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3D閃存產(chǎn)能大提升!SSD停止?jié)q價
- 今年第三季度,NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態(tài),主要是顆粒廠面向3D工藝的轉(zhuǎn)型步伐較慢,低于預期。 而需求方面,手機、服務器、數(shù)據(jù)中心依然表現(xiàn)強勢。 不過,來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱,在明年,NAND閃存的市場將達到一種穩(wěn)態(tài)局面。其中,供給側(cè)的產(chǎn)能將提升42.9%,而需求側(cè),增長預計在37.7%。 目前在3D閃存方面,三星的轉(zhuǎn)產(chǎn)最為順利,已經(jīng)在Q3開始量產(chǎn)64層堆疊,而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。 據(jù)悉,在明年的所
- 關鍵字: 閃存 SSD
3.5寸硬盤新發(fā)展 未來20TB容量硬盤將改用玻璃碟片制作
- 近幾年來,傳統(tǒng)硬盤在碟片容量密度的發(fā)展趨勢漸緩,當硬盤品牌如希捷與西數(shù)等都不斷推出更大容量的硬盤產(chǎn)品時,單一碟片的儲存容量密度卻不見大幅增長。當兩大硬盤品牌都開始發(fā)展20TB容量產(chǎn)品的同時,玻璃碟片將成為這些大容量3.5寸硬盤的重要元件。 目前玻璃碟片硬盤主要應用在筆電使用的2.5寸傳統(tǒng)硬盤產(chǎn)品,和傳統(tǒng)鋁制碟片比起來,玻璃碟片擁有輕、薄、低噪音和低熱等特性,另外,因為玻璃的光滑特性,也讓玻璃碟片硬盤在運轉(zhuǎn)時比鋁制基板碟片節(jié)省一些能源消耗。 根據(jù)日經(jīng)新聞的報導,來自日本的HOYA公司日前發(fā)表
- 關鍵字: 硬盤 SSD
3.5寸硬盤新發(fā)展 未來20TB容量硬盤將改用玻璃碟片制作
- 近幾年來,傳統(tǒng)硬盤在碟片容量密度的發(fā)展趨勢漸緩,當硬盤品牌如希捷與西數(shù)等都不斷推出更大容量的硬盤產(chǎn)品時,單一碟片的儲存容量密度卻不見大幅增長。當兩大硬盤品牌都開始發(fā)展20TB容量產(chǎn)品的同時,玻璃碟片將成為這些大容量3.5寸硬盤的重要元件。 目前玻璃碟片硬盤主要應用在筆電使用的2.5寸傳統(tǒng)硬盤產(chǎn)品,和傳統(tǒng)鋁制碟片比起來,玻璃碟片擁有輕、薄、低噪音和低熱等特性,另外,因為玻璃的光滑特性,也讓玻璃碟片硬盤在運轉(zhuǎn)時比鋁制基板碟片節(jié)省一些能源消耗。 根據(jù)日經(jīng)新聞的報導,來自日本的HOYA公司日前發(fā)表
- 關鍵字: 硬盤 SSD
三星推出全新便攜式SSD T5,采用64層V-NAND,最高容量達2TB!
- 三星電子有限公司宣布推出三星移動固態(tài)硬盤T5-全新的移動固態(tài)硬盤(PSSD),提升了外部存儲產(chǎn)品的性能標準。 T5采用三星最新的64層V-NAND(垂直NAND)技術和緊湊耐用的設計,具有業(yè)界領先的傳輸速度和加密的數(shù)據(jù)安全性,使消費者更輕松隨時隨地訪問其最有價值的數(shù)據(jù)。 三星電子品牌產(chǎn)品營銷高級副總裁Un-SooKim表示:“三星這些年一直在推動便攜式存儲和固態(tài)硬盤的可行性,移動固態(tài)硬盤T5繼續(xù)保持了領先地位和創(chuàng)新能力。我們相信,T5將通過更快的速度和輕巧而便利的堅固設計,超越
- 關鍵字: 三星 SSD
三星將推更大容量的消費級SSD:單芯片1.5TB
- 近年來,固態(tài)硬盤已經(jīng)成為了許多發(fā)燒友和OEM廠商的標配。但是對于大多數(shù)用戶來說,存儲容量仍然是他們堅守機械硬盤的一個主要原因。好消息是,三星決定用QLC技術加持的NAND存儲芯片,消除SSD與傳統(tǒng)HDD之間的這一容量上的鴻溝。盡管速度上比不過當前市面上常見的TLC產(chǎn)品,但QLC最大的優(yōu)勢就是存儲密度,最終產(chǎn)品中甚至可以封裝進一顆1.5TB的單芯片。 如果在一塊SSD中塞入32顆這樣的芯片,存儲容量可輕松達到48TB——盡管三星早已計劃推出128TB的企業(yè)級SSD,但此類產(chǎn)
- 關鍵字: 三星 SSD
1Tb V-NAND內(nèi)存即將面世
- 三星計劃在明年推出容量達1-Tbit的V-NAND芯片,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤。 三星(Samsung)計劃明年推出容量達1-Tbit的3D-NAND芯片——V-NAND,以及采用其現(xiàn)有芯片的高密度固態(tài)硬盤(SSD)。 該公司并表示,去年發(fā)表的Z-NAND產(chǎn)品也開始出樣,據(jù)稱這款產(chǎn)品能夠達到媲美或超越英特爾(Intel) 3DXP內(nèi)存的低延遲能力。 三星的Tbit NAND可支持高達每秒1.2Gbits的數(shù)據(jù)速率,并在一個堆棧32顆裸晶的封裝中支持高達4
- 關鍵字: V-NAND NVMe
nvme ssd介紹
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