s7 mosfet 文章進(jìn)入s7 mosfet技術(shù)社區(qū)

基于NCL35076或NCL30076的高能效、高精度、高可靠性的可調(diào)光LED照明降壓方案

本文主要介紹安森美 (onsemi)的基于NCL35076連續(xù)導(dǎo)通模式 (CCM) DC-DC 降壓控制器的75 W方案和基于NCL30076準(zhǔn)諧振(QR)降壓控制器的100 W及240 W方案。兩款方案的典型應(yīng)用是LED照明系統(tǒng)、模擬/PWM可調(diào)光LED驅(qū)動(dòng)器，模擬調(diào)光范圍寬，從1%到100%。安森美專有的LED電流計(jì)算技術(shù)和內(nèi)部檢測(cè)及反饋放大器的零輸入電壓偏移，在整個(gè)模擬調(diào)光范圍內(nèi)進(jìn)行精確的穩(wěn)流，穩(wěn)流精度在滿載時(shí)<±2%，在1%的負(fù)載時(shí)<±20%。卓越的調(diào)光特性可根據(jù)負(fù)載情況在CCM (N
關(guān)鍵字： MOSFET

Microchip首款碳化硅MOSFET 可降低50%開(kāi)關(guān)損耗

隨著對(duì)電動(dòng)公共汽車和其他電氣化重型運(yùn)輸車輛的需求增加，以滿足更低的碳排放目標(biāo)，基于碳化硅的電源管理解決方案正在為此類運(yùn)輸系統(tǒng)提供更高效率。為了進(jìn)一步擴(kuò)充其廣泛的碳化硅MOSFET分離式和模塊產(chǎn)品組合，Microchip推出一款全新 ”生產(chǎn)就緒”的1200V數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，為系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員提供多層級(jí)的控制和保護(hù)，以實(shí)現(xiàn)安全、可靠的運(yùn)輸并滿足嚴(yán)格的行業(yè)要求。 Microchip推出首款碳化硅MOSFET數(shù)字柵極驅(qū)動(dòng)器，可降低50%開(kāi)關(guān)損耗對(duì)于碳化硅電源轉(zhuǎn)換設(shè)備的設(shè)計(jì)人員來(lái)說(shuō)，Microchip的Agi
關(guān)鍵字： Microchip 碳化硅 MOSFET

雙極結(jié)型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

0? ?引言數(shù)字開(kāi)關(guān)通常使用MOSFET 來(lái)創(chuàng)建，但是對(duì)于低飽和電壓的開(kāi)關(guān)模型，雙極結(jié)型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對(duì)于低電壓和低電流的應(yīng)用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢(shì)（圖1）。圖1 雙極結(jié)型晶體管可為移動(dòng)設(shè)備提供更長(zhǎng)的使用壽命圖源：IB Photography/Shutterstock在負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測(cè)量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項(xiàng)用途，因?yàn)樗鼈儾恍枰魏蔚讓涌刂破髯鳛殡妷嚎刂平M件。
關(guān)鍵字： MOSFET 202109

使用無(wú)刷直流電機(jī)加速設(shè)計(jì)周期的3種方法

全球都在致力降低功耗，且勢(shì)頭愈來(lái)愈烈。許多國(guó)家/地區(qū)都要求家用電器（如圖 1 所示）滿足相關(guān)組織（如中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 (CNIS)、美國(guó)能源之星和德國(guó)藍(lán)天使）制定的效率標(biāo)準(zhǔn)。為了滿足這些標(biāo)準(zhǔn)，越來(lái)越多的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)中放棄了簡(jiǎn)單且易用的單相交流感應(yīng)電機(jī)，轉(zhuǎn)而采用更節(jié)能的低壓無(wú)刷直流 (BLDC) 電機(jī)。為了實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的使用壽命和更低的運(yùn)行噪音，掃地機(jī)器人等小型家電的設(shè)計(jì)人員也轉(zhuǎn)而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進(jìn)的 BLDC 電機(jī)。同時(shí)，永磁技術(shù)的進(jìn)步正不斷簡(jiǎn)化 BLDC 電機(jī)的制造，在提供相同扭矩（負(fù)載）的
關(guān)鍵字： MOSFET BLDC

面向工業(yè)環(huán)境的大功率無(wú)線電力傳輸技術(shù)

