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Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲，市場盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程NAND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報道稱英特爾Chipzilla芯片實驗室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時間不久，其成本高，容量有限，有時候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程NAND閃存推出，固態(tài)硬盤的價格將大大降低，容量也將達到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
NAND閃存的下一個熱點：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點，NAND閃存密度已達到16 GB/D及超過2B/C多級單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費者的需要。再加上存儲產(chǎn)品價格急劇下降，高比特高性能已成為各個公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品
- 據(jù)國外媒體報道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計算和消費電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 消費電子 英特爾 消費電子
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