新一代存儲技術(shù)漸入實用階段

　　近十年來，在高速成長的非易失性存儲器(NVM)市場的推動下，業(yè)界一直在試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好的存儲器技術(shù)，以替代閃存技術(shù)，更有效地縮小存儲器，提高存儲性能。目前具有突破性的存儲技術(shù)有鐵電RAM(FRAM)、磁性RAM(MRAM)、相變RAM(PRAM)或其他相變技術(shù)。本文將分別介紹這些技術(shù)的特點、比較和研發(fā)進展。

　　新一代存儲技術(shù)顯現(xiàn)

　　“多、快、省”特點

　　MRAM是一種非易失性磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度，基本上可以無限次重復(fù)寫入。其設(shè)計原理非常誘人，它通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達到改變讀取電流大小的目的，從而使其具備二進制數(shù)據(jù)存儲能力。MRAM的主要缺點是固有的寫操作過高和技術(shù)節(jié)點縮小受限。為了克服這兩大制約因素，業(yè)界提出了自旋轉(zhuǎn)移矩RAM(SPRAM)解決方案，這項創(chuàng)新技術(shù)是利用自旋轉(zhuǎn)換矩引起的電流感應(yīng)式開關(guān)效應(yīng)。盡管這一創(chuàng)新方法在一定程度上解決了MRAM的一些常見問題，但還有很多挑戰(zhàn)等待研究人員克服，如自讀擾動、寫次數(shù)、單元集成等。目前，MRAM只局限于4Mb陣列180nm工藝的產(chǎn)品。另外，MRAM的生產(chǎn)成本也是個不小的問題。MRAM研發(fā)可分為三大陣營，除了東芝、海力士之外，三星電子也在進行研發(fā)。

　　PRAM是最好的閃存替代技術(shù)之一，能夠涵蓋不同非易失性存儲器應(yīng)用領(lǐng)域，滿足高性能和高密度兩種應(yīng)用要求。它利用溫度變化引起硫系合金(Ge2Sb2Te5)相態(tài)逆變的特性，利用電流引起的焦耳熱效應(yīng)對單元進行寫操作，通過檢測非晶相態(tài)和多晶相態(tài)之間的電阻變化讀取存儲單元。從應(yīng)用角度看，PRAM可用于所有存儲器，特別適用于消費電子、計算機、通信三合一電子設(shè)備的存儲器系統(tǒng)。常用相變材料晶態(tài)電阻率和結(jié)晶溫度低、熱穩(wěn)定性差，需要通過摻雜來改善性能。目前，人們也在尋找性能更加優(yōu)良的相變材料，以最大限度地發(fā)揮PRAM的優(yōu)越性。

　　FRAM是一種隨機存取存儲器技術(shù)，已成為存儲器家族中最有發(fā)展?jié)摿Φ男鲁蓡T之一。它使用一層有鐵電性的材料取代原有的介電質(zhì)，使得它也擁有像EEPROM一樣的非易失性內(nèi)存的優(yōu)勢，在沒有電源的情況下可以保存數(shù)據(jù)，用于數(shù)據(jù)存儲。FRAM具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。作為非易失性存儲器，F(xiàn)RAM具有接近SRAM和DRAM等傳統(tǒng)易失性存儲器級別的高速寫入速度，讀寫周期只有傳統(tǒng)非易失性存儲器的數(shù)萬分之一，但讀寫耐久性卻是后者的1000萬倍，達到了10萬億次，可實現(xiàn)高頻繁的數(shù)據(jù)紀錄。目前，廠商正在解決由陣列尺寸限制帶來的FRAM成品率問題，進一步提高存儲密度和可靠性。今天，F(xiàn)RAM技術(shù)研發(fā)的主攻方向是130nm工藝的64Mb存儲器。目前，富士通半導(dǎo)體集團控制著FRAM的整個生產(chǎn)程序，在日本有芯片開發(fā)和量產(chǎn)及組裝設(shè)施。

　　逐漸在物聯(lián)

　　醫(yī)療領(lǐng)域應(yīng)用

　　相對傳統(tǒng)存儲技術(shù)，新一代存儲具備自身的優(yōu)勢與特點。以FRAM為例，以“多、快、省”的特點在業(yè)界獨樹一幟，有助于解決應(yīng)用瓶頸，促進產(chǎn)品創(chuàng)新?！岸唷笔侵窮RAM的高讀寫耐久性(10萬億次)的特點，可以頻繁記錄操作歷史和系統(tǒng)狀態(tài);“快”是指高速燒寫特性，可以幫助系統(tǒng)設(shè)計者解決突然斷電丟失數(shù)據(jù)問題;“省”是指FRAM超低功耗的特性，特別是寫入時無需升壓。

　　將照相機實拍的一張照片分別存儲到EEPROM和FRAM中，直觀比較圖像數(shù)據(jù)寫入過程中EEPROM和FRAM的性能差異?？梢园l(fā)現(xiàn)使用并口傳輸數(shù)據(jù)，F(xiàn)RAM存儲數(shù)據(jù)用了約0.19秒，而EEPROM用了約6.23秒;FRAM存儲數(shù)據(jù)的比特率約為808kB/s，而EEPROM存儲數(shù)據(jù)的比特率約為24kB/s;功耗方面，F(xiàn)RAM約為0.4mW，而EEPROM約為61.7mW。FRAM的快速讀寫和超低功耗特性顯而易見。

　　過去幾年，富士通FRAM在中國的電力儀表(三相表和集中器)、工業(yè)控制、辦公設(shè)備、汽車音響導(dǎo)航儀器、游戲機、RFID、醫(yī)療器械及醫(yī)療電子標簽等行業(yè)取得了可喜成績。其FRAM主要包括三大類(單體FRAM、RFID和內(nèi)嵌FRAM的認證芯片)，在很多產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了批量應(yīng)用，并促成了大量的創(chuàng)新應(yīng)用案例。

　　不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，而存儲器市場需要更高密度、更高速度、更低功耗、具有非易失性且價格便宜的存儲器產(chǎn)品，所以由消費類產(chǎn)品驅(qū)動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術(shù)。