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消息稱聯(lián)想與NEC達(dá)成合資協(xié)議

  •   北京時(shí)間1月26日早間消息,據(jù)日本《日經(jīng)產(chǎn)業(yè)新聞》報(bào)道,聯(lián)想與NEC已經(jīng)達(dá)成合資協(xié)議,共同成立一家PC企業(yè)。這一消息將于本周四正式宣布。   新的合資公司將整合兩家公司的PC研發(fā)、生產(chǎn)和零部件采購業(yè)務(wù)。按照協(xié)議,聯(lián)想將持有NEC下屬的NEC個(gè)人產(chǎn)品公司51%的股份,而NEC將把所有PC業(yè)務(wù)轉(zhuǎn)移至新公司?! ?/li>
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DRAM內(nèi)存價(jià)格接近谷底

  •   來自存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技的消息稱,1月上半個(gè)月DRAM期貨價(jià)已經(jīng)接近谷底,下半個(gè)月價(jià)格可能持平或繼續(xù)小幅下滑,然后在二季度開始回漲。   本月初,2GB DDR3內(nèi)存價(jià)格下降5-6%,平均價(jià)格在17美元,最低16美元。雖然價(jià)格仍舊呈下降趨勢,但速率已經(jīng)非常緩慢,不像之前那樣出現(xiàn)10%甚至以上的滑坡。  
  • 關(guān)鍵字: Intel  DRAM  

互聯(lián)網(wǎng)在創(chuàng)新中發(fā)展

  •  ???在中國互聯(lián)網(wǎng)e峰會(huì)暨第27次中國互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)發(fā)展?fàn)顩r統(tǒng)計(jì)報(bào)告發(fā)布會(huì)上,英特爾中國區(qū)總裁楊敘發(fā)表主題為“互聯(lián)網(wǎng)﹒在創(chuàng)新中發(fā)展”的演講,闡述了新一代個(gè)性化互聯(lián)網(wǎng)的本質(zhì)特征及產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新機(jī)遇。   
  • 關(guān)鍵字: 互聯(lián)網(wǎng)  IT  PC  低功耗  

聯(lián)想或收購NEC 整合傳聞已引起同行警惕

  •   聯(lián)想集團(tuán)可能正在借一項(xiàng)整合案啃下壁壘森嚴(yán)的日本PC市場。  
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瑞薩開發(fā)出在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)

  •   瑞薩電子開發(fā)出了利用與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝相近的方法在邏輯LSI中混載DRAM的技術(shù)。該項(xiàng)技術(shù)面向28nm工藝以后的產(chǎn)品,瑞薩電子將把該工藝的SoC(System on a Chip)生產(chǎn)全面委托給代工企業(yè)。 
  • 關(guān)鍵字: 瑞薩  DRAM  CMOS  

瑞薩電子推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的存儲(chǔ)器產(chǎn)品

  •   瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡稱瑞薩電子)于2011年1月18日正式宣布推出5款面向網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的高速存儲(chǔ)器產(chǎn)品576Mb(Mbit)低時(shí)延 DRAM,品名分別為μPD48576109、μPD48576118、μPD48576209、μPD48576218、μPD48576236。新產(chǎn)品將于即日起提供樣品。   與公司原有288Mb 低時(shí)延DRAM“μPD48288236”產(chǎn)品相比,新產(chǎn)品最大的特點(diǎn)是其存儲(chǔ)容量提升至原有產(chǎn)品的2倍,實(shí)現(xiàn)了大容量化。此
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爾必達(dá)擬漲DRAM價(jià)格

  •   日本經(jīng)濟(jì)新聞報(bào)導(dǎo)指出,日廠爾必達(dá)(Elpida)有意于2011年1月中旬調(diào)漲DRAM價(jià),據(jù)國內(nèi)外PC業(yè)者的說法,其要求的漲幅約10%。   
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晶體管PC參數(shù)測量儀DIY詳解

  • 趁長假期間,用洞洞板作了一個(gè)PC機(jī)晶體管圖示參數(shù)測試儀。用了一天半的時(shí)間,搭測試電路和PC機(jī)聯(lián)調(diào)程序測試DAC ...
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DRAM風(fēng)雨飄搖之后的希望

