mosfet-90n10 文章進(jìn)入mosfet-90n10技術(shù)社區(qū)

瑞薩電子推出3款新型功率MOSFET產(chǎn)品

　　高級(jí)半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡稱瑞薩電子)已于近日宣布開始供應(yīng)第12代新型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管)產(chǎn)品—— RJK0210DPA、RJK0211DPA和RJK0212DPA。新產(chǎn)品作為面向DC/DC轉(zhuǎn)換器的功率半導(dǎo)體器件，主要面向計(jì)算機(jī)服務(wù)器和筆記本電腦等的應(yīng)用。　　本次推出的3款功率MOSFET可用于控制CPU和存儲(chǔ)器的電壓轉(zhuǎn)換電路。例如，可作為降壓電路，用于將電池提供的12V電壓轉(zhuǎn)換為1.05V，以便為CPU所用。隨著公司進(jìn)一步推進(jìn)
關(guān)鍵字：瑞薩電子 MOSFET

Panasonic電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要2

　　b觸點(diǎn)型“PhotoMOS”的開發(fā) 　　隨著PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的優(yōu)勢(shì)被廣泛了解，人們將其用于信息通信設(shè)備、OA設(shè)備、FA設(shè)備及其他廣泛的領(lǐng)域。為了滿足大眾進(jìn)一步的需求，本公司開發(fā)出了“可通過機(jī)械實(shí)現(xiàn)、并擁有所有觸點(diǎn)構(gòu)成(b觸點(diǎn)、c觸點(diǎn))”的PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器。　　為實(shí)現(xiàn)該產(chǎn)品的開發(fā)，我們?cè)诠β蔒OSFET制造工藝中采用了融有DSD法(Double-Diffused and Selective Do
關(guān)鍵字： Panasonic MOSFET PhotoMOS

IR 推出為 D 類應(yīng)用優(yōu)化的汽車用 DirectFET2 功率 MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布推出汽車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 系列，適合D 類音頻系統(tǒng)輸出級(jí)等高頻開關(guān)應(yīng)用。　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 適用于汽車 D 類音頻系統(tǒng)的 DirectFET®2 功率 MOSFET 陣營，并利用低柵極電荷 (Qg) 作出優(yōu)化，來改善總諧波失真
關(guān)鍵字： IR MOSFET

基于功率MOSFET的激光器外觸發(fā)系統(tǒng)研制

采用功率MOSFET及其驅(qū)動(dòng)器和光纖收發(fā)器件，研究了激光觸發(fā)開關(guān)脈沖功率源控制技術(shù)中的快上升沿(≤5 ns)觸發(fā)信號(hào)產(chǎn)生、驅(qū)動(dòng)、傳輸及光纖隔離、高耐壓脈沖變壓器使用等關(guān)鍵技術(shù)。給出了激光器外觸發(fā)控制電路的設(shè)計(jì)及測(cè)試結(jié)果，并對(duì)其應(yīng)用特點(diǎn)進(jìn)行了分析和討論。
關(guān)鍵字： MOSFET 激光器觸發(fā)系統(tǒng)

Diodes 推出小型SOT963封裝器件

　　Diodes 公司推出采用超小型 SOT963封裝的雙極晶體管 (BJT)、MOSFET和瞬態(tài)抑制二極管 (TVS) 器件，性能可媲美甚至超過采用更大封裝的器件。　　Diodes SOT963的占板面積僅有0.7 mm2，比SOT723封裝少30%，比SOT563封裝少60%，適合低功耗應(yīng)用。占板面積節(jié)省加上0.5 mm的離板高度，讓Diodes 的 SOT963 封裝器件能夠滿足各種超便攜式電子產(chǎn)品的要求。　　現(xiàn)階段推出的SOT963封裝產(chǎn)品線包括6款通用雙極雙晶體管組合、3款小信號(hào)雙MOS
關(guān)鍵字： Diodes MOSFET BJT TVS

MOSFET驅(qū)動(dòng)器介紹及功耗計(jì)算

我們先來看看MOS關(guān)模型：

Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
Cgd：是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
耗盡區(qū)電容
關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動(dòng)器功耗計(jì)算

電源設(shè)計(jì)小貼士17：緩沖反向轉(zhuǎn)換器

之前，我們介紹了如何對(duì)正向轉(zhuǎn)換器輸出整流器開啟期間兩端的電壓進(jìn)行緩沖。現(xiàn)在，我們來研究如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的 FET 關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖。圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于
關(guān)鍵字：轉(zhuǎn)換器緩沖設(shè)計(jì) MOSFET TI 德州儀器

