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高增益高線性度CMOS偶次諧波混頻器設(shè)計

  • 　　混頻器是無線收發(fā)機中的核心模塊， 對整個系統(tǒng)的性能具有很大影響。線性度、轉(zhuǎn)換增益是衡量一個混頻器性能的重要指標。 　　在接收機中， 混頻器具有一定的轉(zhuǎn)換增益可以降低混頻器后面各級模塊設(shè)計的難度， 有利于提高系統(tǒng)噪聲性能和靈敏度。線性度決定了混頻器能處理的最大信號強度。隨著現(xiàn)代通訊系統(tǒng)對性能要求越來越高， 無論是應(yīng)用于接收機系統(tǒng)的下變頻器(本文指的混頻器) ， 還是應(yīng)用于發(fā)射機系統(tǒng)中的上變頻器都要求具有較高的線性度。因此設(shè)計具有高增益和高線性度的混頻器就成為業(yè)界一直研究的熱點。 　　在CMOS電路設(shè)
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你造嗎？ 四大MOSFET實用技巧

  • 　　MOSFET是一個時代產(chǎn)物,隨著MOSFET技術(shù)的進展，特別是大電流、小封裝、低功耗的單芯片MOSFET出現(xiàn)，它的開關(guān)速度快/輸入阻抗大/熱穩(wěn)定性好等等優(yōu)點,已經(jīng)成為工程師們的首選。 　　在EEPW論壇呆久了，看了好多網(wǎng)友問起MOS管的事情，有很多童靴對MOS管的使用不是很熟悉，今天有空給大家說幾個關(guān)于MOSFET的技巧的幾個實用技巧的事情。 　　為了把問題說的明白些，還是有必要把MOS管的身世先介紹一下。 　　MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道
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分立器件的創(chuàng)新這樣體現(xiàn)在性能、效率、成本和交貨的完美契合

  • 　　在人們的印象中，東芝NAND Flash(閃存)享譽世界。其實，東芝的分立器件也在市場上占有重要位置。 　　
  • 關(guān)鍵字： 東芝  LED  晶圓  MOS  分立器  201411  

CMOS電路ESD保護結(jié)構(gòu)設(shè)計

  • 　　1　引　言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來越薄，芯片的面積規(guī)模越來越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。 　　2　ESD保護原理 　　ESD保護電路的設(shè)計目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
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LED驅(qū)動設(shè)計小Tips：不可不知的5大關(guān)鍵點

  • 　　1、芯片發(fā)熱 　　這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf(考慮充電的電阻效益，實際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想辦法降低c、v和f.如果c、v和f不能改變，那么請想辦法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。再簡單一點，就是考慮更好的
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一種低電壓、低功耗模擬電路設(shè)計簡介

  • 因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS,所以經(jīng)常被用作一個三端設(shè)備。由于未來CMOS技術(shù)的閾值電壓并不會遠低于現(xiàn)有標準，于是采用襯底驅(qū)動技術(shù)進行模擬電路設(shè)計就成為較好的解決方案[1].襯底驅(qū)動技術(shù)的原理是：在柵極和源極之間加上足夠大的固定電壓，以形成反型層，輸入信號加在襯底和源極之間，這樣閾值電壓就可以減小或從信號通路上得以避開。襯底驅(qū)動MOS晶體管的原理類似于結(jié)型場效應(yīng)晶體管，也就是一個耗盡型器件，它可以工作在負、零、甚至略微正偏壓條件下[2].由于襯底電壓影響與反型層(即導(dǎo)電溝
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一種可程控調(diào)制脈沖電源模塊的研制

  • 脈沖電源是脈沖制式供電方式裝備必不可少的供電電源。本文對脈沖電源特點及主要參數(shù)的影響原因進行分析，給出了一種脈沖電源的電路方案。重點分析輸出脈沖電壓跌落幅度產(chǎn)生原因及解決方法，總結(jié)了實用的脈沖電源工程設(shè)計方法。
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一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案

  • 　　為了解決現(xiàn)有浪涌保護電路可靠性差、專用模塊體積龐大以及效率低的問題，提出一種抗機載80V浪涌、高效恒流源電路解決方案。其設(shè)計思路從以下幾個方面考慮：(1)能夠承受航空供電系統(tǒng)中80V/50ms過壓浪涌且能正常工作;(2)外圍電路較為簡單，通過分離元器件可實現(xiàn)抗浪涌功能;(3)構(gòu)建的電路占用體積僅為專用模塊的50%～60%左右;(4)正常工作時，電路轉(zhuǎn)換效率能達到90%以上;80V/50ms的高壓浪涌電壓時，電路轉(zhuǎn)換效率能達到80%以上
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移動電源方案技術(shù)深度剖析連載一：小米10400

  • 　　引言：　　鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，對目前市面主流品牌，暢銷產(chǎn)品等移動電源方案一一深度剖析，與移動電源設(shè)計師和技術(shù)迷們一起分享!我們首款產(chǎn)品就選目前最熱門的小米10400mAh移動電源吧。　　正文：　　移動電源網(wǎng)獨家撰稿，轉(zhuǎn)載請保留出處鏈接?！　〈蠹液?我是來福，移動電源資深技術(shù)愛好者，鑒于目前網(wǎng)絡(luò)上移動電源方案知識甚少，而移動電源最核心的技術(shù)恰恰就在方案，從今開始特在移動電源網(wǎng)開設(shè)移動電源方案技術(shù)篇連載，
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從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構(gòu)成零件-2

  • 在上一個帖子當(dāng)中我們見到了MOS管。下面我們來看一看用它完成的一個最簡單的設(shè)計。
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從4004到core i7——處理器的進化史-CPU構(gòu)成零件-1

  • 在下面的兩個帖子當(dāng)中，我將簡短地介紹構(gòu)成CPU的零件，一種晶體管。我將展示如何完成最簡單的設(shè)計，這相當(dāng)于IC設(shè)計中的Hello world，并且略微提到Hello world的幾種變體。
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車載筆記本電源的設(shè)計制作

  • 此電源有兩種，輸入電壓不同分為12V和24V兩種，輸出電壓均為19V。一、12V轉(zhuǎn)19V電路電路如上圖，此電路屬升壓型...
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SJ-MOS與VDMOS動態(tài)性能比較

  • 引言：為了打破傳統(tǒng)的VDMOS工藝MOS導(dǎo)通電阻與反向擊穿電壓之間制約，半導(dǎo)體物理學(xué)界提出的一種新型MOS結(jié)構(gòu)，稱為...
  • 關(guān)鍵字： SJ-MOS  VDMOS  

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

  • X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(yīng)(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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舞臺功放MOS管改裝介紹

  • 以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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mos介紹

MOS 金屬氧化物半導(dǎo)體 MOS metal-oxide semiconductor 以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應(yīng)晶體管、電容器、電阻器和其他半導(dǎo)體設(shè)備都是用這種結(jié)構(gòu)制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。 [ 查看詳細 ]

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