pc-dram 文章 進入pc-dram技術(shù)社區(qū)
DRAM內(nèi)存芯片成本遭遇近4年來首次上漲
- 市場調(diào)研iSuppli近期發(fā)布報告稱,今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本遭遇了自2006年三季度以來的首次上漲,這也引發(fā)了外界對于廠商在內(nèi)存芯片生產(chǎn)花費支出的擔(dān)憂。從2005年開始,內(nèi)存芯片的生產(chǎn)成本就大致以平均每季度9.2%的幅度在下降。然而今年二季度的每Gb DRAM芯片的平均價格卻達到了2.03美元,相比上一季度的2.00美元小幅上漲。雖然價格上漲幅度非常小,但這完全顛覆了之前沿襲的規(guī)律。 其實,二季度內(nèi)存芯片生產(chǎn)成本的上漲也并不是忽然至來。從2009年三季度開始,DRAM芯片季度生產(chǎn)成
- 關(guān)鍵字: DRAM 內(nèi)存芯片
日圓強升 內(nèi)存廠更仰賴臺廠
- 日圓兌美元匯率強勢升值,創(chuàng)近15年來新高;臺灣存儲器業(yè)者表示,日圓走勢對日系廠商營運勢必產(chǎn)生壓力,未來將更仰賴臺灣合作伙伴。 日本兩大半導(dǎo)體廠在全球市場占有舉止輕重的影響力,其中爾必達 (Elpida)今年第2季在全球動態(tài)隨機存取內(nèi)存 (DRAM)市場占有率為18%,是全球第3大DRAM廠。 東芝(Toshiba)今年第2季在全球儲存型閃存(NAND Flash)市場占有率達33.1%,僅次于韓國三星,居全球第2大廠地。 南亞科技副總經(jīng)理白培霖指出,日圓急遽升值,對日本內(nèi)存廠爾必達及
- 關(guān)鍵字: 內(nèi)存 DRAM
三星擬以高性能、低耗電半導(dǎo)體主導(dǎo)市場
- 三星電子(Samsung Electronics)表示,智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)等革新性行動裝置制作成實體的過程中,對高性能、低耗電半導(dǎo)體的需求也正逐漸增加,因此三星計劃以性能提升,且減少耗電量的半導(dǎo)體產(chǎn)品主導(dǎo)市場。 三星祭出Smart and Green Plus策略,不僅致力于開發(fā)高性能、低耗電的半導(dǎo)體,同時也將配合世界各國的能源節(jié)約等親環(huán)境政策推動三星的差異化解決方案。 做為新策略的一環(huán),三星自2009年起便與服務(wù)器業(yè)者共同推動綠色存儲器活
- 關(guān)鍵字: 三星 半導(dǎo)體 DRAM
Gartner上調(diào)全球半導(dǎo)體營收預(yù)期至3000億
- Gartner現(xiàn)在預(yù)計今年全球半導(dǎo)體營收將達到3000億美元,比去年增長31.5%。它之前預(yù)計今年半導(dǎo)體營收的增幅只有27.1%。包括手機和筆記本電腦在內(nèi)的消費者電子產(chǎn)品在半導(dǎo)體銷售中占大多數(shù)份額。手機出貨量持續(xù)增長將推動半導(dǎo)體營收的增長,而電腦出貨量增長速度的減慢將被平板電腦銷售的增長所抵消。 Gartner表示,盡管個人電腦銷售速度減慢,但今年NAND閃存和DRAM的營收仍將增長。DRAM營收今年將增長82.5%,幾乎達到420億美元,但它可能會從明年下半年開始減慢增長速度。Gartner預(yù)
- 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體 DRAM NAND
三星拉大DRAM制程差距 臺廠須盡速導(dǎo)入40納米
- 臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕,在半導(dǎo)體趨勢論壇中,摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語,認為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流,且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力,臺系DRAM廠,包括南亞科、華亞科等,必須盡快提升50納米制程的良率,且轉(zhuǎn)進40納米制程世代,才會具有成本競爭力。 三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào),使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫,臺系D
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM 40納米
分析稱臺系DRAM廠明年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM Flash
DRAM銷售將于后年衰退近三成
- 國際研究暨顧問機構(gòu)顧能(Gartner)今(1)日指出,動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)產(chǎn)業(yè)景氣盛況將在明年下半年改變,至2012年銷售恐將衰退近三成。 顧能表示,由于初期PC市場表現(xiàn)強勁和供應(yīng)減少,使DRAM產(chǎn)業(yè)獲利看漲,今年收益逼近420億美元,較預(yù)期獲利高出82.5%,出現(xiàn)戲劇性成長和變化;惟至2011年下半年將有所轉(zhuǎn)變,2012年的銷售恐將衰退29%。 不過,快閃存儲器市場在智能型手機和平版媒體強勁的銷售帶動下,收益至2013年皆會維持原有的成長。
- 關(guān)鍵字: DRAM 閃存
分析稱臺系DRAM廠2011年可望大幅增長
