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雙極結型晶體管——MOSFET的挑戰(zhàn)者

  • 0? ?引言數(shù)字開關通常使用MOSFET 來創(chuàng)建，但是對于低飽和電壓的開關模型，雙極結型晶體管已成為不容忽視的替代方案。對于低電壓和低電流的應用，它們不僅可以提供出色的電流放大效果，還具有成本優(yōu)勢（圖1）。圖1 雙極結型晶體管可為移動設備提供更長的使用壽命 圖源：IB Photography/Shutterstock在負載開關應用中，晶體管需要精確地放大基極電流，使輸出電壓接近零，以便僅測量晶體管的飽和電壓。MOSFET 通常用于這項用途，因為它們不需要任何底層控制器作為電壓控制組件。
  • 關鍵字： MOSFET  202109  

使用無刷直流電機加速設計周期的3種方法

  • 全球都在致力降低功耗，且勢頭愈來愈烈。許多國家/地區(qū)都要求家用電器（如圖 1 所示）滿足相關組織（如中國標準化研究院 (CNIS)、美國能源之星和德國藍天使）制定的效率標準。為了滿足這些標準，越來越多的系統(tǒng)設計人員在設計中放棄了簡單且易用的單相交流感應電機，轉而采用更節(jié)能的低壓無刷直流 (BLDC) 電機。為了實現(xiàn)更長的使用壽命和更低的運行噪音，掃地機器人等小型家電的設計人員也轉而在他們的許多系統(tǒng)中使用更先進的 BLDC 電機。同時，永磁技術的進步正不斷簡化 BLDC 電機的制造，在提供相同扭矩（負載）的
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

面向工業(yè)環(huán)境的大功率無線電力傳輸技術

  • 1.?? 簡介隨著無線電力傳輸技術在消費類電子產品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關注焦點轉移至這項技術及其固有優(yōu)勢。在如 WLAN 和藍牙（Bluetooth）等各項無線技術的推動下，通信接口日益向無線化發(fā)展，無線電力傳輸技術也成為一種相應的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來明顯的技術優(yōu)勢，還能為新的工業(yè)設計開辟更多可能性。這項技術提供了許多新的概念，特別是在需要對抗腐蝕性清潔劑、嚴重污染和高機械應力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機械等。比如，它可以替代昂貴且易損
  • 關鍵字： MOSFET  

仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

  • 開篇前言關于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無法替代實驗，僅供參考。1、選取仿真研究對象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅動電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
  • 關鍵字： MOSFET  

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化硅產業(yè)供應鏈

  • 近年隨著電動汽車產業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業(yè)鏈相關企業(yè)的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發(fā)驅使SiC爭奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
  • 關鍵字： 意法半導體  Norstel AB  碳化硅  SiC  

功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究

  • 高端變頻空調在實際應用中出現(xiàn)大量外機不工作，經過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結合大量失效品分析與電路設計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結果表明：經過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關波形檢測、熱設計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因導致，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應、驅動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設計方面全部提升IGBT工作可靠性。
  • 關鍵字： 主動式PFC升壓電路  IGBT  SOA  閂鎖效應  ESD  熱擊穿失效  202108  MOSFET  

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會

  • 全球知名半導體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國際會展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(展位號:11號館B39),屆時將展示面向工業(yè)設備和汽車領域的、以世界先進的SiC(碳化硅)元器件為核心的產品及電源解決方案。同時,羅姆工程師還將在現(xiàn)場舉辦的“SiC/GaN功率器件技術與應用分析大會”以及“電動交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進的SiC為核心的功率元器件技術,以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
  • 關鍵字： MOSFET  

了解熱阻在系統(tǒng)層級的影響

  • 在電阻方面，電流流動的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個熱阻，可以用這些數(shù)字來計算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導體接面是產生熱的來源，允許接面超過其最大操作溫度將導致嚴重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術來設計保護措施，以避免發(fā)生過熱關機等情況，但不可避免的是仍會造成損壞。一個更好的解決方案，就是在設計上選擇抑制 (或至少限制) 會造成接面溫度超過其操作最大值的情況。由于無法直接強制冷卻接面溫度，透過傳導來進行散熱是確保不會超過溫度的唯一方法。工程師需要在這
  • 關鍵字： MOSFET  

BUCK轉換器的PCB布局設計

  • 討論了BUCK轉換器的開通回路、關斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開關節(jié)點是其關鍵回路和關鍵 節(jié)點，使用盡可能小的環(huán)路，短粗布線，優(yōu)先對其進行PCB布局。給出了多層板的信號分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉換器的PCB布局技巧和一些實例，分析了它們的優(yōu)缺點。
  • 關鍵字： PCB布局  磁場干擾  電場干擾  MOSFET  202108  

碳化硅邁入新時代 ST 25年研發(fā)突破技術挑戰(zhàn)

  • 1996年，ST開始與卡塔尼亞大學合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當今半導體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來發(fā)展方向。Exawatt的一項研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項技術也正在改變其他市場，例如，太陽能逆變器、儲能系統(tǒng)、服務器電源、充電站等。因此，了解SiC過去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導體行業(yè)如何克服技術
  • 關鍵字： MOSFET  

Maxim Integrated發(fā)布來自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅動器，可最大程度地延長電池壽命并將元件數(shù)量減半

  • TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅動器，有效簡化無刷直流(DC)電機驅動設計，并最大程度地延長電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅動器為每相集成了低邊檢流放大器，構成完備的電機驅動方案；與同類產品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡化設計。TMC6140-LA針對較寬的電壓范圍進行性
  • 關鍵字： MOSFET  

鄭有炓院士：第三代半導體迎來新發(fā)展機遇

  • 半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產業(yè)，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術和電子信息科技產業(yè)發(fā)展需求又驅動了半導體材料與技術的發(fā)展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發(fā)展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
  • 關鍵字： 第三代半導體  SiC  

電動汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經歷技術變革

  • 近年來，在全球“創(chuàng)建無碳社會”和“碳中和”等減少環(huán)境負荷的努力中，電動汽車（xEV）得以日益普及。為了進一步提高系統(tǒng)的效率，對各種車載設備的逆變器和轉換器電路中使用的功率半導體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經歷技術變革。在OBC（車載充電機）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標準品這三大產品群進行提案。羅姆半導體（上海）有限公司 技術中心 副總經理 周勁1? ?Si
  • 關鍵字： MOSFET  202108  

汽車電氣化的部分關鍵技術及ST的解決方案

  • 1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰(zhàn)汽車市場中與電氣化相關的應用是減少交通碳排放影響的關鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實現(xiàn)碳中和的目標。為了實現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國交通運輸行業(yè)碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發(fā)展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
  • 關鍵字： 202108  SiC  BMS  

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動駕駛賦能

  • 未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現(xiàn)零排放，其市場發(fā)展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊
  • 關鍵字： 202108  SiC  汽車  OBC  
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