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同步降壓MOSFET電阻比的選擇

  • 在這篇《電源設(shè)計小貼士》中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導功耗進行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組
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恩智浦提供汽車認證雙通道Power-SO8 MOSFET

  • 恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達克代碼：NXPI)近日發(fā)布了LFPAK56D產(chǎn)品組合——多款雙通道Power-SO8 MOSFET，專為燃油噴射、ABS和穩(wěn)定性控制等汽車應用而設(shè)計。恩智浦LFPAK56D系列產(chǎn)品完全符合AEC-Q101標準，具有一流的性能和可靠性;同時，與通常需要使用兩個器件的DPAK解決方案相比，節(jié)省了77%的占位面積。
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意法半導體發(fā)布先進功率MOSFET系列產(chǎn)品

  • 橫跨多重電子應用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)推出最新系列高可靠性、高能效的功率晶體管，助力技術(shù)型企業(yè)滿足日益嚴格的生態(tài)設(shè)計標準對功率和能效的要求，瞄準太陽能微逆變器、光伏模塊串逆變器和電動汽車等綠色能源應用。
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如何為具體應用選擇恰當?shù)腗OSFET

  • 雖然工程師都熟諳MOSFET數(shù)據(jù)手冊上的品質(zhì)因數(shù)，但為了選擇出合適的MOSFET，工程師必需利用自己的專業(yè)知識對各個具體應用的不同規(guī)格進行全面仔細的考慮。例如，對于服務器電源中的負載開關(guān)這類應用，由于MOSFET基本上
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估算熱插拔MOSFET溫升的簡易方法

  • 本電源設(shè)計小貼士以及下次的小貼士中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。通
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功率MOSFET數(shù)據(jù)表深入分析

  • 本文不準備寫成一篇介紹功率MOSFET的技術(shù)大全,只是讓讀者去了解如何正確的理解功率MOSFET數(shù)據(jù)表中的常用主要參數(shù),以幫助設(shè)計者更好的使用功率MOSFET進行設(shè)計?！　?shù)據(jù)表中的參數(shù)分為兩類:即最大額定值和電氣特性值。
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飛兆半擴展PowerTrench MOSFET系列

  • 提升功率密度和輕載效率是服務器、電信和AC-DC電源設(shè)計人員的主要考慮問題。此外，這些開關(guān)電源(SMPS)設(shè)計中的同步整流需要具有高性價比的電源解決方案，以便最大限度地減小線路板空間，同時提高效率和降低功耗。
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空間受限型應用中的PMBus熱插拔電路介紹

IR推出優(yōu)化版車用功率MOSFET產(chǎn)品

  • 全球功率半導體和管理方案領(lǐng)導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出具備低導通電阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535車用功率MOSFET，適用于汽油和柴油發(fā)動機壓電噴射系統(tǒng)。
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詳細介紹如何運用MOSFET實現(xiàn)完美安全系統(tǒng)

  • 汽車上許多組建的多元應用，從車上的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到啟動馬達，不僅提供了各式各樣的高負載型、低成本效益的解決方案，也兼具了注重安全性汽車所必須的通訊和診斷能力。因此，設(shè)計人員為了增加車上電子
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MOSFET驅(qū)動器及功耗計算介紹

  • 我們先來看看MOS關(guān)模型：



    Cgs：由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的，其電容值是由實際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd：是兩個不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊，第二是
    耗盡區(qū)電容
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提升電源轉(zhuǎn)換效率的自定時電壓檢測同步MOSFET控制方案

  • 標簽：電源 諧振轉(zhuǎn)換器 高壓電源 直流電源 MOSFET現(xiàn)代電子設(shè)備功能越來越多，設(shè)備功能的高功耗對環(huán)境的影響也越來越大。提高電源效率是降低功耗的方法之一。諧振拓撲具有較高效率，很多大功率消費電子產(chǎn)品和計算機
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功率器件的新時代汽車電子功率MOSFET技術(shù)

  • 過去15到20年間，汽車用功率MOSFET已從最初的技術(shù)話題發(fā)展到蓬勃的商業(yè)領(lǐng)域。選用功率MOSFET是因為其能夠耐受汽車電子系統(tǒng)中常遇到的掉載和系統(tǒng)能量突變等引起的瞬態(tài)高壓現(xiàn)象，且其封裝簡單，主要采用TO220 和 TO247
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MOSFET雙峰效應的評估方法簡介

  • 金屬氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET)是由一個金氧半(MOS)二機體和兩個與其緊密鄰接的P-n接面(p-n junction)所組成。自從在1960年首次證明后，MOSFET快速的發(fā)展
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