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基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計(jì)
- 筆者在設(shè)計(jì)一項(xiàng)目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時(shí),需對(duì)片外的NOR FLASH擦寫(xiě)的需求。圖1為存儲(chǔ)部分框圖。 圖1存儲(chǔ)部分原理框圖 在設(shè)計(jì)中,片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
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研調(diào):NAND Flash需求漸加溫,估Q3擺脫供過(guò)于求
- TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查報(bào)告顯示,受到新款智慧型手機(jī)上市以及今(2015)年度蘋(píng)果新款iPhone即將開(kāi)始拉貨的影響,NAND Flash市況將逐漸增溫,預(yù)估在第三季將擺脫供過(guò)于求,轉(zhuǎn)為供需較為平衡的格局。 從供給面觀察,雖然各家NAND Flash廠商陸續(xù)宣布3D -NAND Flash的量產(chǎn)時(shí)程,但嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用仍須考量控制晶片的搭配,與各種系統(tǒng)端搭配的相容性問(wèn)題,DRAMeXchange預(yù)估,2015年3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重將僅
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基于TFFS的成像聲吶文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 1 VxWorks系統(tǒng)的啟動(dòng)流程 嵌入式VxWorks操作系統(tǒng)的啟動(dòng)包括兩個(gè)階段,一是BootRom引導(dǎo),二是VxWorks操作系統(tǒng)映像的啟動(dòng)。BootRom映像也叫做啟動(dòng)映像,它主要是初始化串口、網(wǎng)口等很少的硬件系統(tǒng)來(lái)下載VxWorks映像。VxWorks映像包含完整的VxWorks OS,是真正在目標(biāo)板上運(yùn)行的操作系統(tǒng)。它啟動(dòng)后會(huì)重新初始化幾乎所有的硬件系統(tǒng),這樣操作系統(tǒng)才可以在目標(biāo)板上正常運(yùn)行。兩種映像的區(qū)別如表 1所示。 VxWorks內(nèi)核有多種啟動(dòng)流程。本文基于的聲吶原型機(jī)采
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NAND flash市占,三星美光增、東芝獨(dú)垂淚!
- 2014年NAND flash銷售數(shù)據(jù)出爐,IHS報(bào)告稱,前四大業(yè)者中,三星電子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)銷售皆有成長(zhǎng),唯有二哥東芝(Toshiba)疑似因?yàn)楫a(chǎn)品出包遭蘋(píng)果召回,市占和業(yè)績(jī)雙雙下滑。 BusinessKorea報(bào)導(dǎo),IHS 13日?qǐng)?bào)告稱,三星電子穩(wěn)居NAND flash老大,去年銷售年增4%至90.84億美元,市占率成長(zhǎng)0.1%至36.5%。二哥東芝去年市占率由34.3%減至31.8%,銷售也大減將近3億美元。
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儲(chǔ)存市場(chǎng)新廠突圍 傳統(tǒng)大廠嚴(yán)陣以待
- 儲(chǔ)存裝置市場(chǎng)正醞釀一波小型新創(chuàng)公司革命。過(guò)去由惠普(HP)、IBM、NetApp與EMC等業(yè)者把持的儲(chǔ)存市場(chǎng),目前已遭到許多小型新創(chuàng)公司崛起并搶走市場(chǎng)。調(diào)查也發(fā)現(xiàn),消費(fèi)者預(yù)期未來(lái)將擴(kuò)大使用Flash存儲(chǔ)器與固態(tài)硬碟(SSD),因此,傳統(tǒng)大廠必須調(diào)整策略才能扭轉(zhuǎn)頹勢(shì)。 據(jù)TechRadar報(bào)導(dǎo),全球四大儲(chǔ)存大廠惠普、IBM、NetApp與EMC近期受到甫成立不久的新創(chuàng)公司推出快閃技術(shù)產(chǎn)品,因此,其外部硬碟儲(chǔ)存市場(chǎng)占有率已逐漸流失。 據(jù)IDC調(diào)查發(fā)現(xiàn),截至2014年第2季為止,由四大廠供應(yīng)的高