- 據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門 DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報告指出,在臺系 DRAM 廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。 南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRA
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM Flash
臺系DRAM廠的轉(zhuǎn)型與挑戰(zhàn)
- 根據(jù)集邦科技 (TRENDFORCE)旗下研究部門DRAMeXchange最新研究報告指出,臺系DRAM廠中,南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進兩大因素,使產(chǎn)出可能大幅成長年增率150%。南科除今年將12吋月產(chǎn)能從3萬6千片提升至5萬片,明年上半年可達6萬片,華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬片提升至滿載產(chǎn)能13萬片,同時南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進及明年轉(zhuǎn)進42nm,預(yù)計明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長率居全球之冠,以品牌銷售顆料計,南科明年將成為臺灣DRAM廠之冠。
- 關(guān)鍵字: 南科 DRAM Flash
分析稱三星或超英特爾成為第一大芯片廠商
- 市場研究公司IC Insights日前預(yù)計,三星的芯片銷售額或?qū)⒃?014年超越英特爾。 基于廣泛的芯片產(chǎn)品及擴張計劃,三星的芯片營收將很快超過英特爾,成為第一大芯片廠商。IC Insights認為,在5到10年前,三星芯片營收將趕超英特爾的想法簡直就是天方夜譚,但從1999年到2009年,三星IC營收以13.5%年復(fù)合 增長率(compound annual growth rate)的速度增長,而英特爾同期的年復(fù)合增長率僅為3.4%?;诖嗽鲩L速率,IC Insights預(yù)計,三星的芯片銷售額
- 關(guān)鍵字: 三星芯片 DRAM NAND
份額再漲 三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM內(nèi)存市場
- 雖然在美國液晶電視市場的領(lǐng)先優(yōu)勢遭到蠶食,但三星在DRAM顆粒高級制造工藝上的投資就得到了回報。根據(jù)市場調(diào)研公司iSuppli發(fā)布的二季度DRAM市場統(tǒng)計報告,三星在保持DRAM市場老大位置的同時繼續(xù)擴大了自家市場份額。全球DRAM市場二季度收入為108億美元,相比一季度的94億美元上漲14.4%;DRAM出貨量按位計算增長近5%,平均價格增長9%。 三星該季度DRAM收入38億美元,和上一季度的31億美元相比增長24.3%,為前五大DRAM供應(yīng)商中增速最快。三星該季度的DRAM市場份額為35.
- 關(guān)鍵字: 液晶電視 DRAM
來自美國硅谷的信息(下)
- 不要忽略驗證工具 Mentor Graphics副總裁兼總經(jīng)理Joseph Sawicki介紹了他們的最新產(chǎn)品,版圖的寄生參數(shù)提取工具Calibre xACT 3D,Joseph稱,以往此類工具在提取器件的寄生參數(shù)時都是二維的,即對器件的幾何坐標(biāo)進行標(biāo)示和記錄從而確定寄生參數(shù),而Calibre xACT 3D則是提取單個器件以及不同器件之間的三維空間信息,這樣所得到的寄生參數(shù)當(dāng)然更精確。 八仙過海,鏖戰(zhàn)消費電子 電子產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇已經(jīng)成為不爭的事實,眾廠商怎么在這第二輪增長中挖到自己
- 關(guān)鍵字: Mentor USB接口 DRAM 存儲器 201008
舉債擴產(chǎn) 非臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)生存之道
- 過去臺灣在DRAM產(chǎn)業(yè)上的主要技術(shù)合作來源包括日本、美國、南韓和德國,這幾大陣營各自在制程技術(shù)上有很大差別,最大差別在于德系業(yè)者采用溝槽式(Trench)制程技術(shù),在這一波金融風(fēng)暴洗禮之下,成為被淘汰的陣營。 當(dāng)年各廠面臨溝槽式和堆棧式(Stack)技術(shù)的十字路口時,日系東芝(Toshiba)、德系西門子(Siemens)和美系IBM都決定選擇發(fā)展溝槽式技術(shù),其它像是恩益禧(NEC)、三菱(Mitsubishi)、日立(Hitachi)、三星電子(Samsung Electronics)和海力士
- 關(guān)鍵字: 三星電子 DRAM
pc-dram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條pc-dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對pc-dram的理解,并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對pc-dram的理解,并與今后在此搜索pc-dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473