mosfet 文章進入mosfet 技術(shù)社區(qū)

滿足開關(guān)電源要求的功率MOSFET

近年來，電源的輸出電壓越來越低、輸出電流越來越大（某些電源系統(tǒng)輸出幾十安培到上百安培）。因此，電源設(shè)計中采用...
關(guān)鍵字：開關(guān)電源 MOSFET

Vishay的MOSFET榮獲Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎

2011 年 10 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其SiR662DP 60V n溝道TrenchFET 功率MOSFET被《今日電子》雜志評為第九屆年度Top-10 DC/DC電源產(chǎn)品獎的獲獎產(chǎn)品。
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

只用兩只MOSFET的雙線圈繼電器驅(qū)動器

閉鎖繼電器在給線圈一個短電壓脈沖時，會改變自己的狀態(tài)。由于這些繼電器不需要連續(xù)的線圈電流來保持狀態(tài)...
關(guān)鍵字： MOSFET 繼電器驅(qū)動器

基于TLE6210和L9349設(shè)計的ABS驅(qū)動電路

ABS作為如今汽車上必備的安全電子設(shè)備，其功能越來越受到人們的重視。ABS系統(tǒng)通過電磁閥和回油泵來完成對...
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路 ABSTLE6210 MOSFET

兩種常見的MOSFET驅(qū)動電路設(shè)計

由分立器件組成的驅(qū)動電路((如圖所示)，驅(qū)動電路工作原理如下：　　A.當(dāng)HS為高電平時，Q7、Q4導(dǎo)通，Q6關(guān)閉，電容C4上的電壓(約14V)經(jīng)過Q4、D3、R6加到Q5的柵極，使Q5導(dǎo)通。在導(dǎo)通期間，Q5的源極電壓(Phase)接近電源電
關(guān)鍵字：電路設(shè)計驅(qū)動 MOSFET 常見

安森美半導(dǎo)體持續(xù)擴充下一代計算產(chǎn)品平臺方案

Sept. 21, 2011 – 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ONNN)持續(xù)為簡化及加快計算平臺設(shè)計而擴充其產(chǎn)品系列。
關(guān)鍵字：安森美半導(dǎo)體 MOSFET

Power Integrations推出HiperLCS系列高壓LLC電源IC

美國加利福尼亞州圣何塞，2011年9月14日訊 – 用于高能效功率轉(zhuǎn)換的高壓集成電路業(yè)界的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司（納斯達(dá)克股票代號：POWI）今日推出全新的HiperLCS系列高壓LLC電源IC，新器件將控制器、高壓端和低壓端驅(qū)動器以及兩個MOSFET同時集成到了一個低成本封裝中。高度集成的HiperLCS IC具有出色的設(shè)計靈活性，既可提升效率（最高效率可超過97%），又可縮小尺寸，即利用高頻工作（最高達(dá)750 kHz）來減小變壓器的尺寸和輸出電容的占板面積。
關(guān)鍵字： Power Integrations MOSFET HiperLCS器件

電動自行車控制器MOSFET驅(qū)動電路的設(shè)計

電動自行車具有環(huán)保節(jié)能，價格合適，無噪聲，便利等特點，因此，電動自行車成為當(dāng)今社會人們主要的代步工具。與此同時，消費者和商家對整車的質(zhì)量及可靠性要求也越來越高。作為整車四大件之一的控制器的可靠性顯得尤
關(guān)鍵字：電路設(shè)計驅(qū)動 MOSFET 自行車控制器電動

節(jié)省汽車燃料的有效途徑：“啟動/停止”系統(tǒng)

許多汽車制造商設(shè)計了一種節(jié)省汽車燃料的巧妙方法，就是運用了被稱為“啟動/停止”系統(tǒng)的新概念。該系統(tǒng)...
關(guān)鍵字： MOSFET 引擎離合器

集成MOSFET驅(qū)動器的全橋移相控制器-LM5046

摘要：新推出的全橋移相控制器LM5046，全橋變換器的全部功能，LM5046組成的全橋DC-DC基本電路，內(nèi)部等效電路。而其具備28個PIN腳功能，文中一一有分解說明。
關(guān)鍵詞：全橋移相控制器L345046；28個PIN腳功能

1 LM
關(guān)鍵字：控制器 -LM5046 全橋移驅(qū)動器 MOSFET 集成

低VCEsat雙極結(jié)晶體管和MOSFET的比較

新型低VCEsat BJT技術(shù)為傳統(tǒng)的平面MOSFET(電流介于500mA與5A之間的應(yīng)用)提供了一種可行的低成本替代方案。采用低VCEsat BJT有助于設(shè)計人員設(shè)計出成本更低、更具競爭優(yōu)勢的產(chǎn)品?！　”銛y式產(chǎn)品(如手機、數(shù)碼照相機、
關(guān)鍵字：比較 MOSFET 晶體管雙極結(jié) VCEsat

高精度MOSFET設(shè)計技巧

隨著個人計算機行業(yè)向著工作電流為200A的1V核心電壓推進，為了滿足那些需求，并為該市場提供量身定制新型器件所需要的方法，半導(dǎo)體行業(yè)正遭受著巨大的壓力。過去，MOSFET設(shè)計工程師只要逐漸完善其性能就能滿足市場的
關(guān)鍵字： MOSFET 高精度設(shè)計技巧

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

全新溝道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面貼裝器件 (SMD) 封裝，電壓范圍從 40V 至 200V。標(biāo)準(zhǔn)和邏輯電平柵級驅(qū)動 MOSFET 都為 IR 車用塑料封裝 MOSFET 產(chǎn)品系列設(shè)定了導(dǎo)通電阻性能新標(biāo)準(zhǔn)?；鶞?zhǔn)導(dǎo)通電阻在 40V 下最大為 1.25 毫歐，60V 下最大為2.1 毫歐，75V 下為 2.6 毫歐，100V 下為 4.0 毫歐。在 D2Pak-7P 封裝中許多器件的最大額定電流達(dá) 240A。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

新日本無線推出有30V耐圧、4A輸出的半橋驅(qū)動器

為了減輕對環(huán)境的影響，最新的電子設(shè)備急需高效率化，并且對其中配備的電機、LED等功率器件的控制也逐漸形成用微處理器/DSP等來控制的趨勢（軟件控制）。因此，電子設(shè)計工程師除了需要微處理器/DSP的知識之外，關(guān)于功率器件的驅(qū)動知識也是必不可少。
關(guān)鍵字：新日本無線 MOSFET 驅(qū)動器NJW4800

IR推出新系列40V至200V車用MOSFET

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日推出車用 MOSFET 系列，可為一系列應(yīng)用提供基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (Rds(on)) ，包括電動助力轉(zhuǎn)向系統(tǒng) (EPS) 、集成式起動發(fā)電機 (ISA) 泵和電機控制，以及內(nèi)燃機 (ICE) 和混合動力汽車平臺上的其它重載應(yīng)用。
關(guān)鍵字： IR MOSFET

共1259條 59/84 |‹ « 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 » ›|

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]