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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝

三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號(hào)承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時(shí)在性能、健康追蹤和用戶體驗(yàn)方面實(shí)現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實(shí)驗(yàn)室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對(duì)其進(jìn)行拆解和詳細(xì)的技術(shù)分析。敬請(qǐng)期待我們對(duì)Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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拜登政府恐對(duì)中國(guó)大陸封鎖最強(qiáng)GAA技術(shù)

美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國(guó)將再次出手打擊大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，針對(duì)最新的環(huán)繞閘極場(chǎng)效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國(guó)將防堵大陸取得先進(jìn)芯片，擴(kuò)大受管制的范圍。美國(guó)財(cái)經(jīng)媒體引述知情人士消息報(bào)導(dǎo)，拜登政府考慮新一波的半導(dǎo)體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進(jìn)而增強(qiáng)軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進(jìn)一步說(shuō)明，且不清楚官員何時(shí)會(huì)宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進(jìn)半導(dǎo)體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺(tái)積電則從2納米
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗：3nm GAA工藝仍存缺陷

最新報(bào)道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，原計(jì)劃搭載于Galaxy S25/S25+手機(jī)的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過(guò)程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴(yán)重缺陷，導(dǎo)致良品率直接跌至0%。報(bào)道詳細(xì)指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問(wèn)題，未能通過(guò)三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測(cè)。這不僅影響了Galaxy S25系列手機(jī)的生產(chǎn)計(jì)劃，還導(dǎo)致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無(wú)法如期進(jìn)入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計(jì)劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級(jí)之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問(wèn)號(hào)

2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報(bào)道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問(wèn)題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機(jī)的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報(bào)道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過(guò)質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無(wú)法量產(chǎn)。此前報(bào)道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時(shí)引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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臺(tái)積電2nm制程進(jìn)展順利晶圓廠最快4月進(jìn)機(jī)

臺(tái)積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點(diǎn)隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計(jì)劃在2025年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準(zhǔn)備，以確保按計(jì)劃順利量產(chǎn)。臺(tái)積電進(jìn)入GAA時(shí)代的2nm制程進(jìn)展順利，最新援引供應(yīng)鏈合作伙伴的消息報(bào)道稱，位于新竹科學(xué)園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進(jìn)行無(wú)塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動(dòng)設(shè)備安裝工作，相關(guān)動(dòng)線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計(jì)劃在2025年開始制造采用此項(xiàng)技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預(yù)定
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臺(tái)積電2納米驚爆大弱點(diǎn)？三星搶訂單

臺(tái)積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來(lái)勢(shì)洶洶，但臺(tái)積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢(shì)，尤其三星至今在3納米方面，依然無(wú)法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺(tái)積電在2納米轉(zhuǎn)進(jìn)GAA技術(shù)，三星還是得向臺(tái)積電看齊學(xué)習(xí)。即使如此，三星也打算透過(guò)低價(jià)策略搶市，與臺(tái)積電做出差別。綜合外媒報(bào)導(dǎo)，三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時(shí)間也比臺(tái)積電早數(shù)個(gè)月，但在良率與技術(shù)上無(wú)法獲得客戶青睞，蘋果、輝達(dá)等科技巨頭的大單仍在臺(tái)積電手上，臺(tái)積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)

日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測(cè)量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識(shí)，在那里占有最大的市場(chǎng)份額。GT2000配備了用于尖端3D半導(dǎo)體器件的新型檢測(cè)系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點(diǎn)測(cè)量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級(jí)半導(dǎo)體器件制造過(guò)程中的高精度、高速測(cè)量和檢測(cè)，這些半導(dǎo)體器件正變得越來(lái)越小型化和復(fù)雜化，并有助
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GAA技術(shù)才開始，半導(dǎo)體大廠已著手研發(fā)下一代CFET技術(shù)

外媒eNewsEurope報(bào)道，英特爾和臺(tái)積電將在國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）公布垂直堆疊式（CFET）場(chǎng)效晶體管進(jìn)展，這有望使CFET成為十年內(nèi)最可能接替全環(huán)繞柵極晶體管（GAA）的下一代先進(jìn)制程。CFET場(chǎng)效晶體管將n和p兩種MOS元件堆疊在一起，以實(shí)現(xiàn)更高的密度。該項(xiàng)技術(shù)最初由比利時(shí)微電子研究中心（IMEC）于2018年所提出的。雖然，大多數(shù)早期研究以學(xué)術(shù)界為主，但英特爾和臺(tái)積電等半導(dǎo)體企業(yè)現(xiàn)在已經(jīng)開始這一領(lǐng)域的研發(fā)，借此積極探索這種下一代先進(jìn)晶體管技術(shù)。英特爾表示，研究員建構(gòu)一個(gè)單片3DCFET，
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三星向外界公布 GAA MBCFET 技術(shù)最新進(jìn)展

