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基于LT1641的雙路熱插拔電路設(shè)計(jì)

　　0 引言　　很多大型數(shù)據(jù)系統(tǒng)中都會(huì)采用"背板+插件板"結(jié)構(gòu)。這樣，在更換維護(hù)插件板時(shí)，通常都希望在不影響系統(tǒng)工作的情況下帶電插拔。電路上電或帶電插拔時(shí)，一般會(huì)產(chǎn)生很大的啟動(dòng)電流和電壓波動(dòng)，這些現(xiàn)象將影響設(shè)備的正常工作，甚至導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)的損害。當(dāng)一塊插件板插入工作背板或者從工作背板拔出時(shí)，插件板上附加電容的充放電會(huì)給工作背板提供一個(gè)低阻抗，此時(shí)背板到插件板的高涌入電流可能會(huì)燒毀連接器和電路元件，或者暫時(shí)使背板陷落以導(dǎo)致系統(tǒng)重啟。這種現(xiàn)象就是熱插拔現(xiàn)象。　　所謂熱插拔(Hot
關(guān)鍵字：電路熱插拔 MOS 電源

AB類功率放大器驅(qū)動(dòng)電路的研究與設(shè)計(jì)

　　1 AB類功放驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)目標(biāo) 　　在實(shí)用電路中，往往要求放大電路的末級(jí)(即輸出級(jí))輸出一定的功率，以驅(qū)動(dòng)負(fù)載。能夠向負(fù)載提供足夠信號(hào)功率的放大電路稱為功率放大電路，簡(jiǎn)稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導(dǎo)通角的函數(shù)關(guān)系如圖1所示。　　　　A類功率放大器的線性度好，功率傳遞能力差，效率最大值為50%，導(dǎo)通角為360
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 驅(qū)動(dòng)電放大器 MOS

34063用于DC－DC電源變換的電路

34063一種用于DC－DC電源變換的集成電路，應(yīng)用比較廣泛，通用廉價(jià)易購(gòu)。
關(guān)鍵字：升壓降壓功率 MOS

日立瑞薩開(kāi)發(fā)低功耗轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元

新型單元是一種用于嵌入式系統(tǒng)的下一代微控制器片上非易失存儲(chǔ)器的頗具前途的解決方案，它可以在1.5V電源電壓條件下進(jìn)行編程，且只需100μA的編程電流。日立有限公司與瑞薩科技公司近日發(fā)布了低功耗相位轉(zhuǎn)換存儲(chǔ)器單元的成功原型。這種非易失半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元可以在電源電壓為1.5V和電流低至100μA的條件下進(jìn)行編程——與采用以前技術(shù)的日立和瑞薩發(fā)布的產(chǎn)品相比，每個(gè)單元的功耗降低了50％。此外，相對(duì)于現(xiàn)有的非易失存儲(chǔ)器，新的相位轉(zhuǎn)換單元在高速讀寫(xiě)能力、編程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更為優(yōu)異。因此，這些原型可在
關(guān)鍵字： MOS 日立瑞薩存儲(chǔ)器

1994年6月，無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收

　　1994年6月，我國(guó)“七五”電子工業(yè)的頭號(hào)工程———無(wú)錫微電子工程在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司全面通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收。該工程的重點(diǎn)2微米、3微米MOS超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線正式建成投產(chǎn)，代表了我國(guó)當(dāng)時(shí)微電子工業(yè)大生產(chǎn)的最高水平。
關(guān)鍵字：華晶電子集成電路 MOS

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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對(duì)于硅襯底來(lái)說(shuō)，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場(chǎng)效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看詳細(xì) ]