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凌華科技全新多功能一體式醫(yī)療平板電腦，賦能醫(yī)療可視化

  • 凌華科技發(fā)布基于第 11 代Intel? Core? 處理器的 MLC-M 醫(yī)療平板電腦，全新的多功能一體式醫(yī)療平板電腦 MLC-M，提供卓越的性能和多任務(wù)處理能力，可以輕松運(yùn)行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等文檔應(yīng)用程序。MLC-M 既輕又薄，且功能強(qiáng)大，非常適合在應(yīng)用于醫(yī)療推車或護(hù)理站等移動(dòng)型應(yīng)用場(chǎng)景。第 11 代Intel? Core? 處理器提供了強(qiáng)大的計(jì)算性能，可以輕松運(yùn)行高分辨率圖像處理軟件以及 HIS、RIS 和 PDMS 等
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機(jī)器學(xué)習(xí)模型設(shè)計(jì)過程和MEMS MLC

  • 開發(fā)機(jī)器學(xué)習(xí)項(xiàng)目的五個(gè)步驟 — 掌握要點(diǎn)，應(yīng)用并不困難！邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)具有許多優(yōu)勢(shì)。 然而，由于開發(fā)方法與標(biāo)準(zhǔn)程序設(shè)計(jì)方法截然不同，許多機(jī)器學(xué)習(xí)開發(fā)者可能會(huì)擔(dān)心自己難以駕馭。其實(shí)，完全沒有必要擔(dān)心。一旦熟悉了步驟，并掌握了機(jī)器學(xué)習(xí)項(xiàng)目的要點(diǎn)，就能夠開發(fā)具有價(jià)值的機(jī)器學(xué)習(xí)應(yīng)用。此外，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；ST）提供解決方案，以促進(jìn)邊緣機(jī)器學(xué)習(xí)得到廣泛應(yīng)用發(fā)揮全部潛力。本文描述機(jī)器學(xué)習(xí)項(xiàng)目的必要開發(fā)步驟，并介紹了ST MEMS傳感器內(nèi)嵌機(jī)器學(xué)習(xí)核心（MLC）的優(yōu)勢(shì)。 圖一
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意法半導(dǎo)體推出高級(jí)iNEMO傳感器，為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用增添機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核的能效優(yōu)勢(shì)

  • 近日，意法半導(dǎo)體推出最新的ISM330DHCX?和?LSM6DSRX?iNEMO?6軸慣性測(cè)量單元(IMU)，將動(dòng)作檢測(cè)機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)擴(kuò)大到工業(yè)和高端消費(fèi)應(yīng)用領(lǐng)域。機(jī)器學(xué)習(xí)內(nèi)核(MLC)技術(shù)對(duì)動(dòng)作數(shù)據(jù)執(zhí)行基本的AI預(yù)處理任務(wù)所用功耗，約為典型微控制器(MCU)完成相同任務(wù)所用功耗的千分之一。因此，集成這一IP技術(shù)的IMU傳感器可以減輕主MCU的處理負(fù)荷，延長(zhǎng)情景感知和體感設(shè)備的電池續(xù)航時(shí)間，降低維護(hù)檢修成本，縮減產(chǎn)品體積和重量。繼去年推出首個(gè)MLC增強(qiáng)型商用
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一文解析SLC、MLC和TLC三者的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCOFweek電子工程網(wǎng)訊：X3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)
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NAND閃存的三種架構(gòu)：MLC、SLC、MBC

  • NAND閃存的內(nèi)部架構(gòu):NAND閃存可以分為三種不同架構(gòu)，即：?jiǎn)螌訂卧猄LC 多層單元MLC多位單元MBC。其中，MBC以NROM技術(shù)為基礎(chǔ)的NAND閃存架構(gòu)，由英飛凌與Saifun合作開發(fā)，但該項(xiàng)架構(gòu)技術(shù)并不成熟。采SLC架構(gòu)是在每個(gè)Cell中存儲(chǔ)1個(gè)bit的信息，以達(dá)到其穩(wěn)定、讀寫速度快等特點(diǎn)，Cell可擦寫次數(shù)為10萬次左右。作為SLC架構(gòu)，其也有很大的缺點(diǎn)，就是面積容量相對(duì)比較小，并且由于技術(shù)限制，基本上很難再向前發(fā)展了。
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SLC、MLC、TLC閃存芯片的區(qū)別

  • SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構(gòu)的TLC芯片技術(shù)是MLC和TLC技術(shù)的延伸，最早期NAND Flash技術(shù)架構(gòu)是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個(gè)存儲(chǔ)器儲(chǔ)存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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東芝攜強(qiáng)大產(chǎn)品陣容亮相慕尼黑上海電子展

  • 　　　　日本半導(dǎo)體制造商株式會(huì)社東芝(Toshiba)旗下東芝半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司宣布，東芝攜其強(qiáng)勢(shì)產(chǎn)品和尖端技術(shù)參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會(huì)同期舉辦新聞發(fā)布會(huì)，推出促進(jìn)人類智慧生活的四大應(yīng)用最新解決方案：Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續(xù)“智社會(huì) 人為本”的企業(yè)理念，致力于打造放心、安全、舒適的社會(huì)。
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東芝：泄密了的閃存技術(shù)走勢(shì)

  • 　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange的數(shù)據(jù)表明，東芝2014年會(huì)計(jì)年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)最亮眼，位出貨量季成長(zhǎng)25%以上，營(yíng)收較上季度成長(zhǎng)23.7%?！　|芝電子(中國)有限公司董事長(zhǎng)兼總經(jīng)理田中基仁在日前的2014年高交會(huì)電子展上也透露，2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會(huì)電子展上展示的存儲(chǔ)技術(shù)和產(chǎn)品也是很有分量的，從MLC、MMC到SLC，都可以看到最新的產(chǎn)品，并且東芝的技術(shù)動(dòng)向，也在引領(lǐng)未來閃存的發(fā)展趨勢(shì)。
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NAND閃存窮途末路 下一代閃存技術(shù)百花齊放

  • 　　由于閃存技術(shù)的發(fā)展，閃存正從U盤、MP3走向電腦、存儲(chǔ)陣列等更廣泛的領(lǐng)域。雖然其速度較以往的機(jī)械硬盤有了較大幅度的提升，但縱觀整個(gè)計(jì)算架構(gòu)，閃存仍舊是計(jì)算系統(tǒng)中比較慢的部分。況且目前主流的MLC和TLC在寫入壽命上都還不盡如人意，并且隨著工藝水平的提升，其壽命和良率還有越來越糟的傾向。閃存生產(chǎn)線已經(jīng)達(dá)到15nm的水平，存儲(chǔ)密度難在攀升、壽命卻大幅下降。所以業(yè)界各個(gè)巨頭都在積極研究下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。 　　日前，鎂光在IEEE IEDM 2014(國際電子設(shè)備大會(huì))上就公布了其最新的可變電阻式存儲(chǔ)
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電源設(shè)計(jì)小貼士:MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得 ...
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MLC電容器常見缺陷的規(guī)避方法

  • 因其小尺寸、低等效串聯(lián)電阻（ESR）、低成本、高可靠性和高紋波電流能力，多層陶瓷（MLC）電容器在電源電子產(chǎn)品中變得...
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解密16Gb MLC NAND閃存表象下的技術(shù)細(xì)節(jié)

  • IMFT使用的先進(jìn)工藝可以顯著地改變消費(fèi)電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和使用方式。這些高密度、高性能閃存器件使得Intel支持的Robson閃存緩存技術(shù)以及混合SSD/HD系統(tǒng)(受到微軟、Sandisk和希捷的支持)得以實(shí)現(xiàn)。這些技術(shù)很可能出現(xiàn)在
  • 關(guān)鍵字： 表象  技術(shù)  細(xì)節(jié)  閃存  NAND  16Gb  MLC  解密  

NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

  • 什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存 。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，
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三星閃存芯片被指侵權(quán)殃及八家公司

  • 　　據(jù)國外媒體報(bào)道，美國知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司BTG International Inc.(以下簡(jiǎn)稱“BTG”)今天向美國國際貿(mào)易委員會(huì)提出申訴，稱三星的NAND閃存芯片侵犯其5項(xiàng)專利，要求禁止進(jìn)口侵權(quán)芯片及相關(guān)產(chǎn)品。BTG還將蘋果、RIM等8家采用該芯片的公司列為被告。 　　BTG申訴材料稱，涉案專利與采用“多層存儲(chǔ)單元”(MLC)技術(shù)的閃存芯片的編程和讀取方法有關(guān)。MLC技術(shù)能降低閃存芯片制造成本，并提高存儲(chǔ)密度。 　　申訴材料指出，包括手機(jī)、攝像機(jī)、筆記本和
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NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性

  • 　　周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。 　　iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對(duì)閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。 　　多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
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