三星拉大DRAM制程差距　臺廠須盡速導(dǎo)入40納米

　　臺灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕，在半導(dǎo)體趨勢論壇中，摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對未來DRAM市場發(fā)出警語，認(rèn)為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流，且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力，臺系DRAM廠，包括南亞科、華亞科等，必須盡快提升50納米制程的良率，且轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代，才會具有成本競爭力。

　　三星電子(Samsung Electronics)日前對于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào)，使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫，臺系DRAM廠商8日股價也以大跌回應(yīng)。就三星目前46納米開始量產(chǎn)，且35納米制程年底前小量產(chǎn)出，2011年躍升為主流制程的進(jìn)度來看，臺系DRAM廠的技術(shù)進(jìn)度令人擔(dān)憂。

　　王安亞在半導(dǎo)體趨勢論壇中表示，三星仍存在持續(xù)擴(kuò)大全球DRAM市場的企圖心，因此積極大量投資擴(kuò)產(chǎn)，并提升制程技術(shù)，目的在于進(jìn)一步拉大與競爭對手的差距，預(yù)計三星全球DRAM市占率突破40%門檻指日可待。

　　反觀臺系DRAM廠進(jìn)度，南亞科和華亞科目前雖然50納米良率逐漸提升，且產(chǎn)能開始增加，但必須加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代，才有機(jī)會趕上這一波存儲器產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的尾聲。

　　而從DRAM價格來看，王安亞也對2011年的價格走勢看法保守，以過去10年的歷史經(jīng)驗，平均每年下跌30%幅度，但2009年卻逆勢上漲4倍來看，預(yù)期接下來DRAM價格難逃跌勢，預(yù)計會下跌到2011年。