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Nexperia擴展產品組合，率先推出集成式5 V負載開關

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出負載開關產品系列，進一步擴充其模擬和邏輯產品組合。NPS4053是本次產品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC)，憑借小巧的尺寸提供優(yōu)異的系統(tǒng)保護性能，可幫助提高系統(tǒng)可靠性，保障系統(tǒng)安全。該器件經過優(yōu)化升級，適合應用于便攜式設備（如筆記本電腦）、臺式電腦、擴展塢和車載信息娛樂系統(tǒng)。  負載開關是各種現代電子系統(tǒng)正常工作必不可少的器件。這些開關在以受控方式管理從電源到負載的電流/電壓方面發(fā)揮著關鍵作用。在典型的電源鏈中，NPS405
  • 關鍵字： Nexperia  負載開關  

IGBTs給高功率帶來了更多的選擇

  • 絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）面市已有些時日，事實上，通用電氣（GE）早在1983年6月就發(fā)布了其首款IGBT產品。從那時起，IGBT成為了中壓和高壓（>200 V ）應用的主要器件，包括供暖通風與空氣調節(jié)（HVAC）系統(tǒng)以及電焊和感應加熱等高電流應用。隨著太陽能面板、電動汽車充電器和工業(yè)伺服電機的日益普及，市場對高壓解決方案的需求也在不斷攀升。為了滿足各個行業(yè)的需求，并進一步完善持續(xù)擴大的高壓技術產品組合（GaN和SiC），Nexperia （安世半導體）正在推出多個 IGBT系列，首先便是600
  • 關鍵字： Nexperia  IGBTs  

Nexperia率先推出紐扣電池壽命和功率增強器

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布推出NBM7100和NBM5100。這兩款IC采用了具有突破意義的創(chuàng)新技術，是專為延長不可充電的典型紐扣鋰電池壽命而設計的新型電池壽命增強器，相比于同類解決方案，可將該類電池壽命延長10倍，與未使用電池增強器的典型紐扣電池相比，使用該增強器還可將電池的峰值輸出電流能力提高至25倍。大幅延長工作壽命意味著低功率物聯網(IoT)和其他便攜式應用中的廢舊電池數量將顯著減少，同時，過去只能由AA-或AAA-電池提供動力的應用也有望改用紐扣電池。  &
  • 關鍵字： Nexperia  紐扣電池  功率增強器  

Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列

  • 奈梅亨，2023年6月21日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產品組合的封裝系列。此前該產品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務器、工業(yè)、開關電源、快充、USB-PD和電機控制應用。  長期以來，品質因數Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關效率的重點。然而，一味地降低該品質因數導致產生了意外后果
  • 關鍵字： Nexperia  MOSFET  

Nexperia首創(chuàng)交互式數據手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態(tài)響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
  • 關鍵字： Nexperia  交互式數據手冊  MOSFET   

Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

  • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
  • 關鍵字： Nexperia  E-mode GAN FET  

Nexperia 聘請經紀公司出售Newport晶圓廠

  • Newport 晶圓廠擁有每月超過 35,000 個 200mm 晶圓的制造能力。
  • 關鍵字： Nexperia  Newport晶圓廠  

Nexperia推出先進的I2C GPIO擴展器產品組合

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出全新16通道I2C通用輸入輸出(GPIO)擴展器產品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復利用能力。其中一款GPIO擴展器NCA9595采用可通過寄存器配置的內部上拉電阻，可根據實際需要自定義以優(yōu)化功耗。當需要擴展I/O數量時，利用該產品組合可實現簡潔的設計，同時盡可能減少互連。這有助于設計工程師增添新功能，而且不會增加PCB設計復雜性和物料成本。 隨著服務器、汽車、工業(yè)、醫(yī)療和物聯網(IoT)的發(fā)展，需要通過微控制器進行監(jiān)測的傳感器信
  • 關鍵字： Nexperia  I2C  GPIO  擴展器  

Nexperia針對嚴苛的電源轉換應用 推出650V碳化硅二極管

  • 奈梅亨，2023年4月20日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650 V碳化硅(SiC)肖特基二極管，主要面向需要超高性能、低損耗和高效率的電源應用。10 A、650 V SiC肖特基二極管滿足工業(yè)級器件標準，可應對高電壓和高電流應用帶來的挑戰(zhàn)，包括開關模式電源、AC-DC和DC-DC轉換器、電池充電基礎設施、不間斷電源和光伏逆變器，并提高持續(xù)運行性能。例如，相比僅使用硅基解決方案的數據中心，配備采用Nexperia PSC1065K SiC肖特基二極管設計電源的數
  • 關鍵字： Nexperia  電源轉換  碳化硅二極管  PIN肖特基結構  

