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三星向外界公布 GAA MBCFET 技術最新進展

• 三星 Foundry 在 5 月 9 日的以色列半導體展會 ChipEx2023 上公布了旗下 3nm GAA MBCFET 技術的最新進展以及對 SRAM 設計的影響。3納米GAA MBCFET的優(yōu)越性GAA指的是晶體管的結構。晶體管是電子電路的組成部分，起到開關的作用，也就是當門極施加電壓時，電流在源極和漏極之間通過通道流動。在晶體管設計的優(yōu)化過程中，有三個關鍵變量：性能、功耗和面積（PPA）。晶體管制造商一直在不斷追求更高的性能、更低的功耗要求和更小的面積。隨著晶體管尺寸的縮小，它們的結構也從平面晶
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