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FD-SOI: 下一代NovaThor平臺(tái)的助力器

  • 隨著智能手機(jī)功能最近不斷升級(jí)演化,消費(fèi)者的期望值日益攀升。速度更快的多核高主頻CPU處理器、令人震撼的3D圖形、全高清多媒體和高速寬帶現(xiàn)已成為高端手機(jī)的標(biāo)配。同時(shí),消費(fèi)者還期望手機(jī)纖薄輕盈,電池續(xù)航能力至少
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WakaWaka Power:太陽能移動(dòng)充電配件亮相

  •   在欠發(fā)達(dá)地區(qū)和遭遇自然災(zāi)害的地方,人們往往無法獲得正常的照明電源,黑暗臨頭,會(huì)造成人們對黑暗的恐懼,所以光明最為重要,同時(shí)通過太陽能獲取光源是一個(gè)不錯(cuò)的辦法。Waka Waka Power是一款使用太陽能對iPhone、iPad、或是其他智能手機(jī)設(shè)備進(jìn)行充電的產(chǎn)品,基于上一代Waka Waka Power太陽能LED燈研發(fā)而成。 ?   WakaWaka Power僅有口袋大小,內(nèi)置超級(jí)節(jié)能的太陽能電池,其擁有的能源管理系統(tǒng)據(jù)稱能夠保證高于同類產(chǎn)品200%的節(jié)能性。除了可對iPhone充
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Power Integrations 在中國贏得Fairchild Semiconductor專利案

  • Power Integrations (納斯達(dá)克股票代碼:POWI) 今日宣布,經(jīng)過兩年多的專利訴訟,蘇州市中級(jí)人民法院近日裁定Power Integrations 公司在此訴訟案中未侵犯任何有關(guān)于Fairchild Semiconductor 以及其子公司System General所提出的技術(shù)專利。
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問:HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷?謝謝!  HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V,這是對通過一個(gè)比較 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件,如IGBT,Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等,都需要有充分的保護(hù),以避免如欠壓,缺失飽和,米勒效 ...
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ZigBee聯(lián)盟推具Green Power功能的免電池選項(xiàng)

  •   為能源管理、商業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用產(chǎn)品創(chuàng)建無線解決方案的全球性企業(yè)生態(tài)系統(tǒng)ZigBee? 聯(lián)盟(ZigBee? Alliance) 今日宣布,該組織已開發(fā)出通過新型Green Power 功能來為ZigBee 產(chǎn)品供電的最環(huán)保的方法。開關(guān)和調(diào)光器等多種產(chǎn)品現(xiàn)在可以很容易地使用能量采集裝置來供電,而不是用電池或交流電源,一種免維護(hù)的環(huán)保解決方案由此誕生。該聯(lián)盟將于1月24日舉辦一場以Green Power 為主題的公眾網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)。   Green Power 是ZigBee PRO 功能集中的
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下一代FD-SOI制程將跳過20nm直沖14nm

  •   在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術(shù)研討會(huì)上,產(chǎn)業(yè)組織SOI Consortium所展示的文件顯示, FD-SOI 制程技術(shù)藍(lán)圖現(xiàn)在直接跳過了20nm節(jié)點(diǎn),直接往14nm、接著是10nm發(fā)展。   根據(jù)SOI Consortium執(zhí)行總監(jiān)Horacio Mendez在該場會(huì)議上展示的投影片與評(píng)論指出,14nm FD-SOI技術(shù)問世的時(shí)間點(diǎn)約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當(dāng),而兩者的性能表現(xiàn)差不多,F(xiàn)
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ST宣布les晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI

  •   12月13日,意法半導(dǎo)體宣布其在28納米 FD-SOI 技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。在實(shí)現(xiàn)極其出色的圖形、多媒體處理性能和高速寬帶連接功能的同時(shí),而不犧牲電池的使用壽命的情況下,嵌入式處理器需具有市場上最高的性能及最低的功耗,意法半導(dǎo)體28納米技術(shù)的投產(chǎn)可解決這一挑戰(zhàn),滿足多媒體和便攜應(yīng)用市場的需求。   FD-SOI技術(shù)平臺(tái)包括全功能且經(jīng)過硅驗(yàn)證的設(shè)計(jì)平臺(tái)和設(shè)
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需要的一些技巧