Nexperia推出能源采集PMIC，以加速開發(fā)環(huán)境友好型能源自主式低功耗器件

  • 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出能量采集解決方案，進一步豐富其電源管理IC系列。該方案可簡化低功耗物聯網(IoT)及其嵌入式應用，并增強應用性能。NEH2000BY是高性能電源管理集成電路(PMIC)，可從環(huán)境中收集能源（例如借助光伏電池采集光能），并給電池或儲能電容充電。憑借此特性，Nexperia的NEH2000BY可為開發(fā)體積更小、更環(huán)保的自供電式電子設備提供支持。此外，該能源采集解決方案還有助于減輕每年生產和廢棄的數十億電池對環(huán)境的影響。 NEH2000BY 可幫助簡化能源采集
  • 關鍵字： Nexperia  PMIC  低功耗器件  

Nexperia首款采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V熱插拔專用MOSFET(ASFET)，該系列產品采用緊湊型8x8 mm LFPAK88封裝，且具有增強安全工作區(qū)(SOA)的特性。這些新型ASFET針對要求嚴格的熱插拔和軟啟動應用進行了全面優(yōu)化，可在175°C下工作，適用于先進的電信和計算設備。 憑借數十年開發(fā)先進晶圓和封裝解決方案所積累的專業(yè)知識，Nexperia推出的這款PSMN2R3-100SSE（100 V，2.3 m N溝道ASFET）作為其產品組合中的首選，
  • 關鍵字： Nexperia  SMD  銅夾片  LFPAK88  MOSFET  

Nexperia推出適用于24 V電源系統(tǒng)的車載網絡ESD保護產品組合

  • 奈梅亨，2023年3月6日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天推出符合AEC-Q101標準的產品組合，其中包含六個ESD保護器件(PESD2CANFD36XX-Q)，旨在保護LIN、CAN、CAN-FD、FlexRay和SENT等車載網絡(IVN)中的總線免受靜電放電(ESD)和其他瞬變造成的損壞。 隨著數據傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，ESD保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設計工程師的巨大挑戰(zhàn)。與汽車和小型車輛中的電池電壓相比，24 V電源通常用于卡車和商用車
  • 關鍵字： Nexperia  24 V電源  車載網絡  ESD保護  

了解RET的開關特性

  • 可通過基極電流開啟或關閉雙極結型晶體管(BJT)。但是，由于基極-發(fā)射極二極管兩端的壓降在很大程度上取決于溫度，因而在許多應用中，需要一個串聯電阻將基極電流保持在所需水平，從而確保BJT穩(wěn)定安全地工作。閱讀本文，了解如何使用RET來應對標準BJT的溫度依賴性。為了減少元器件數量、簡化電路板設計，配電阻晶體管將一個或兩個雙極性晶體管與偏置電阻組合在一起，集成在同一個晶片上。替代方案包括在基極-發(fā)射極路徑上并聯第二個集成電阻，以創(chuàng)建用于設置基極電壓的分壓器。這可以提供更精細的微調和更好的關斷特性。由于這些內部
  • 關鍵字： Nexperia  RET  

Nexperia宣布面向高速數據線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產品

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產品組合再添新產品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產品經理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
  • 關鍵字： Nexperia  高速數據線  TrEOS  ESD  保護器件  

Nexperia發(fā)布用于汽車和工業(yè)應用的650 V超快恢復整流管

  • 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布，旗下面向工業(yè)和汽車領域的銅夾片FlatPower (CFP)封裝二極管系列產品組合再添新產品。新增產品包括4個采用CFP3和CFP5封裝的650 V、1 A器件，可應用于車載充電器(OBC)和電動汽車逆變器，以及工業(yè)應用中的功率轉換器、PV逆變器和電源。標準產品包括PNU65010ER (CFP3)和PNU65010EP (CFP5)，符合AEC-Q101標準的產品包括PNU65010ER-Q (CFP3)和PNU65010EP-Q (CFP5)
  • 關鍵字： Nexperia，650 V，超快恢復整流管  
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