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推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)

  • 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標(biāo)準(zhǔn)， 快速DC充電站 可提供高達(dá)400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
  • 關(guān)鍵字： EV  SiC  IGBT  MOSEFT  CMTI  

UnitedSiC與益登科技簽署分銷協(xié)議

  • 領(lǐng)先的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商 UnitedSiC 近日宣布與益登科技簽署代理協(xié)議，益登科技是總部位于臺灣的半導(dǎo)體產(chǎn)品主要分銷商和解決方案供應(yīng)商。益登科技將與UnitedSiC合作，助其將產(chǎn)品推向亞洲市場，為包括電動汽車、電池充電、IT基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源和電路保護(hù)等高增長應(yīng)用領(lǐng)域的客戶提供產(chǎn)品方案。UnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin BulutUnitedSiC全球銷售和營銷副總裁Yalcin Bulut 表示：“亞洲市場正在迅速崛起，急需采用能夠?qū)崿F(xiàn)新產(chǎn)品差異化的新技術(shù)。益登的
  • 關(guān)鍵字： SiC  電動汽車  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴設(shè)備廣泛用于娛樂、運(yùn)動和醫(yī)療健康等領(lǐng)域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術(shù)嵌入人們的衣著或配件的設(shè)備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費(fèi)電子業(yè)面臨的又一個(gè)新發(fā)展機(jī)遇，可穿戴設(shè)備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實(shí)際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2019年全球可穿戴技術(shù)產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設(shè)備已成為過去5年來消費(fèi)電子領(lǐng)域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴(yán)重的新冠疫情影響，部
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  

ROHM為新基建帶來的功率器件和電源產(chǎn)品

  • 1 無線基站羅姆（ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括一系列高耐壓MOSFET和高效率DC/DC轉(zhuǎn)換器等，有助于降低功耗。?SiC MOSFET具有高耐壓、高速開關(guān)、低導(dǎo)通電阻的特性，即使在高溫環(huán)境下也能顯示出色的電器特性，有助于大幅降低開關(guān)損耗和周邊零部件的小型化。羅姆備有650V、1200V、1700V SiC?MOSFET產(chǎn)品。其中，第3代溝槽柵型SiC MOSFET?SCT3系列有650?V和1?200?V的六款產(chǎn)品，特點(diǎn)是導(dǎo)通
  • 關(guān)鍵字： 耐高壓  MOSFET  DC/DC  202009  

有助于減輕激光光源電路的設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)并提高測距精度

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日確立了一項(xiàng)VCSEL*1模塊技術(shù)，該技術(shù)通過提高VCSEL的輸出功率，進(jìn)一步提高了空間識別和測距系統(tǒng)（TOF系統(tǒng)*2）的精度。以往采用VCSEL的激光光源中，作為光源的VCSEL產(chǎn)品和用來驅(qū)動光源的MOSFET產(chǎn)品在電路板上是獨(dú)立貼裝的。在這種情況下，產(chǎn)品之間的布線長度（寄生電感*3）無意中會影響光源的驅(qū)動時(shí)間和輸出功率，這就對實(shí)現(xiàn)高精度感應(yīng)所需的短脈沖大功率光源帶來了局限性。ROHM此項(xiàng)新技術(shù)的確立，將新VCSEL元件和MOSFET元件集成于1個(gè)模塊
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  VCSEL  TOF  AGV  

內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片

  • 一、芯片介紹繼推出5W和20W的開關(guān)電源控制IC后，為滿足客戶對更多功率段的需求，金升陽推出內(nèi)置高壓MOS管和高壓啟動的AC/DC電源控制芯片——SCM1738ASA。SCM1738ASA是一款內(nèi)置高壓MOS 管功率開關(guān)的原邊控制開關(guān)電源（PSR），采用PFM 調(diào)頻技術(shù)，提供精確的恒壓/恒流（CV/CC）控制環(huán)路，穩(wěn)定性和平均效率非常高。由于集成高壓啟動，可以省去外圍的啟動電阻，實(shí)現(xiàn)低損耗可靠啟動。同時(shí)，該芯片具有可調(diào)節(jié)線性補(bǔ)償功能和內(nèi)置峰值電流補(bǔ)償功能，輸出功率最大可達(dá)8W。二、產(chǎn)品應(yīng)用可廣泛應(yīng)用于AC
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PSR  IC  RFM  

