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ADSP-TS201的系統(tǒng)設(shè)計(jì)及外部總線接口技術(shù)

1 引言隨著雷達(dá)技術(shù)發(fā)展，大帶寬高分辨力、多種信號(hào)處理方式的采用，使得實(shí)時(shí)信號(hào)處理對(duì)數(shù)據(jù)的處理速度大大提高。同時(shí)在雷達(dá)信號(hào)處理中運(yùn)算量大，數(shù)據(jù)吞吐量急劇上升，對(duì)數(shù)據(jù)處理的要求不斷提高。隨著大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，作為數(shù)字信號(hào)處理的核心數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)得到了快速的發(fā)展和應(yīng)用。ADSP-TS201DSP是美國(guó)模擬器件(ADD公司繼TSl01之后推出的一款高性能處理器。此系列DSP性價(jià)比很高，兼有FPGA和ASIC信號(hào)處理性能和指令集處理器的高度可編程性，適用于大存儲(chǔ)量、高性能、高速度的信號(hào)處理和圖像
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Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì)

Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 參考設(shè)計(jì),OverviewAltera offers a PCI Express to DDR2 SDRAM reference design that demONSTrates the operation of Alteras PCI Express (PCIe) MegaCorereg; product. This reference design provides an interface betw
關(guān)鍵字：參考設(shè)計(jì) SDRAM DDR2 PCI Express Altera

Altera實(shí)現(xiàn)對(duì)新的JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)的支持

　　Altera宣布，在FPGA業(yè)界實(shí)現(xiàn)了對(duì)高性能DDR3存儲(chǔ)器接口的全面支持。在最近通過的JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)下，Altera Stratix® III系列FPGA可以幫助設(shè)計(jì)人員充分發(fā)揮DDR3存儲(chǔ)器的高性能和低功耗優(yōu)勢(shì)，這類存儲(chǔ)器在通信、計(jì)算機(jī)和視頻處理等多種應(yīng)用中越來越關(guān)鍵。　　這些應(yīng)用處理大量的數(shù)據(jù)，需要對(duì)高性能存儲(chǔ)器進(jìn)行快速高效的訪問。符合JESD79-3 JEDEC DDR3 SDRAM標(biāo)準(zhǔn)可滿足DDR3存儲(chǔ)器的1.5V低功耗電壓供電要求，在下一
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲(chǔ)容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲(chǔ)器工業(yè)控制

利用FPGA解決TMS320C54x與SDRAM的接口問題

在DSP應(yīng)用系統(tǒng)中，需要大量外擴(kuò)存儲(chǔ)器的情況經(jīng)常遇到。例如，在數(shù)碼相機(jī)和攝像機(jī)中，為了將現(xiàn)場(chǎng)拍攝的諸多圖片或圖像暫存下來，需要將DSP處理后的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到外存中以備后用。從目前的存儲(chǔ)器市場(chǎng)看，SDRAM由于其性能價(jià)格比的優(yōu)勢(shì)，而被DSP開發(fā)者所青睞。DSP與SDRAM直接接口是不可能的。 FPGA（現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列）由于其具有使用靈活、執(zhí)行速度快、開發(fā)工具豐富的特點(diǎn)而越來越多地出現(xiàn)在現(xiàn)場(chǎng)電路設(shè)計(jì)中。本文用FPGA作為接口芯片，提供控制信號(hào)和定時(shí)信號(hào)，來實(shí)現(xiàn)DSP到SDRAM的數(shù)據(jù)存取。 1 SDRA
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DSP片外高速海置SDRAM存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

在數(shù)字圖像處理、航空航天等高速信號(hào)處理應(yīng)用場(chǎng)合，需要有高速大容量存儲(chǔ)空間的強(qiáng)力支持，來滿足系統(tǒng)對(duì)海量數(shù)據(jù)吞吐的要求。通過使用大容量同步動(dòng)態(tài)RAM(SDRAM)來擴(kuò)展嵌入式DSP系統(tǒng)存儲(chǔ)空間的方法，選用ISSI公司的IS42S16400高速SDRAM芯片，詳細(xì)論述在基于TMS320C6201(簡(jiǎn)稱C6201)的數(shù)字信號(hào)處理系統(tǒng)中此設(shè)計(jì)方法的具體實(shí)現(xiàn)。 1 IS42S16400芯片簡(jiǎn)介IS42S16400是ISSl公司推出的一種單片存儲(chǔ)容量高達(dá)64 Mb(即8 MB)的16位字寬高速SDRAM芯片。
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基于SDRAM的視頻處理器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

筆者在研究有關(guān)文獻(xiàn)的基礎(chǔ)上，根據(jù)具體情況提出一種獨(dú)特的方法，實(shí)現(xiàn)了對(duì)SDRAM的控制，并通過利用FPGA控制數(shù)據(jù)存取的順序來實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字視頻圖像的旋轉(zhuǎn)，截取、平移等實(shí)時(shí)處理。
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Reg istered SDRAM在MPC8241系統(tǒng)中的應(yīng)用