Panasonic 電工PhotoMOS MOSFET輸出光電耦合器的概要

　　前言: 　　Panasonic電工的“PhotoMOS”是一款采用光電元件以及功率MOSFET進(jìn)行輸出的輸出光電耦合器。面試二十年間，在全世界的銷量達(dá)到八億個(gè)，堪稱是一款銷售成績驕人的商品。“PhotoMOS”滿足了小型·輕量·薄形化的需求，作為適應(yīng)電子化的輸出光電耦合器，增加了①高靈敏性、高速響應(yīng);②從傳感器輸入信號(hào)水平到高頻的控制;③從聲音信號(hào)到高頻用途的對(duì)應(yīng);④高可靠性和長使用壽命;⑤可進(jìn)行表面安裝的SMD型;⑥多功能
關(guān)鍵字：松下電工 MOSFET PhotoMOS 光電耦合器

英飛凌推出30V車用 MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS™-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

英飛凌推出一款30V功率MOSFET

　　英飛凌科技股份公司近日面向大電流應(yīng)用的汽車推出一款具備全球最低通態(tài)電阻的30V功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。全新的OptiMOS?-T2 30V MOSFET是一款N溝道器件，在10V柵源電壓條件下，漏極電流為180A，而通態(tài)電阻僅為0.9毫歐。采用D2PAK-7封裝的IPB180N03S4L-H0，可滿足客戶對(duì)標(biāo)準(zhǔn)封裝功率 MOSFET的需求：以最低成本獲得高額定電流和最低通態(tài)電阻。　　基于英飛凌適用于功率MOSFET的功能強(qiáng)大的第二代溝槽技術(shù)，OptiMOS-T2器件成為大
關(guān)鍵字：英飛凌 MOSFET

IR 拓展具有低導(dǎo)通電阻的汽車用 MOSFET 系列

　　國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 今天宣布拓展了針對(duì)低導(dǎo)通電阻(RDS(on))應(yīng)用的汽車用功率 MOSFET 專用系列，包括車載電源及內(nèi)燃機(jī) (ICE) 、微型混合動(dòng)力和全混合動(dòng)力平臺(tái)上的重載應(yīng)用。　　新的 MOSFET 系列器件系列在 55V 的電壓下可提供低達(dá) 2.6 mΩ 的導(dǎo)通電阻，可以承受 40V 至100V 的電壓，并涵蓋了此前推出的 75V 產(chǎn)品。當(dāng)中一些具有更高電壓的器件非常適用于 24V 卡車系統(tǒng)，采用 D2Pak-7P
關(guān)鍵字： IR MOSFET

Vishay 推出業(yè)界最小的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界最小和最薄的N溝道芯片級(jí)功率MOSFET --- Si8800EDB，該器件也是面積低于1mm2的首款產(chǎn)品。20V MICRO FOOT® Si8800EDB具有0.8mmx0.8mm的超小外形和0.357mm的厚度，可減少在便攜式電子產(chǎn)品中占用的空間。　　隨著便攜式產(chǎn)品變得愈加小巧，器件的尺寸成為選擇器件的重要因素，因?yàn)榘存I和電池占用了大部分空間，使PCB的面積受到極大限制。Si8800EDB具有超小的外形和
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET

IR 推出全新 HEXFET 功率MOSFET系列

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)SOT-23封裝，具有超低導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) ，適用于電池充電及放電開關(guān)、系統(tǒng)和負(fù)載開關(guān)、輕載電機(jī)驅(qū)動(dòng)，以及電信設(shè)備等應(yīng)用。　　新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術(shù)，通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力，為客戶的特定應(yīng)用優(yōu)化了性能及價(jià)格。　　IR
關(guān)鍵字： IR MOSFET HEXFET

2009年度電源產(chǎn)品獎(jiǎng)評(píng)選結(jié)果揭曉

　　2010年6月8日，由中國電子技術(shù)權(quán)威雜志《電子產(chǎn)品世界》舉辦的“2009年度電源產(chǎn)品評(píng)選”活動(dòng)在“第七屆綠色電源與電源管理技術(shù)研討會(huì)”舉行了頒獎(jiǎng)典禮。社長陳秋娜女士宣布了最終的獲獎(jiǎng)結(jié)果，中國電源學(xué)會(huì)常務(wù)理事長李龍文和陳秋娜女士分別為獲獎(jiǎng)廠商代表進(jìn)行頒獎(jiǎng)。本次活動(dòng)中共收到來自近20家國內(nèi)外電源廠商提交的五大類別60多款產(chǎn)品，經(jīng)網(wǎng)上票選和專家測(cè)評(píng)最終的分別選出最佳創(chuàng)新獎(jiǎng)和最佳應(yīng)用獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)產(chǎn)品，另外還同時(shí)從所有參選產(chǎn)品中特別評(píng)選出了兩款綠色電源獎(jiǎng)產(chǎn)品獎(jiǎng)。
關(guān)鍵字：電源管理 MOSFET LED驅(qū)動(dòng)

Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動(dòng)下的最大導(dǎo)通電阻達(dá)到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。　　這三款器件的低導(dǎo)通電阻意味著更低的功率損耗，從而在各種應(yīng)用的功率因數(shù)校正(PFC)升壓電路、脈寬調(diào)
關(guān)鍵字： Vishay MOSFET