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競(jìng)逐eMMC商機(jī) Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng),2014年,平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待,尤其在中國(guó)大陸銷(xiāo)售的平板電腦中,有90%尚未采用eMMC,這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模,引來(lái)業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
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美光在上海加大研發(fā),實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

  •   2014上海慕尼黑電子展期間,美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門(mén)營(yíng)銷(xiāo)高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》,美光看好中國(guó)的前景,因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保,實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展,注重汽車(chē)產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新,這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合。  目前美光在上海有兩個(gè)設(shè)計(jì)中心,主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì),比如開(kāi)發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品,分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室,旨在與客戶(hù)實(shí)現(xiàn)更好的合作,創(chuàng)新開(kāi)發(fā)各種解決方案。此外美光
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FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

  •   隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善,F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍,敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì),其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求,并且通過(guò)實(shí)際的讀寫(xiě)操作驗(yàn)證
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高速接口Hyper Bus催生讀取最快的NOR閃存

  •   不久前,Spansion?公司宣布推出突破性的Spansion?HyperBus接口,它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商可以部署SpansionHyperBus接口。  另外,Spansion還推出了首個(gè)基于該新接口的產(chǎn)品家族——SpansionHyperFlash?NOR閃存器件,其讀取吞吐量可達(dá)333MB/s,比當(dāng)今市場(chǎng)上可見(jiàn)速度最快的四SPI的5倍還快,引腳數(shù)量卻僅是并行NOR閃存的1/3?! ?jù)Spansion產(chǎn)品與產(chǎn)業(yè)生態(tài)
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基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  •   靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM),簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設(shè)備中,常見(jiàn)的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問(wèn)存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性,SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間,要刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比,SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào),即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?! ?、VDMS16M32芯片介紹  VDSR16M32是一款工作電壓3.3V,16Mbit,32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
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基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

  • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫(xiě)硬件實(shí)現(xiàn)方案,該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制,能夠非常方便地完成Flash的讀寫(xiě)、擦除、刷新及預(yù)充電等操作,同時(shí)編寫(xiě)的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用,作為SOC芯片的功能模塊。
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基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求,但受信道帶寬的限制,無(wú)法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù),因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
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基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過(guò)FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì),同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開(kāi)發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ),從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析,給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟,對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
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提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫(xiě)壽命的方法

  • 在嵌入式設(shè)計(jì)中,許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒(méi)有集 ...
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武漢新芯:定位存儲(chǔ)器制造,兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立,2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng),是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等,XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日,武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字: XMC  存儲(chǔ)器  NOR  NAND  201401  

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

  • 近來(lái)在論壇總是見(jiàn)到一些菜鳥(niǎo)們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”,“我要學(xué)單片機(jī)”,“如何入門(mén)啊?”,“你們?cè)趺催@么厲害,是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問(wèn)題,實(shí)在是看多了也感到煩了,今天,就由我電子白菜厚著面皮,頂著無(wú)數(shù)老蝦的磚頭,在這里寫(xiě)上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得,讓菜鳥(niǎo)們勇敢地跨出第一步。
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ARM11 S3C6410系列教程之四:NANDflash操作

  • 在本章開(kāi)始之前,我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu):
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武漢新芯發(fā)力3D NOR 欲領(lǐng)銜中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體業(yè)

  •   12月12日,工業(yè)和信息化部軟件與集成電路促進(jìn)中心(CSIP)在江蘇南京舉辦以“推動(dòng)整機(jī)與芯片聯(lián)動(dòng),打造集成電路大產(chǎn)業(yè)鏈”為主題的“2013中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)促進(jìn)大會(huì)暨第八屆‘中國(guó)芯’頒獎(jiǎng)典禮”。會(huì)議期間,受邀采訪到來(lái)自武漢新芯董事長(zhǎng)兼總裁王繼增先生。   據(jù)了解,武漢新芯集成電路制造有限公司是建國(guó)以來(lái)湖北省單體投資規(guī)模最大的高科技制造項(xiàng)目,是國(guó)家認(rèn)定的首批重點(diǎn)集成電路生產(chǎn)企業(yè)。主要采用90納米及更高工藝技術(shù)水平生產(chǎn)12英寸存
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AVR的主要特性

  • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
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缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開(kāi)發(fā)方法

  • 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī),不要仿真機(jī)也能方便快速地開(kāi)發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手: 一、盡量使用高級(jí)語(yǔ)言開(kāi) ...
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nor flash介紹

NOR Flash存儲(chǔ)器   NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細(xì) ]

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