  •   據(jù)市調(diào)公司iSuppli研究,預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑,全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮,盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會(huì)。  
  • 關(guān)鍵字: DRAM  智能手機(jī)  

2011年DRAM市場將失去勢頭

  •   據(jù)iSuppli公司,預(yù)計(jì)2011年DRAM平均銷售價(jià)格(ASP)大幅下滑,全球DRAM銷售額也將隨之急劇萎縮,盡管智能手機(jī)和平板電腦領(lǐng)域存在強(qiáng)勁的增長機(jī)會(huì)。   2011年全球DRAM銷售額預(yù)計(jì)下降至355億美元,比2010年的403億美元減少11.8%。這種兩位數(shù)的下滑幅度,與2010年形成鮮明對(duì)比。2010年全球DRAM銷售額比2009年劇增77.5%。如圖2所示,2011年以后的幾年,DRAM銷售額的波動(dòng)也較大,在ASP持續(xù)下滑的情況下,銷售額趨于下降。   DRAM是游戲機(jī)和臺(tái)式電腦及筆
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基于PC+PLC等離子熔射自動(dòng)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

  •  1 引言  等離子熔射由于其溫度高且能量集中,能夠熔射金屬、陶瓷或復(fù)合材料的特點(diǎn)在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應(yīng)用[1-2]。為了保證熔射皮膜成形性與成形質(zhì)量,必須在數(shù)字圖像處理、過程控制、
  • 關(guān)鍵字: 控制系統(tǒng)  設(shè)計(jì)  自動(dòng)  等離子  PC  PLC  基于  

臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無效

  •   DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元,跌幅高達(dá)70%,力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨,透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài),存儲(chǔ)器業(yè)者表示,由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空間,即便臺(tái)廠現(xiàn)在就采用40納米制程生產(chǎn),亦只能勉強(qiáng)微幅賺錢,更何況臺(tái)廠目前制程幾乎都在50及60納米世代,因此,臺(tái)DRAM廠不僅2010年第4季虧損將持續(xù)擴(kuò)大,2011年第1季亦將再鳴虧損悲歌。   
  • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)憂多于喜

  •   2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾,年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元,但年底卻跌到1美元;但以獲利來看,2010年只有力晶和瑞晶有賺錢,南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢,南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故,沒有掌握到年初報(bào)價(jià)上漲的機(jī)會(huì),年底雖然成功轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米,但報(bào)價(jià)已呈現(xiàn)溜滑梯狀態(tài)。   
  • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

瑞晶宣布暫停出貨給力晶

  •   瑞晶31日公告,由于主要大客戶兼母公司力晶的帳款逾期未付,因此即日起暫停出貨給力晶;力晶表示,由于DRAM價(jià)格不佳,在財(cái)務(wù)上規(guī)畫保守,目前正與爾必達(dá)(Elpida)和瑞晶3方協(xié)商當(dāng)中;瑞晶則表示,將與力晶協(xié)議針對(duì)保障瑞晶債權(quán)的方案。   
  • 關(guān)鍵字: 瑞晶  DRAM  

臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)最大問題不在匯率而在售價(jià)

  •   臺(tái)灣央行總裁彭淮南面對(duì)這一波新臺(tái)幣強(qiáng)勢升值,采取匯市收盤價(jià)力守30元的作法,外界開始出現(xiàn)匯價(jià)失真的爭議,但彭淮南這次直接挑明表示,臺(tái)灣和韓國在科技產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)品雷同度高,匯率過度升值會(huì)影響出口商的競爭力;與韓國處于高度競爭的DRAM廠表示,若新臺(tái)幣升值幅度高于韓元,與三星電子(Samsung Electronics)競爭上的確區(qū)居下風(fēng),不過臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)有很大一塊問題是自己的技術(shù)和財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu),匯率是影響競爭力因素之一,但絕不是影響臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)競爭力的最關(guān)鍵因素,主要因素還是在售價(jià)。   
  • 關(guān)鍵字: 力晶  DRAM  
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