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HOLTEK推出HT24LC128新款大容量串行式EEPROM

  • HOLTEK推出新款串行式EEPROM產(chǎn)品 -- HT24LC128，使用兩線式串行接口，總共有128K位內(nèi)存容量，內(nèi)存架構(gòu)為16384 x 8位。HT24LC128的最快工作頻率為400kHz，工作電
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PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同

  • PIC32單片機(jī)在氣相色譜儀中應(yīng)用方案，軟硬件協(xié)同, 1 主要內(nèi)容1.1課題的目的及意義氣相色譜儀是一個(gè)精密儀器，其用途非常廣泛。他廣泛用于石油、化工、農(nóng)藥、公安、白酒、環(huán)境檢測、衛(wèi)生防疫以及高等院校、科研部門。自1952年世界上第一次創(chuàng)建實(shí)用氣液色譜法以來，在
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是德戰(zhàn)略大調(diào)整 成都儀器服務(wù)中心揭幕

  • 　　3月24日，是德科技成都全功能儀器服務(wù)中心正式開幕。新建成的成都儀器服務(wù)中心將成為是德科技在亞洲最大，同時(shí)也是計(jì)量和維修能力最強(qiáng)的服務(wù)中心。借出席開幕式的機(jī)會，筆者專訪了是德科技高級副總裁、服務(wù)解決方案事業(yè)綜合部總裁John Page先生。　　德科技獨(dú)立一年多之后，開始了大規(guī)模戰(zhàn)略調(diào)整，比如新成立的服務(wù)解決方案事業(yè)綜合部脫胎于之前的售后服務(wù)和維修業(yè)務(wù)，談及此次公司業(yè)務(wù)調(diào)整的初衷，John Page表示，是德科技獨(dú)立之后將整個(gè)公司的戰(zhàn)略從以前偏重于不同產(chǎn)品線的營銷策略，轉(zhuǎn)向基于客戶需求進(jìn)行業(yè)務(wù)整合。從宏
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Flash芯片你都認(rèn)識嗎？

  • 　　Flash存儲器，簡稱Flash，它結(jié)合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù)，具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上，F(xiàn)lash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢?　　為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn)，給大家一個(gè)全新認(rèn)識?！　∫?、IIC?EEPROM　　IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn)：簡單的兩條總線線路，一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
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新一代存儲技術(shù)漸入實(shí)用階段

  • 　　近十年來，在高速成長的非易失性存儲器(NVM)市場的推動下，業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點(diǎn)、比較和研發(fā)進(jìn)展。 　　新一代存儲技術(shù)顯現(xiàn) 　　“多、快、省”特點(diǎn) 　　MRAM是一種非易失性磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力及動態(tài)隨
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意法半導(dǎo)體(ST)推出全球首款內(nèi)置多I2C地址的4焊球WLCSP封裝 EEPROM

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)的M24系列EEPROM存儲器新增四款完全兼容工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)4焊球WLCSP封裝(Wafer Level Chip Scale Package，晶圓級芯片封裝) 的產(chǎn)品，同時(shí)也是首個(gè)準(zhǔn)許在同一條I2C總線上連接兩顆以上4針EEPROM芯片，這是因?yàn)槊靠町a(chǎn)品都有一個(gè)獨(dú)立、內(nèi)部固化連接的I2C地址。因此設(shè)計(jì)人員可以在同一條總線上連接
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【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？

  • 　　PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示： 　　   　　浮柵中沒有電子注入時(shí)，在控制柵加電壓時(shí)，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能。 　　   　　如圖2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極加高壓，電子從源極流向漏極溝道充分開啟。在高壓的作用下，
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【E問E答】EEPROM工作原理是怎樣的？

  • 　　PROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同?！　ROM是可編程器件，主流產(chǎn)品是采用雙層?xùn)?二層poly)結(jié)構(gòu)，其中有EPROM和EEPROM等，工作原理大體相同，主要結(jié)構(gòu)如圖所示：　　浮柵中沒有電子注入時(shí)，在控制柵加電壓時(shí)，浮柵中的電子跑到上層，下層出現(xiàn)空穴。由于感應(yīng)，便會吸引電子，并開啟溝道。如果浮柵中有電子的注時(shí)，即加大的管子的閾值電壓，溝道處于關(guān)閉狀態(tài)。這樣就達(dá)成了開關(guān)功能?！　∪鐖D2所示，這是EPROM的寫入過程，在漏極
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Microchip新型數(shù)模轉(zhuǎn)換器集成EEPROM，可在掉電時(shí)保留設(shè)置

  • 　　全球領(lǐng)先的整合單片機(jī)、混合信號、模擬器件和閃存專利解決方案的供應(yīng)商——Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)日前發(fā)布MCP48FXBXX系列新器件，進(jìn)一步擴(kuò)展其數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)產(chǎn)品線。MCP48FEBXX系列DAC器件一共包含6款新產(chǎn)品，內(nèi)有集成的EEPROM，可在掉電時(shí)保存DAC設(shè)置，而MCP48FVBXX系列則為不需要集成存儲器的應(yīng)用提供了成本更低的另一種選擇。這些低功耗的單通道和雙通道DAC提供8、10和12位分辨率，具有SPI串行接口，采
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用變址尋址原理突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限

