 4G-LTE Doherty功率放大器 IDPA BLF8G27LS-100P

中國(guó)電子報(bào)：TD-LTE使TDD技術(shù)更有生命力

　　在發(fā)展TD的15年中，先后經(jīng)歷了兩代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)——3G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)TD-SCDMA和4G國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)TD-LTE。TD-SCDMA的發(fā)展為TD-LTE奠定了產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)，TD-LTE的發(fā)展為TD-SCDMA技術(shù)和市場(chǎng)的升級(jí)指出了方向，兩大標(biāo)準(zhǔn)相輔相成，推動(dòng)中國(guó)移動(dòng)通信水平有了質(zhì)的飛躍。日前，《中國(guó)電子報(bào)》記者采訪了工業(yè)和信息化部科技司司長(zhǎng)聞庫，他在推動(dòng)TD-LTE標(biāo)準(zhǔn)形成、研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化中起著十分重要的作用。他說：“在TD-SCDMA基礎(chǔ)上推動(dòng)TD-LTE的發(fā)展，我們的信念就是
關(guān)鍵字： TD-LTE TDD

工信部公布三大運(yùn)營(yíng)商TD-LTE 4G頻段劃分

　　據(jù)業(yè)內(nèi)消息，在昨日舉行的“TD-LTE技術(shù)與頻譜研討會(huì)”上，政府和監(jiān)管部門已對(duì)TDD頻譜規(guī)劃使用做了詳細(xì)說明，并向三大電信運(yùn)營(yíng)商正式分配了TD-LTE擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)頻段。　　具體來說：　　中國(guó)移動(dòng)共獲得130MHz，分別為1880-1900MHz、2320-2370MHz、2575-2635MHz; 　　中國(guó)聯(lián)通獲得40MHz，分別為2300-2320MHz、2555-2575MHz; 　　中國(guó)電信獲得40MHz，分別為2370-2390MHz、263
關(guān)鍵字：工信部 TD-LTE 4G

制約聯(lián)發(fā)科戰(zhàn)勝高通的兩因素：LTE與64bit

　　“真8核心”新芯片亮相前夕，聯(lián)發(fā)科昨(19)日股價(jià)大漲4.2%、收盤價(jià)431.5元直逼前波新高432.5元，然瑞銀證券提醒，聯(lián)發(fā)科是該開始思考明年產(chǎn)品布局的時(shí)候，并順勢(shì)點(diǎn)出“LTE”與“64bit”等兩大不確定性。　　程正樺表示，聯(lián)發(fā)科在2012至2013年的策略，一是將芯片從單核心一路升級(jí)至雙核心、4核心、甚至是8核心(絕大多數(shù)CPU都是ARM的cortexA7);二是透過制程升級(jí)(40納米提升至28納米)的方式降低成本
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 LTE 64bit

羅德與施瓦茨公司2013年TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)成功舉辦

2013年11月15日，羅德與施瓦茨公司TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)在北京隆重舉辦，本次峰會(huì)邀請(qǐng)到了150余位業(yè)界精英匯聚一堂。本次TD-LTE創(chuàng)新峰會(huì)旨在邀請(qǐng)業(yè)內(nèi)專業(yè)人士共同探討TD-LTE技術(shù)熱點(diǎn)和創(chuàng)新課題，介紹相關(guān)的測(cè)試與測(cè)量方案，了解最新的測(cè)試技術(shù)如何帶來產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
關(guān)鍵字：羅德 TD-LTE 測(cè)試方案

LTE多頻多模風(fēng)潮引爆手機(jī)射頻前端設(shè)計(jì)改造

　　手機(jī)射頻前端(RFFront-end)將轉(zhuǎn)向高整合及薄型封裝設(shè)計(jì)。隨著長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃(LTE)多頻多模設(shè)計(jì)熱潮興起，智慧型手機(jī)射頻前端不僅面臨多天線或多頻段干擾，以及設(shè)計(jì)空間吃緊的挑戰(zhàn)，還須支援載波聚合(CarrierAggregation,CA)增進(jìn)訊號(hào)接收能力，因而牽動(dòng)相關(guān)晶片開發(fā)商加緊部署新一代射頻制程，并改進(jìn)單晶微波積體電路(MMIC)、射頻開關(guān)等元件的功能整合度和占位體積，從而滿足手機(jī)制造商更加嚴(yán)格的規(guī)格要求。　　英飛凌應(yīng)用工程暨技術(shù)行銷總監(jiān)HeissHeinrich表示，隨著行動(dòng)資訊傳輸
關(guān)鍵字： LTE 手機(jī)射頻

LTE移動(dòng)通信技術(shù)在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用

摘要：本文簡(jiǎn)要介紹了智能電網(wǎng)的相關(guān)概念和現(xiàn)實(shí)意義，分析了現(xiàn)代移動(dòng)通信技術(shù)在智能電網(wǎng)中的應(yīng)用現(xiàn)狀;針對(duì)智能電網(wǎng)對(duì)電力通信系統(tǒng)的要求，提出LTE應(yīng)用到智能電網(wǎng)中具有突出優(yōu)勢(shì)的觀點(diǎn)，并從電網(wǎng)視頻監(jiān)控、智能巡檢、
關(guān)鍵字： LTE 移動(dòng)通信智能電網(wǎng)

華為TD-LTE智能有源天線有效破解天面受限難題

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字：華為 TD-LTE 智能有源天線天面受限

NEC選擇Altera的28nm FPGA突出其在LTE市場(chǎng)上的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