介紹Registered SDRAM的工作原理和接口芯片，以及在MPC8241嵌入式系統(tǒng)中進(jìn)行Registered SDRAM電路設(shè)計(jì)的實(shí)例；給出電路原理設(shè)計(jì)和PCB布局布線的一般規(guī)則。
關(guān)鍵字： istered SDRAM 8241 Reg

使用Verilog實(shí)現(xiàn)基于FPGA的SDRAM控制器

介紹了SDRAM的特點(diǎn)和工作原理，提出了一種基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)方法，使用該方法實(shí)現(xiàn)的控制器可非常方便地對(duì)SDRAM進(jìn)行控制。
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高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡的SDRAM控制器設(shè)計(jì)

摘要：本文對(duì)高速、高精度大容量數(shù)據(jù)采集板卡所采用的SDRAM控制器技術(shù)進(jìn)行了討論，詳細(xì)介紹了基于FPGA的SDRAM控制器的設(shè)計(jì)、命令組合以及設(shè)計(jì)仿真時(shí)序，并將該技術(shù)應(yīng)用于基于PCI總線的100MHz單通道 AD9432高速大容量數(shù)據(jù)采集板卡，最后給出了板卡測(cè)試結(jié)果。關(guān)鍵詞：SDRAM；FPGA；AD9432 引言高速數(shù)據(jù)采集具有系統(tǒng)數(shù)據(jù)吞吐率高的特點(diǎn)，要求系統(tǒng)在短時(shí)間內(nèi)能夠傳輸并存儲(chǔ)采集結(jié)果。因此，采集數(shù)據(jù)的快速存儲(chǔ)能力和容量是制約加快系統(tǒng)速度和容許采集時(shí)間的主要因素之一。通常用于數(shù)據(jù)采
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SyncFlash存儲(chǔ)器在ARM嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

摘要：本文在簡(jiǎn)要介紹SyncFlash(同步Flash)存儲(chǔ)器的基礎(chǔ)上，著重?cái)⑹隽薙yncFlash在基于ARM體系微處理器的嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用，并介紹了采用SyncFlash設(shè)計(jì)嵌入系統(tǒng)的優(yōu)勢(shì)。關(guān)鍵詞：SyncFlash；SDRAM；ARM微處理器；嵌入式系統(tǒng) 隨著嵌入式處理器的迅速發(fā)展，32位RISC處理器的應(yīng)用越來越廣泛，許多基于ARM核的微處理器都集成了SDRAM控制器。應(yīng)用系統(tǒng)中一般都是采用SDRAM存儲(chǔ)器作內(nèi)存、NOR Flash作程序存儲(chǔ)
關(guān)鍵字： ARM微處理器 SDRAM SyncFlash 嵌入式系統(tǒng) 存儲(chǔ)器

MPEG-4 SP級(jí)解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì)

摘要：本文提出了一種在MPEG-4 SP級(jí)解碼器中的SDRAM接口設(shè)計(jì)，并巧妙地利用了一種新穎的填充方法,使得程序執(zhí)行的效率大幅度提高。關(guān)鍵詞：SDRAM；MPEG-4；填充引言圖像處理系統(tǒng)都需要用到容量大、讀寫速度高的存儲(chǔ)介質(zhì)。SRAM操作簡(jiǎn)單，但其昂貴的價(jià)格會(huì)使產(chǎn)品成本上升。相比較而言，SDRAM的控制較RAM復(fù)雜，但具有價(jià)格便宜、體積小、速度快、功耗低等優(yōu)點(diǎn),所以從降低成本的角度出發(fā)，本文采用SDRAM實(shí)現(xiàn)MPEG-4 SP(Simple Profile)級(jí)解
關(guān)鍵字： MPEG-4 SDRAM 填充存儲(chǔ)器

利用FPGA實(shí)現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口設(shè)計(jì)

介紹基于現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA），利用VHDL語言設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)MMC2107與SDRAM接口電路。文中包括MMC2107組成結(jié)構(gòu)、SDRAM存儲(chǔ)接口結(jié)構(gòu)和SDRAM控制狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵字： SDRAM FPGA MMC

1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片

　　1999年2月23日，上海華虹NEC電子有限公司建成試投片，工藝技術(shù)檔次從計(jì)劃中的0.5微米提升到了0.35微米，主導(dǎo)產(chǎn)品64M同步動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器(S-DRAM)。這條生產(chǎn)線的建-成投產(chǎn)標(biāo)志著我國(guó)從此有了自己的深亞微米超大規(guī)模集成電路芯片生產(chǎn)線。
關(guān)鍵字：華虹NEC SDRAM

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sdram介紹

　　SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步是指Memory工作需要同步時(shí)鐘，內(nèi)部的命令的發(fā)送與數(shù)據(jù)的傳輸都以它為基準(zhǔn)；動(dòng)態(tài)是指存儲(chǔ)陣列需要不斷的刷新來保證數(shù)據(jù)不丟失；隨機(jī)是指數(shù)據(jù)不是線性依次存儲(chǔ)，而是由指定地址進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。　　SDRAM從發(fā)展到現(xiàn)在已經(jīng)經(jīng)歷了四代，分別是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR [ 查看詳細(xì) ]