- 關(guān)鍵字: IBM SSD Flash
東芝傳年內(nèi)量產(chǎn)3D Flash 技術(shù)更勝三星
- 三星電子(Samsung Electronics)領(lǐng)先全球同業(yè)、于去年10月?lián)屜攘慨a(chǎn)3D架構(gòu)的NAND型快閃存儲(chǔ)器(Flash Memory)產(chǎn)品,但三星的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)恐維持不了多久,因?yàn)槿荖AND Flash最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手東芝(Toshiba)傳出將在今年下半年量產(chǎn)3D NAND Flash、且其制造技術(shù)更勝三星一籌! 日本媒體產(chǎn)經(jīng)新聞25日?qǐng)?bào)導(dǎo),三星于去年量產(chǎn)的3D NAND Flash產(chǎn)品為垂直堆疊32層,但東芝已研發(fā)出超越三星的制造技術(shù)、可堆疊48層,且東芝計(jì)劃于今年下半年透過(guò)旗下四日市工廠
- 關(guān)鍵字: 東芝 3D Flash
大陸手機(jī)市場(chǎng)驚人Mobile DRAM消費(fèi)量陡升
- 中國(guó)大陸智能型手機(jī)的高成長(zhǎng),使得內(nèi)存等零組件的消耗激增。這也使得南韓的內(nèi)存供應(yīng)商不管是從零組件競(jìng)爭(zhēng)還是手機(jī)整機(jī)的競(jìng)爭(zhēng)上都倍感壓力。
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND Flash
半導(dǎo)體市場(chǎng)今年迎向高規(guī)格之爭(zhēng)
- 2015年由行動(dòng)裝置帶動(dòng)的高規(guī)格半導(dǎo)體之爭(zhēng)蓄勢(shì)待發(fā);行動(dòng)應(yīng)用處理器、LPDDR4、UFS(Universal Flash Storage;UFS)、三階儲(chǔ)存單元(Triple Level Cell;TLC)等新一代半導(dǎo)體需求增加,被視為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)新動(dòng)能。 據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)的報(bào)導(dǎo),智慧型手機(jī)的功能高度發(fā)展,讓核心零組件如應(yīng)用處理器(Application Processor;AP)、LPDDR4、UFS、TLC等下一代半導(dǎo)體的需求日漸增加。首先是AP從32位元進(jìn)化到64位元,可望讓多工與資料處理
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 NAND Flash LPDDR4
淡季影響銷售,NAND Flash 供應(yīng)商 Q1 將供過(guò)于求
- 根據(jù) TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新報(bào)告顯示,第四季 NAND Flash 市況雖依舊維持健康水準(zhǔn),但在三星電子、東芝與晟碟各自面臨價(jià)格與產(chǎn)銷端的壓力影響營(yíng)收、及第三季呈現(xiàn)微幅衰退的情況下,品牌供應(yīng)商營(yíng)收僅較第三季成長(zhǎng) 2% 至 87.5 億美元。DRAMeXchange 研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?,因需求端面臨淡季效應(yīng),2015 年第一季整體市況將轉(zhuǎn)為供過(guò)于求,在價(jià)格滑落幅度轉(zhuǎn)趨明顯的情況下,業(yè)者將藉由加速先進(jìn)制程的轉(zhuǎn)進(jìn),改善成本架構(gòu),以減低價(jià)格跌幅的沖擊。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星 東芝
國(guó)際大廠找Mobile RAM貨源 敲開(kāi)與臺(tái)廠合作大門(mén)
- 存儲(chǔ)器廠持續(xù)在eMCP(eMMC結(jié)合MCP封裝)領(lǐng)域擴(kuò)大進(jìn)擊,繼東芝(Toshiba)與南亞科洽談策略聯(lián)盟,新帝(SanDisk)亦傳出首度來(lái)臺(tái)尋找移動(dòng)式存儲(chǔ)器Mobile RAM合作伙伴,考慮與南亞科簽定長(zhǎng)約或包下產(chǎn)能,顯示國(guó)際存儲(chǔ)器大廠亟欲尋找Mobile RAM貨源,并敲開(kāi)與臺(tái)廠合作大門(mén)。 半導(dǎo)體業(yè)者透露,在三星電子和SK海力士主導(dǎo)下,智能型手機(jī)內(nèi)建存儲(chǔ)器規(guī)格從eMMC轉(zhuǎn)為eMCP,原本NAND Flash芯片外加關(guān)鍵零組件Mobile RAM芯片,2015年?yáng)|芝??新帝陣營(yíng)將展開(kāi)大反撲。
