分析稱(chēng)臺(tái)系DRAM廠2011年可望大幅增長(zhǎng)

　　據(jù)集邦科技(TRENDFORCE)旗下研究部門(mén) DRAMeXchange 日前發(fā)布研究報(bào)告指出，在臺(tái)系 DRAM 廠中，南科以及華亞科在明年將有產(chǎn)能提升及制程轉(zhuǎn)進(jìn)兩大因素，使產(chǎn)出可能大幅成長(zhǎng)年增率150%。

　　南科除今年將12寸月產(chǎn)能從3萬(wàn)6千片提升至5萬(wàn)片，明年上半年可達(dá)6萬(wàn)片，華亞科也由今年平圴月產(chǎn)能不及10萬(wàn)片提升至滿(mǎn)載產(chǎn)能13萬(wàn)片，同時(shí)南科與華亞科皆在今年下半年加速50nm轉(zhuǎn)進(jìn)及明年轉(zhuǎn)進(jìn)42nm，預(yù)計(jì)明年南科及華亞科的DRAM產(chǎn)出成長(zhǎng)率居全球之冠，以品牌銷(xiāo)售顆料計(jì)，南科明年將成為臺(tái)灣DRAM廠之冠。

　　觀察臺(tái)系DRAM產(chǎn)業(yè)的發(fā)展史，以華邦成立于1987年最早，孕育臺(tái)系DRAM人才無(wú)數(shù)，臺(tái)灣DRAM產(chǎn)業(yè)于1994年后快速發(fā)展，力晶、茂德與南科相繼成立，與日系廠商展開(kāi)技術(shù)合作，華亞科與瑞晶于2003年與2007年以臺(tái)灣、德國(guó)及臺(tái)灣、日本合資設(shè)廠，使臺(tái)灣DRAM產(chǎn)能于2008年底月投片量達(dá)53萬(wàn)片，占全球DRAM投片量35%，成為全球12寸DRAM廠密度最高的國(guó)家，但在2007年至2009年嚴(yán)重的供需失衡下，臺(tái)系DRAM廠也承受極大的財(cái)務(wù)虧損壓力。

　　集邦統(tǒng)計(jì)，韓系廠商在今年第二季營(yíng)收排名的市占率已達(dá)55.3%，比2008年第四季金融風(fēng)暴時(shí)期的45.5%，成長(zhǎng)近10%，而臺(tái)系DRAM廠也在今年DRAM景氣回升中，力求加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)力，各公司策略布局分析如下：

　　在臺(tái)系DRAM廠中，華邦正積極退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)， 加強(qiáng)NOR Flash、Mobile DRAM、GDDR(繪圖用內(nèi)存)及SDRAM(利基型內(nèi)存)等四項(xiàng)產(chǎn)品線，在NOR FLASH市場(chǎng)短缺下，華邦成功調(diào)整產(chǎn)品線，確保生產(chǎn)獲利率穩(wěn)定并持續(xù)提升，同時(shí)華邦決定以奇夢(mèng)達(dá)所開(kāi)發(fā)的46nm為基礎(chǔ)，自主研發(fā)46nm，于2011年底量產(chǎn)。

　　在爾必達(dá)聯(lián)臺(tái)抗韓策略下，力晶、瑞晶與茂德與爾必達(dá)合作在未來(lái)更為密切，除加速制程轉(zhuǎn)進(jìn)，為降低單項(xiàng)產(chǎn)品價(jià)格波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn)，力晶的產(chǎn)品線策略，采取標(biāo)準(zhǔn)型DRAM、代工與Flash三者并進(jìn)的經(jīng)營(yíng)模式，并于今年底導(dǎo)入DRAM 45nm制程， 加上瑞晶產(chǎn)能貢獻(xiàn)三成，產(chǎn)出及營(yíng)收可望持續(xù)成長(zhǎng)。代工也繼續(xù)以每月三萬(wàn)片至四萬(wàn)片的投片與客戶(hù)合作并計(jì)劃明年將65nm制程導(dǎo)入代工生產(chǎn)，F(xiàn)lash方面明年則將有50nm制程1Gb SLC及40nm制程的MLC 16Gb產(chǎn)出。

　　瑞晶成為爾必達(dá)的子公司后，在母公司的策略規(guī)劃下將成為爾必達(dá)的生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM的重鎮(zhèn)，預(yù)計(jì)今年底可有六臺(tái)浸潤(rùn)式機(jī)臺(tái)移入，并計(jì)劃于明年首季底全數(shù)轉(zhuǎn)入45nm制程。

　　茂德方面，目前中科廠已經(jīng)恢復(fù)至滿(mǎn)載6萬(wàn)片，今年底，投片3萬(wàn)片是幫爾必達(dá)代工63nm制程，加上未來(lái)爾必達(dá)考慮將低容量的Mobile DRAM委外交給茂德，以后茂德將有一半以上的產(chǎn)能以代工性質(zhì)為主。