mos 文章 進(jìn)入mos技術(shù)社區(qū)
拯救EMI輻射超標(biāo)，開關(guān)電源能做點啥？
- 作為工作于開關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場干擾；而印刷線路板（PCB）走線通常采用手工布線，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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為IC設(shè)計減少天線效應(yīng)
- 如同摩爾定律所述，數(shù)十年來，芯片的密度和速度正呈指數(shù)級成長。眾所周知，這種高速成長的趨勢總有一天會結(jié)束，只是不知道當(dāng)這一刻來臨時，芯片的密度和性能到底能達(dá)到何種程度。隨著技術(shù)的發(fā)展，芯片密度不斷增加，而閘級氧化層寬度不斷減少，超大規(guī)模集成電路(VLSI)中常見的多種效應(yīng)變得原來越重要且難以控制，天線效應(yīng)便是其中之一。
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DC-DC電路當(dāng)中同步與非同步的差異講解
- 在開關(guān)電源電路設(shè)計當(dāng)中，電流的轉(zhuǎn)換分為很多種。其中直流轉(zhuǎn)換是較常見的一種設(shè)計。通常稱為DC-DC轉(zhuǎn)換，是指將一個電壓值轉(zhuǎn)化為另一個電壓值電能的裝置。直流轉(zhuǎn)換設(shè)計在開關(guān)電源當(dāng)中非常常見，也是新手接觸比較多一種電路設(shè)計，本篇文章將為大家介紹這種電路當(dāng)中非同步與同步的區(qū)別。
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高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。 下面是我對MOS及MOS驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動以及應(yīng)用電路。 MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
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恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國公司
- 半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國的投資公司(英文發(fā)布資料)。 標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。 出售金額約為27.5億美元，購買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
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一種簡單的防短路的保護(hù)方法
- 前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件?！ ‰m然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負(fù)載短路，同樣會被燒毀。短路都是非正常工
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場效應(yīng)晶體管的幾點使用知識
- 我們常接觸到晶體三級管，對它的使用也比較熟悉，相對來說對晶體場效應(yīng)管就陌生一點，但是，由于場效應(yīng)管有其獨特的優(yōu)點，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管;絕緣柵型場效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場效應(yīng)管，或簡稱MOS場效應(yīng)管. 1、如何防止絕緣柵型場效應(yīng)管擊穿 由于絕緣柵場效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時，在柵極感應(yīng)出來的
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深度分析MOS場效應(yīng)管在消費類電子中的電路設(shè)計
- 當(dāng)我們還是學(xué)生的時候，不論從做題還是原理分析上,通常會重點學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計算、動態(tài)信號分析等等。對于MOS管，老師一般都會草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會說MOS管和三極管的不同就是一個是電壓控制，一個是電流控制，一個Ri大，一個Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場效應(yīng)管的分析?！ ∈紫任覀儊砜聪陆?jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場效應(yīng)管。 在消費類電子設(shè)計中由于對功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
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怎樣正確使用MOS 集成電路
- 所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對器件的靜電損害(ESD)，實驗指出，在高電壓放電時器件會失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
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到底什么是fmax講解
- 簡介： 今天一個剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個MOS管讓他測管子的fmax,幫他測完之后，他還問到怎么才能加大這個fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個參數(shù)，就寫個短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。 這兩個頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個最大頻率是絕對不可能到fmax和ft的)。這兩個頻率其實離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
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一種簡單的防短路保護(hù)方法
- 簡介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個概念，不要混淆在一起。 前段時間開發(fā)了一個產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對負(fù)載供電，滿負(fù)載時基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個PWM信號控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時內(nèi)阻非常小，我們所用的型號約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對于電源控制來說是一種效果不錯的器件。 雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
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低待機(jī)功耗電源方案選擇
- 歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。 2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計管理委員會批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。 圖1 Eup圖標(biāo) 我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求， 1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
- 關(guān)鍵字： MOS AC-DC
怎樣用最小的代價降低MOS的失效率？
- 【前言】在高端MOS的柵極驅(qū)動電路中，自舉電路因技術(shù)簡單、成本低廉得到了廣泛的應(yīng)用。然而在實際應(yīng)用中，MOS常莫名其妙的失效，有時還伴隨著驅(qū)動IC的損壞。如何破?一個合適的電阻就可搞定問題。 【問題分析】 上圖為典型的半橋自舉驅(qū)動電路，由于寄生電感的存在，在高端MOS關(guān)閉后，低端MOS的體二極管鉗位之前，寄生電感通過低端二極管進(jìn)行續(xù)流，導(dǎo)致VS端產(chǎn)生負(fù)壓，且負(fù)壓的大小與寄生電感與成正比關(guān)系。該負(fù)壓會把驅(qū)動的電位拉到負(fù)電位，導(dǎo)致驅(qū)動電路異常，還可能讓自舉電容過充電
- 關(guān)鍵字： MOS SCR
場效應(yīng)管工作原理- -場效應(yīng)管工作原理也瘋狂
- 一、場效應(yīng)管的工作原理- -概念 場效應(yīng)管(FET)是場效應(yīng)晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，也稱為單極性場效應(yīng)管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導(dǎo)體器件，場效應(yīng)管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點，而且輸入回路的內(nèi)阻高達(dá)107~1012Ω，噪聲低，熱穩(wěn)定性好，抗輻射能力強(qiáng)，且比后者耗電省，這些優(yōu)點使之從20世紀(jì)60年代誕生起就廣泛地應(yīng)用于各種電子電路之中。 二、
- 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管 MOS JFET 場效應(yīng)管工作原理
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導(dǎo)體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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