- 關(guān)鍵字: NAND Flash Mobile RAM
NAND Flash價(jià)格續(xù)滑 難擺脫供給過(guò)剩困境
- 由于MLC(Multi-Level Cell)NAND Flash供應(yīng)量持續(xù)增加,造成價(jià)格連續(xù)兩個(gè)月下滑,業(yè)界預(yù)期若三星電子(Samsung Electronics)等業(yè)者提高TLC(Triple-Level Cell)NAND Flash生產(chǎn)比重,后續(xù)MLC產(chǎn)品價(jià)格下滑情況恐將更明顯。 根據(jù)韓媒DigitalTimes報(bào)導(dǎo),由于USB、硬碟與記憶卡市場(chǎng)進(jìn)入淡季,加上庫(kù)存堆積,導(dǎo)致NAND Flash價(jià)格走滑,市場(chǎng)供給過(guò)剩情況恐持續(xù)到農(nóng)歷春節(jié)。業(yè)界認(rèn)為目前NAND Flash下滑走勢(shì)雖大部分是受
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 三星
群聯(lián)砸3.8億 入股宇瞻
- 儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片大廠群聯(lián)(8299)昨(19)日宣布,參與記憶體模組廠宇瞻私募,將以每股25.38元、總金額3億8,070萬(wàn)元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為宇瞻最大法人股東,雙方將攜手沖刺工控應(yīng)用固態(tài)硬碟(SSD)市場(chǎng)。 群聯(lián)昨股價(jià)上漲2.5元,收在214.5元;宇瞻下跌0.25元,以31.4元作收。 群聯(lián)斥資約3.8億元,取得宇瞻9.9%股權(quán),成為最大法人股東。圖為群聯(lián)董事長(zhǎng)潘健成。 本報(bào)系資料庫(kù) 分享 上述私募價(jià)格是采依過(guò)去30個(gè)交易日均價(jià)31
- 關(guān)鍵字: 群聯(lián) 宇瞻 NAND Flash
半導(dǎo)體事業(yè)關(guān)鍵時(shí)刻 救了三星的面子與里子
- 三星電子(Samsung Electronics)日前發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào),營(yíng)收止跌回升為52兆韓元(約478.8億美元),其中半導(dǎo)體事業(yè)暨裝置解決方案(DS)事業(yè)部貢獻(xiàn)達(dá)一半以上,可說(shuō)是最大功臣。 據(jù)韓媒ChosunBiz報(bào)導(dǎo),三星電子在1月8日發(fā)布2014年第4季暫定財(cái)報(bào),業(yè)績(jī)終于跌回升,營(yíng)收為52兆韓元,營(yíng)業(yè)利益達(dá)5.2兆韓元。 韓國(guó)KDB大宇證券推估,三星電子DS部門(mén)第4季貢獻(xiàn)營(yíng)業(yè)利益約2.9兆韓元,比IT暨移動(dòng)通訊(IM)事業(yè)部高出1兆韓元左右。第3季DS部門(mén)營(yíng)業(yè)利益(2
- 關(guān)鍵字: 蘋(píng)果 DRAM NAND Flash
創(chuàng)客作品:自制足球游戲解說(shuō)員
- 有時(shí),在小型開(kāi)發(fā)板上分模塊地測(cè)試代碼,要比自己在大腦里想出整個(gè)完整的多模塊應(yīng)用更切實(shí)際。你要做的只是現(xiàn)在就著手,一行一行地編寫(xiě)代碼。 周末我們打算在電子棋盤(pán)游戲系統(tǒng)上開(kāi)發(fā)幾款游戲。我們要做的是將思路轉(zhuǎn)化成實(shí)際的一款游戲,而非只是模糊的設(shè)計(jì)理念或想法。 最終我們打算做一款虛擬足球游戲。假設(shè)您是玩家,請(qǐng)問(wèn)您是否更希望比賽時(shí)有同步的現(xiàn)場(chǎng)解說(shuō)呢?當(dāng)您控制球場(chǎng)上的角色,嘗試攔截、搶球但球卻不小心漏掉時(shí),此時(shí)若恰好出現(xiàn)評(píng)論員或解說(shuō)員的聲音,您是否會(huì)更有身臨其境之感? 我們堅(jiān)信這款游戲定會(huì)很受歡迎
- 關(guān)鍵字: 電子解說(shuō)員 AS3 Flash mp3 Audacity
nor flash介紹
NOR Flash存儲(chǔ)器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]
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