  • 　　一般地,EEPROM存儲器(如93C46/56/66系列)的擦寫次數(shù)為10萬次,超過這一極限時(shí),該單元就無法再使用了。但在實(shí)際應(yīng)用中，可能有些數(shù)據(jù)要反復(fù)改寫。這時(shí)，可通過變址尋址的方式來突破EEPROM存儲器的擦寫壽命極限?！　∥覀冇幸粋€(gè)單字節(jié)的數(shù)據(jù)要保存在E2PROM(93C56)中，可按以下方法來做：　　1、將93C56的00H單元定義為地址指針存放單元。　　2、將要尋址的單元地址(假設(shè)為01H)放入93C56的00H地址中?！　?、每次要對E2PROM中的數(shù)據(jù)進(jìn)行讀寫時(shí)，先讀取00H中的數(shù)據(jù)，并
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實(shí)戰(zhàn)經(jīng)驗(yàn)吐血推薦：怎樣在Linux環(huán)境下輕松實(shí)現(xiàn)基于I2C總線的EEPROM驅(qū)動程序

  • 　　1引言 　　I2C (Inter-Integrated Circuit1總線是一種由Philips公司開發(fā)的2線式串行總線，用于連接微控制器及其外圍設(shè)備。它是同步通信的一種特殊形式，具有接口線少、控制方式簡單、器件封裝形式小、通信速率較高等優(yōu)點(diǎn)。在主從通信中，可有多個(gè)I2C總線器件同時(shí)接到I2C總線上，通過地址來識別通信對象。筆者在開發(fā)基于MPC8250的嵌入式Linux系統(tǒng)的過程中發(fā)現(xiàn)I2C總線在嵌入式系統(tǒng)中應(yīng)用廣泛，I2C總線控制器的類型比較多，對系統(tǒng)提供的操作接口差別也很大。與I2C總線相連的
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來IIC，您將看到這些公司的新產(chǎn)品（一）

  • 　　離 IIC2015 秋季展只有一個(gè)月了，對于過去19年以來都有參觀的老工程師來說，去現(xiàn)場參觀一下參觀商，聽幾場重要的研討會，似乎是每年都會盡量安排去做的事。今年是IIC展會第20周年，展會即將來臨之前，在此先向大家推薦多家參展商預(yù)告的產(chǎn)品與技術(shù)，這樣有助于您現(xiàn)場參觀時(shí)更有針對性的去參觀了解。 　　廠商一：聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司(展位號： 3B21) 　　聚辰半導(dǎo)體(上海)有限公司會在現(xiàn)場推廣I2C、SPI和Microwire接口的系列EEPROM產(chǎn)品、OPA產(chǎn)品和鏡頭驅(qū)動芯片。重點(diǎn)展示非接觸射
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意法半導(dǎo)體（ST）世界首款汽車級2Mbit EEPROM讓汽車變得更環(huán)保、更安全

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出業(yè)界首款通過AEC-Q100認(rèn)證的2Mbit EEPROM芯片，為復(fù)雜的汽車系統(tǒng)模塊存儲及管理參數(shù)提供更多的應(yīng)用機(jī)會。 　　提升混合動力汽車、電動汽車或重型卡車發(fā)動機(jī)功率轉(zhuǎn)換效率和環(huán)保性能需要大量使用各種參數(shù)，包括進(jìn)氣量、燃油噴射、廢氣排放量或電池充電信息。同樣地，各種汽車安全應(yīng)用包括安全氣囊、行車記錄儀或制動控制器，均需要存儲并處理大量輸出參數(shù)以執(zhí)行物體檢測、3軸運(yùn)動感測、車輪速度及轉(zhuǎn)向角度等。 　　意法半導(dǎo)體新款M95M02
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華虹半導(dǎo)體最新推出0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺

  • 　　華虹半導(dǎo)體有限公司(「華虹半導(dǎo)體」或「公司」，連同其附屬公司，統(tǒng)稱「集團(tuán)」)今日宣布，最新推出0.11微米超低漏電(Ultra-Low-Leakage，ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺。該工藝平臺作為華虹半導(dǎo)體0.18微米超低漏電技術(shù)的延續(xù)，可為客戶提供一個(gè)完美兼具高性能、低功耗、低成本優(yōu)勢于一身的差異化解決方案。 　　新推出的0.11微米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺支持低至于1.08伏的操作電壓，小于0.2pA/μm的超低漏電。該平臺的存儲器I
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意法半導(dǎo)體(ST)的寬溫串口EEPROM 提升工控和智能照明設(shè)計(jì)的靈活性

  • 　　意法半導(dǎo)體新推出的工業(yè)增強(qiáng)版(Industrial-Plus)串口EEPROM存儲器工作溫度高達(dá)105°C，是市場上存儲容量、總線接口和芯片封裝選擇最齊全的EEPROM存儲器，為設(shè)計(jì)人員更新系統(tǒng)數(shù)據(jù)參數(shù)帶來更多的靈活性，而且無需修改印刷電路板設(shè)計(jì)。 　　34款新產(chǎn)品屬于M24(I2C)系列和M95(SPI)系列，存儲容量從2Kbits到512Kbits，采用引腳兼容的SO8N或TSSOP封裝，可靠性的提升讓采用新產(chǎn)品的設(shè)備能夠在惡劣的溫度環(huán)境下工作。 　　典型目標(biāo)應(yīng)用包括先進(jìn)工業(yè)控制和網(wǎng)絡(luò)
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