2013年11月18號(hào)，Altera公司(Nasdaq: ALTR)宣布，NEC將使用Altera的 28nm FPGA，進(jìn)一步提高了其長(zhǎng)期發(fā)展(LTE)基站的性能，支持無線服務(wù)供應(yīng)商高效的管理他們的網(wǎng)絡(luò)。
關(guān)鍵字： Altera NEC FPGA LTE

安捷倫宣布一致性測(cè)試和設(shè)計(jì)驗(yàn)證系統(tǒng)提供對(duì) LTE-A 載波聚合的支持

安捷倫科技公司(NYSE：A)日前宣布推出適用于 T4010S LTE RF 和 T4020S LTE RRM 測(cè)試系統(tǒng)的新選件。新增功能覆蓋了由 3GPP 定義的 LTE-Advanced 載波聚合測(cè)試案例。
關(guān)鍵字：安捷倫 LTE-Advanced 測(cè)試系統(tǒng)

LTE明年高通續(xù)獨(dú)霸聯(lián)發(fā)科大陸份額不到5成

　　手機(jī)晶片大廠聯(lián)發(fā)科(2454)日前于法說上宣布，將于今年底推出首款LTE解決方案(包括AP+MODEM，預(yù)計(jì)將有四核及八核)，至于LTE的系統(tǒng)單晶片(SoC)，則預(yù)計(jì)于明年中推出。而關(guān)于后續(xù)全球4GLTE晶片競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，顧能Gartner研究副總裁洪岑維指出，明年全球4GLTE晶片戰(zhàn)局應(yīng)仍是「一大四小」的局面，仍以高通(Qualcomm)穩(wěn)坐領(lǐng)先地位，聯(lián)發(fā)科居次，接著則是英特爾(Intel)、博通(Broadcom)以及Marvell。惟他認(rèn)為，高通明年全球4GLTE晶片市占仍將高達(dá)8~9成，且聯(lián)發(fā)科即
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 LTE

Gartner:LTE明年高通續(xù)獨(dú)霸聯(lián)發(fā)科大陸份額不到5成

　　手機(jī)晶片大廠聯(lián)發(fā)科(2454)日前于法說上宣布，將于今年底推出首款LTE解決方案(包括AP+MODEM，預(yù)計(jì)將有四核及八核)，至于LTE的系統(tǒng)單晶片(SoC)，則預(yù)計(jì)于明年中推出。而關(guān)于后續(xù)全球4G LTE晶片競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)，顧能Gartner研究副總裁洪岑維指出，明年全球4G LTE晶片戰(zhàn)局應(yīng)仍是「一大四小」的局面，仍以高通(Qualcomm)穩(wěn)坐領(lǐng)先地位，聯(lián)發(fā)科居次，接著則是英特爾(Intel)、博通(Broadcom)以及Marvell。惟他認(rèn)為，高通明年全球4G LTE晶片市占仍將高達(dá)8~9成，且聯(lián)
關(guān)鍵字：聯(lián)發(fā)科 LTE

爭(zhēng)當(dāng)LTE市場(chǎng)探花英特爾與博通正面對(duì)決

　　英特爾(Intel)與博通(Broadcom)于長(zhǎng)程演進(jìn)計(jì)劃(LTE)市場(chǎng)的戰(zhàn)火一觸即發(fā)。博通10月初已完成并購(gòu)瑞薩電子(RenesasElectronics)LTE資產(chǎn)的所有程序，而英特爾亦于日前正式發(fā)表多頻多模LTE解決方案，兩者皆將于2014年大舉進(jìn)軍歐洲市場(chǎng)，積極擴(kuò)大市占，并力爭(zhēng)LTE晶片市場(chǎng)探花地位。　　Gartner研究副總裁洪岑維指出，隨著各家廠商接連推出LTE方案及整合AP的SoC方案，明年LTE晶片商競(jìng)爭(zhēng)將愈趨白熱化。　　Gartner研究副總裁洪岑維表示，2014年
關(guān)鍵字：英特爾 LTE 晶片

技術(shù)不是阻礙因素 TD-LTE芯片需加把勁

　　日前，北京移動(dòng)正式開賣兩款4G合約手機(jī)，這再次引爆了人們對(duì)于4G的熱情。此前，中國(guó)移動(dòng)的TD-LTE網(wǎng)已經(jīng)進(jìn)入擴(kuò)大規(guī)模試驗(yàn)階段，目前網(wǎng)絡(luò)已經(jīng)具備商用的條件。因此，TD-LTE終端芯片的發(fā)展將決定中國(guó)4G能否真正進(jìn)入人們的生活。　　現(xiàn)階段難以支持大規(guī)模商用　　根據(jù)通信行業(yè)的發(fā)展規(guī)律，終端芯片的研發(fā)和推廣需要經(jīng)歷漫長(zhǎng)的過程。首先，一塊芯片的前期研發(fā)投入是巨大的，沒有哪個(gè)廠商愿意在沒有看清市場(chǎng)的情況下就貿(mào)然行動(dòng)。其次，相比系統(tǒng)設(shè)備，終端芯片對(duì)于技術(shù)的升級(jí)演進(jìn)更加敏感。對(duì)于系統(tǒng)設(shè)備來說，技術(shù)的演進(jìn)往往
關(guān)鍵字： TD-LTE 芯片

NSN 增強(qiáng) Band 41 TD-LTE 基站傳輸功率和容量

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： NSN Band41 TD-LTE 基站傳輸功率