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臺內存大廠揮軍日本 直闖工控和車用市場
- 征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內存大廠,終于在日本找到了機會。
- 關鍵字: 內存 NAND Flash
六大NAND Flash廠商:東芝最“吸金”
- 2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐,其中東芝最為亮眼,原因是因為它最漲勢最猛。
- 關鍵字: NAND Flash 東芝 三星
美光咬蘋果大單 力成同樂
- 蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機后,今年底或明年初,將緊接推出Apple Watch智能手表,目前正展開一波拉貨,力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單,力成受惠度看漲,也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 據了解,Apple Watch采用512MB LPDDR3,內建4GB或8GB容量的NAND Flash,美光包辦絕大部分的訂單,而在下游后段封測代工制程方面,目前多半由力成與華東共同負責,由于測試時
- 關鍵字: 蘋果 iPhone 6 NAND Flash
臺IC設計前3季 聯(lián)發(fā)科穩(wěn)居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名
- IC設計第3季財報全數(shù)公布完畢,累計前3季,聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元,穩(wěn)居IC設計每股盈余獲利王,也是稅后凈利獲利王,其次是觸控IC廠F-敦泰(5280-TW),前3季每股稅后盈余為13.67元,排名第二,第三名則是FLASH控制晶片廠群聯(lián)(8299-TW),前3季每股盈余為13.34元,排名第三。 根據公開資訊站資料顯示,聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩(wěn)居IC設計之冠,表現(xiàn)亮眼,顯示行動裝置需求持續(xù)升溫,第3季旺季效應加持發(fā)威下,相關廠商營運表現(xiàn)都相當亮眼,聯(lián)發(fā)科第
- 關鍵字: 聯(lián)發(fā)科 觸控IC FLASH
基于FLASH介質嵌入式存儲方案的設計與實現(xiàn)
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體,具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據不丟失等一系列優(yōu)點,已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質有較大區(qū)別,使用FLASH時必須根據其自身特性,對存儲系統(tǒng)進行特殊設計,以保證系統(tǒng)的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點 FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory),根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
- 關鍵字: FLASH NAND
OEM需求拉貨動能增溫,第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進入出貨旺季的帶動下,eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年,NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健,使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,新制程的嵌入式產品自第三季起成為市場主流,有助于各家業(yè)者成本結構的改善,而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產品的問世,整體N
- 關鍵字: NAND Flash SSD iPhone6
FLASH和反熔絲類型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求,這是與一般的FPGA開發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時,撞擊的能量會改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數(shù)據,使系統(tǒng)運行到無法預知的狀態(tài),從而引起整個系統(tǒng)失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比,在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢,可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務,包括基于反熔絲和閃存技術的FPGA、高性能IP核、軟件開發(fā)工具和設計服務,定位
- 關鍵字: FPGA FLASH 反熔絲
終端需求多元化帶動NAND Flash市場穩(wěn)健增長
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示,由于智能手機、平板電腦等移動裝置需求穩(wěn)健增長,固態(tài)硬盤在筆記本電腦以及服務器與數(shù)據中心的需求增加,而物聯(lián)網應用也將逐漸導入NANDFlash,2015年NANDFlash整體產業(yè)規(guī)模將提升至266億美元,年增長9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2014年NANDFlash需求位增長率為36%,在更多元化的產品開始導入NANDFlash的挹注下,2015年的需求位增長率將依舊有35%。市場趨勢觀察的重
- 關鍵字: NAND Flash 穿戴性裝置
基于ARM7軟中斷程序的設計
- 摘要:本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時,采用SWI軟中斷的方法實現(xiàn)同時寫片外FLASH的例子,詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內核,帶512K字節(jié)的片內FLASH,98k字節(jié)的片內RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU。由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關鍵字: ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
nor flash介紹
NOR Flash存儲器
NOR和NAND是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Intel于1988年首先開發(fā)出NOR flash技術,徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤一樣可以通過接口輕松升級。但是經過了十多年之后,仍然有相當多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存 [ 查看詳細 ]
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