三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導(dǎo)體展會(huì) ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術(shù)的最新進(jìn)展以及對(duì) SRAM 設(shè)計(jì)的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結(jié)構(gòu)。晶體管是電子電路的組成部分，起到開關(guān)的作用，也就是當(dāng)門極施加電壓時(shí)，電流在源極和漏極之間通過(guò)通道流動(dòng)。在晶體管設(shè)計(jì)的優(yōu)化過(guò)程中，有三個(gè)關(guān)鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結(jié)構(gòu)也從平面晶
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三星電子：目標(biāo)到 2027 年將芯片代工廠產(chǎn)能提高三倍以上

IT之家 10 月 21 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，三星電子 10 月 20 日在首爾江南區(qū)舉行了 2022 年三星代工論壇。該公司代工業(yè)務(wù)部技術(shù)開發(fā)部副總裁 Jeong Ki-tae 表示，三星電子今年在世界范圍內(nèi)首次成功地量產(chǎn)了基于 GAA 技術(shù)的 3 納米芯片，與 5 納米芯片相比，3 納米芯片的功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面積減少了 16%。三星電子還計(jì)劃不遺余力地?cái)U(kuò)大其芯片代工廠的生產(chǎn)能力，其目標(biāo)是到 2027 年將其生產(chǎn)能力提高三倍以上。為此，這家芯片
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三星公布3納米GAA架構(gòu)制程技術(shù)芯片開始生產(chǎn)

2022年6月30日，作為先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)廠商之一的三星電子今日宣布, 基于3納米（nm）全環(huán)繞柵極（Gate-All-AroundT,簡(jiǎn)稱 GAA）制程工藝節(jié)點(diǎn)的芯片已經(jīng)開始初步生產(chǎn)。較三星5納米（nm）而言，優(yōu)化的3納米（nm）工藝，性能提高23%，功耗降低45%，芯片面積減少16%三星電子首次實(shí)現(xiàn)GAA"多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管"（簡(jiǎn)稱: MBCFETTM Multi-Bridge-Channel FET）應(yīng)用打破了FinFET技術(shù)的性能限制，通過(guò)降低工作電壓水平來(lái)提高
關(guān)鍵字：三星 3納米 GAA

揭秘3nm/2nm工藝的新一代晶體管結(jié)構(gòu)

GAA FET將取代FinFET，但過(guò)渡的過(guò)程將是困難且昂貴的。
關(guān)鍵字： 3nm FinFET GAA FET 晶體管

臺(tái)積電2nm制程研發(fā)取得突破將切入GAA技術(shù)

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，臺(tái)積電沖刺先進(jìn)制程，在2nm研發(fā)有重大突破，已成功找到路徑，將切入環(huán)繞式柵極技術(shù)(gate-all-around，簡(jiǎn)稱GAA)技術(shù)。臺(tái)積電臺(tái)媒稱，三星已決定在3nm率先導(dǎo)入GAA技術(shù)，并宣稱要到2030年超過(guò)臺(tái)積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺(tái)積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術(shù)重大突破，成功找到切入GAA路徑。臺(tái)積電負(fù)責(zé)研發(fā)的資深副總經(jīng)理羅唯仁，還為此舉辦慶功宴，感謝研發(fā)工程師全心投入。臺(tái)積電3nm制程預(yù)計(jì)明年上半年在南科18廠P4廠試產(chǎn)、2022年量產(chǎn)，業(yè)界以
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 2nm GAA

看看國(guó)外廠商正在發(fā)力研究的這些新技術(shù)

　　每年十二月，在美國(guó)舊金山或華盛頓哥倫比亞特區(qū)其中一處舉行的年度電子會(huì)議。此會(huì)議作為一個(gè)論壇，在其中報(bào)告半導(dǎo)體、電子元件技術(shù)、設(shè)計(jì)、制造、物理與模型等領(lǐng)域中的技術(shù)突破。這個(gè)會(huì)會(huì)議就是IEEE國(guó)際電子元件會(huì)議(International Electron Devices Meeting，縮寫：IEDM)　　在每一界的IEDM上，全球工業(yè)界與學(xué)界的管理者、工程師和科學(xué)家將會(huì)聚集在一起討論納米級(jí)CMOS晶體管技術(shù)、先進(jìn)內(nèi)存、顯示、感測(cè)器、微機(jī)電系統(tǒng)元件、新穎量子與納米級(jí)規(guī)模元件、粒子物理學(xué)現(xiàn)象、光電工程、
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