三星拉大DRAM制程差距 臺(tái)廠須盡速導(dǎo)入40納米
臺(tái)灣國際半導(dǎo)體展(SEMICON Taiwan 2010)于8日正式開幕,在半導(dǎo)體趨勢論壇中,摩根士丹利證券執(zhí)行董事王安亞針對(duì)未來DRAM市場發(fā)出警語,認(rèn)為未來2Gb產(chǎn)品將成為DRAM市場主流,且未來以40納米制程生產(chǎn)的2Gb將最具競爭力,臺(tái)系DRAM廠,包括南亞科、華亞科等,必須盡快提升50納米制程的良率,且轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代,才會(huì)具有成本競爭力。
本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/112512.htm三星電子(Samsung Electronics)日前對(duì)于2010年下半DRAM市場發(fā)出供過于求的悲觀論調(diào),使得全球DRAM產(chǎn)業(yè)大幅受挫,臺(tái)系DRAM廠商8日股價(jià)也以大跌回應(yīng)。就三星目前46納米開始量產(chǎn),且35納米制程年底前小量產(chǎn)出,2011年躍升為主流制程的進(jìn)度來看,臺(tái)系DRAM廠的技術(shù)進(jìn)度令人擔(dān)憂。
王安亞在半導(dǎo)體趨勢論壇中表示,三星仍存在持續(xù)擴(kuò)大全球DRAM市場的企圖心,因此積極大量投資擴(kuò)產(chǎn),并提升制程技術(shù),目的在于進(jìn)一步拉大與競爭對(duì)手的差距,預(yù)計(jì)三星全球DRAM市占率突破40%門檻指日可待。
反觀臺(tái)系DRAM廠進(jìn)度,南亞科和華亞科目前雖然50納米良率逐漸提升,且產(chǎn)能開始增加,但必須加快腳步轉(zhuǎn)進(jìn)40納米制程世代,才有機(jī)會(huì)趕上這一波存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇的尾聲。
而從DRAM價(jià)格來看,王安亞也對(duì)2011年的價(jià)格走勢看法保守,以過去10年的歷史經(jīng)驗(yàn),平均每年下跌30%幅度,但2009年卻逆勢上漲4倍來看,預(yù)期接下來DRAM價(jià)格難逃跌勢,預(yù)計(jì)會(huì)下跌到2011年。
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