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MOS-FET與電子管OTL功放的制作

MOS-FET與電子管OTL功放的制作
關(guān)鍵字： MOS-FET 電子管 OTL功放

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器

MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類(lèi)6瓦功率放大器
關(guān)鍵字：功率放大器 MOS—FET

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器

MOS—FET甲乙類(lèi)功率放大器
關(guān)鍵字： MOS—FET 甲乙類(lèi) 功率放大器

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（三）

相對(duì)通用的電路電路圖如下：圖1用于NMOS的驅(qū)動(dòng)電路圖2用于PMOS的驅(qū)動(dòng)電路這里只針對(duì)NMOS...
關(guān)鍵字： MOS 驅(qū)動(dòng)電路

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（二）

現(xiàn)在的MOS驅(qū)動(dòng)，有幾個(gè)特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時(shí)候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
關(guān)鍵字： MOS

MOS管驅(qū)動(dòng)電路綜述連載（一）

在使用MOS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
關(guān)鍵字： MOS

MOSFET分析：選擇一款節(jié)能、高效的MOSFET

前不久，能源之星發(fā)布了2.0版外部電源能效規(guī)范。新規(guī)范大幅提高了工作頻率要求，同時(shí)進(jìn)一步降低待機(jī)功耗要求。...
關(guān)鍵字： mos

MOSEFT分析：理解功率MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗

本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： mos/開(kāi)關(guān)損耗

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之MOS管反峰及RCD吸收回路

對(duì)于一位開(kāi)關(guān)電源工程師來(lái)說(shuō)，在一對(duì)或多對(duì)相互對(duì)立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個(gè)話題就是一對(duì)相互對(duì)立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
關(guān)鍵字：吸收回路 RCD 管反峰設(shè)計(jì) MOS 開(kāi)關(guān)電源

MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單，如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
關(guān)鍵字： MOS-FET 開(kāi)關(guān)電路

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng) 電路脈沖發(fā)光二極管 C-MOS 與非門(mén) 采用

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門(mén)限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：電路定時(shí) C-MOS 時(shí)間設(shè)定

集成電路布圖設(shè)計(jì)登記：數(shù)量持續(xù)上升中國(guó)企業(yè)占優(yōu)

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退的影響，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國(guó)以內(nèi)需市場(chǎng)為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長(zhǎng)，但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測(cè)行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場(chǎng)的變化和利潤(rùn)的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國(guó)集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報(bào)告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計(jì)

麻省理工學(xué)院計(jì)劃為發(fā)展中國(guó)家開(kāi)發(fā)12美元PC

　　美國(guó)麻省理工學(xué)院一個(gè)為第三世界家庭開(kāi)發(fā)廉價(jià)計(jì)算機(jī)的項(xiàng)目組將以任天堂娛樂(lè)系統(tǒng)為基礎(chǔ)而不是以蘋(píng)果II電腦為基礎(chǔ)進(jìn)行設(shè)計(jì)。這兩種系統(tǒng)都采用相同的處理器芯片。　　一些Mac計(jì)算機(jī)網(wǎng)站指出，《波士頓先驅(qū)報(bào)》本周一的一篇文章介紹了本月麻省理工學(xué)院國(guó)際設(shè)計(jì)峰會(huì)部分內(nèi)容“教育家庭計(jì)算計(jì)劃”。這個(gè)計(jì)劃的目標(biāo)是開(kāi)發(fā)成本只有12美元的初級(jí)計(jì)算機(jī)。　　雖然設(shè)計(jì)師之一的27歲研究生Derek Lomas說(shuō)他希望給第三世界的學(xué)校提供類(lèi)似于伴隨他長(zhǎng)大蘋(píng)果II計(jì)算機(jī)，但是，他和他的團(tuán)隊(duì)研制的這種計(jì)算機(jī)
關(guān)鍵字： PC 廉價(jià) 處理器 MOS 6502

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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看詳細(xì) ]