意法宣布晶圓廠即將投產(chǎn)28納米FD-SOI制程技術(shù)

  • 橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM)宣布其在28納米 FD-SOI技術(shù)平臺(tái)的研發(fā)上又向前邁出一大步,即將在位于法國Crolles的12寸(300mm)晶圓廠投產(chǎn)該制程技術(shù),這證明了意法半導(dǎo)體以28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)提供平面全耗盡技術(shù)的能力。
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Power-One通信電源監(jiān)控系統(tǒng)通信協(xié)議破解

  • 摘要 根據(jù)數(shù)據(jù)鏈路層通信協(xié)議的一般格式,對串口監(jiān)聽工具截取的Power-One通信電源監(jiān)控系統(tǒng)中的通信信息進(jìn)行了邏輯推理和分析,破解了其通信協(xié)議的格式和各種通信命令。實(shí)驗(yàn)表明,破解結(jié)果正確無誤。對于通信電源分布
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Power Integrations推出LYTSwitch LED驅(qū)動(dòng)器IC

  • 高效率、高可靠性LED驅(qū)動(dòng)器IC領(lǐng)域的世界領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations公司(納斯達(dá)克股票代號(hào):POWI)日前推出其最新的LED驅(qū)動(dòng)器IC產(chǎn)品系列,該系列器件針對消費(fèi)類、商用及工業(yè)照明應(yīng)用而設(shè)計(jì)。新推出的LYTSwitch? IC產(chǎn)品系列能夠在燈管替換應(yīng)用和高棚燈照明中實(shí)現(xiàn)精確穩(wěn)壓和高效率,同時(shí)在可控硅調(diào)光燈泡應(yīng)用中提供出色的性能。
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Power Architecture?技術(shù)聯(lián)盟與國內(nèi)產(chǎn)業(yè)共建創(chuàng)新生態(tài)系統(tǒng)

  • Power.org技術(shù)聯(lián)盟近期在上海張江高科舉辦了2012年P(guān)ower Architecture亞洲年度會(huì)議,這是Power.org的會(huì)員公司及Power Architecture技術(shù)生態(tài)系統(tǒng)首次在上海舉辦的技術(shù)大會(huì)。本屆會(huì)議關(guān)注Power Architecture 技術(shù)未來的發(fā)展方向和應(yīng)用前景,并特別針對中國市場提出“倡導(dǎo)合作和本土創(chuàng)新”。
  • 關(guān)鍵字: Power  IBM  服務(wù)器  

華潤上華第二代200V SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

  •   華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性價(jià)比,這在國內(nèi)尚屬首家。第二代工藝的推出顯示了華潤上華已經(jīng)全面掌握了SOI工藝技術(shù),具備了根據(jù)市場需求持續(xù)開發(fā)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的SOI工藝技術(shù)能力。
  • 關(guān)鍵字: 華潤微電子  半導(dǎo)體  SOI  

華潤上華200V SOI工藝開發(fā)持續(xù)創(chuàng)新,產(chǎn)品再上新臺(tái)階

  • 華潤微電子有限公司(“華潤微電子”)附屬公司華潤上華科技有限公司(“華潤上華”)近日宣布,繼2010年首顆200V SOI CDMOS產(chǎn)品量產(chǎn)后,日前更高性價(jià)比的第二代SOI工藝實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該工藝是一種集成多種半導(dǎo)體器件的集成電路制造技術(shù),由華潤上華在2010年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的一代工藝基礎(chǔ)上作了工藝升級(jí),達(dá)到更高的性價(jià)比,這在國內(nèi)尚屬首家。
  • 關(guān)鍵字: 華潤上華  SOI   CDMOS  
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