1.?? 簡(jiǎn)介隨著無(wú)線電力傳輸技術(shù)在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移至這項(xiàng)技術(shù)及其固有優(yōu)勢(shì)。在如 WLAN 和藍(lán)牙（Bluetooth）等各項(xiàng)無(wú)線技術(shù)的推動(dòng)下，通信接口日益向無(wú)線化發(fā)展，無(wú)線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來(lái)明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還能為新的工業(yè)設(shè)計(jì)開(kāi)辟更多可能性。這項(xiàng)技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對(duì)抗腐蝕性清潔劑、嚴(yán)重污染和高機(jī)械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機(jī)械等。比如，它可以替代昂貴且易損
關(guān)鍵字： MOSFET

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

開(kāi)篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，僅供參考。1、選取仿真研究對(duì)象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動(dòng)電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
關(guān)鍵字： MOSFET

功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(展位號(hào):11號(hào)館B39),屆時(shí)將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會(huì)”以及“電動(dòng)交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
關(guān)鍵字： MOSFET

了解熱阻在系統(tǒng)層級(jí)的影響

在電阻方面，電流流動(dòng)的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時(shí)遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個(gè)熱阻，可以用這些數(shù)字來(lái)計(jì)算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導(dǎo)體接面是產(chǎn)生熱的來(lái)源，允許接面超過(guò)其最大操作溫度將導(dǎo)致嚴(yán)重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)措施，以避免發(fā)生過(guò)熱關(guān)機(jī)等情況，但不可避免的是仍會(huì)造成損壞。一個(gè)更好的解決方案，就是在設(shè)計(jì)上選擇抑制 (或至少限制) 會(huì)造成接面溫度超過(guò)其操作最大值的情況。由于無(wú)法直接強(qiáng)制冷卻接面溫度，透過(guò)傳導(dǎo)來(lái)進(jìn)行散熱是確保不會(huì)超過(guò)溫度的唯一方法。工程師需要在這
關(guān)鍵字： MOSFET

BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局設(shè)計(jì)

討論了BUCK轉(zhuǎn)換器的開(kāi)通回路、關(guān)斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是其關(guān)鍵回路和關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，使用盡可能小的環(huán)路，短粗布線，優(yōu)先對(duì)其進(jìn)行PCB布局。給出了多層板的信號(hào)分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局技巧和一些實(shí)例，分析了它們的優(yōu)缺點(diǎn)。
關(guān)鍵字： PCB布局磁場(chǎng)干擾電場(chǎng)干擾 MOSFET 202108

碳化硅邁入新時(shí)代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

1996年，ST開(kāi)始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動(dòng)汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來(lái)發(fā)展方向。Exawatt的一項(xiàng)研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)也正在改變其他市場(chǎng)，例如，太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過(guò)去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對(duì)今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
關(guān)鍵字： MOSFET

Maxim Integrated發(fā)布來(lái)自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度地延長(zhǎng)電池壽命并將元件數(shù)量減半

TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，有效簡(jiǎn)化無(wú)刷直流(DC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并最大程度地延長(zhǎng)電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。TMC6140-LA針對(duì)較寬的電壓范圍進(jìn)行性
關(guān)鍵字： MOSFET

電動(dòng)汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革

近年來(lái)，在全球“創(chuàng)建無(wú)碳社會(huì)”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中，電動(dòng)汽車（xEV）得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率，對(duì)各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車載充電機(jī)）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標(biāo)準(zhǔn)品這三大產(chǎn)品群進(jìn)行提案。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理周勁1? ?Si
關(guān)鍵字： MOSFET 202108

功率因素校正電路旁路二極管的作用

本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開(kāi)機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng)，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
關(guān)鍵字：功率因素校正旁路二極管線性區(qū) 欠壓保護(hù) 202103 MOSFET

簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問(wèn)題，設(shè)計(jì)并制作一款適合隨頻率、時(shí)間變化而發(fā)生改變的被測(cè)電源的簡(jiǎn)潔、實(shí)用、方便的直流電子負(fù)載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機(jī)主控、增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實(shí)現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過(guò)LCD12864液晶顯示屏顯示被測(cè)電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機(jī) 恒流恒壓 IRF3205 負(fù)載調(diào)整率 202105 MOSFET