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圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力

圓滿收官！紫光國(guó)芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實(shí)力2024年7月8日至10日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司（簡(jiǎn)稱：紫光國(guó)芯，證券代碼：874451）精彩亮相慕尼黑上海電子展。紫光國(guó)芯聚焦人工智能、高性能計(jì)算、汽車電子、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等重點(diǎn)領(lǐng)域，為客戶提供全方面的存儲(chǔ)產(chǎn)品及相關(guān)技術(shù)解決方案。展會(huì)現(xiàn)場(chǎng)重點(diǎn)展示了DRAM存儲(chǔ)系列產(chǎn)品、SeDRAM?技術(shù)和CXL技術(shù)、新品牌云彣（UniWhen?）和SSD產(chǎn)品系列。128Mb PSRAM，新一代DRAM KGD產(chǎn)品系列DRAM KGD展區(qū)首次展示了紫
關(guān)鍵字：紫光國(guó)芯慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL

近日，西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“西安紫光國(guó)芯”）在VLSI 2023技術(shù)與電路研討會(huì)上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公開(kāi)發(fā)表了技術(shù)論文——《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多層陣列 DRAM》（135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch H
關(guān)鍵字：西安紫光國(guó)芯 SeDRAM

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