安森美全面布局碳化硅市場：汽車、新能源、5G

  • 目前，碳化硅市場正處于快速增長中，根據(jù)各大咨詢機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，碳化硅在電源的功率因數(shù)校正（PFC）、太陽能逆變器、光伏逆變器、不間斷電源、5G、通信電源、高頻開關(guān)電源等領(lǐng)域都擁有非常廣闊的市場。與傳統(tǒng)硅材料相比，新一代的寬禁帶半導(dǎo)體材料碳化硅可提供高場強(qiáng)、高能隙，以及高電子移動速度和熱導(dǎo)率，讓下一代半導(dǎo)體器件的性能得到革命性提升。
  • 關(guān)鍵字： 安森美  SiC  碳化硅  

減少開關(guān)損耗：儒卓力提供來自羅姆的節(jié)能SiC-MOSFET

  • 羅姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有溝槽柵極結(jié)構(gòu)(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。該產(chǎn)品系列提供4引腳封裝(TO-247-4L)型款，與傳統(tǒng)3引腳封裝類型(TO-247N)相比，可最大限度地提高開關(guān)性能，并將開關(guān)損耗降低多達(dá)35%。SiC-MOSFET特別適合在服務(wù)器電源、UPS系統(tǒng)、太陽能逆變器和新能源汽車充電站中的節(jié)能使用。通過使用TO-247-4L封裝，驅(qū)動器和電流源引腳得以分離，從而最大限度地降低了寄生電感分量的影響。這有助于顯著降低功耗，對于必須提供不間斷電源的高性能應(yīng)
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  碳化硅  UPS  

模塊化參考設(shè)計(jì)幫助用戶為各種應(yīng)用選擇不同的功能塊 縮短上市時(shí)間、節(jié)省BOM成本及資源

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團(tuán) 近日宣布推出一款48V電動車應(yīng)用成功產(chǎn)品組合解決方案，可幫助用戶加快電動滑板車、電動自行車、混合動力汽車、UPS和儲能系統(tǒng)的開發(fā)。該參考設(shè)計(jì)在硬件和軟件中均采用模塊化方法以展示核心及可選功能塊，可用于多種24V-48V應(yīng)用，如割草機(jī)、手推車、機(jī)器人清潔器、電動工具、移動電源等。該成功產(chǎn)品組合使用了15個(gè)瑞薩IC產(chǎn)品，包括三個(gè)關(guān)鍵器件：ISL94216 16芯電池前端（BFE）、強(qiáng)健的HIP2211 100V MOSFET驅(qū)動器以及用于電機(jī)控制的RX23T 32位
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PWM  BLDC  MCU  

低導(dǎo)通電阻的-30 V P溝道MOSFET，可提高能效和功率密度

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，首度推出-30 V p溝道功率MOSFET---?SiRA99DP?，10?V條件下導(dǎo)通電阻降至1.7 mW。Vishay Siliconix TrenchFET?第四代?SiRA99DP?導(dǎo)通電阻達(dá)到業(yè)內(nèi)最低水平，采用熱增強(qiáng)型6.15 mm x 5.15?mm PowerPAK? SO-8單體封裝，專門用來提高功率密度。日前發(fā)布的MOSFET導(dǎo)通電阻比市場上排名第二的產(chǎn)品低43
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  

儲能系統(tǒng)助推電動汽車快速充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)

  • 電動汽車(EV)將獲得越來越多的市場份額，最終取代內(nèi)燃機(jī)汽車。直流快速充電站將取代或整合加油站。太陽能、風(fēng)能等可再生能源將為它們提供動力。人們將希望能在不到15分鐘的時(shí)間內(nèi)為電動汽車充滿電，他們不愿排隊(duì)等候唯一的充電樁。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PWM  BMS  

東芝與MikroElektronika展開合作，為電機(jī)驅(qū)動IC開發(fā)評估板

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，與MikroElektronika（“Mikroe”）合作推出基于東芝電機(jī)驅(qū)動IC的Click boards?開發(fā)評估板。Mikroe是一家設(shè)計(jì)和制造用于嵌入式系統(tǒng)開發(fā)的軟硬件工具的公司?？蛻衄F(xiàn)在可通過由Mikroe制造和銷售的評估板Click boards?對東芝電機(jī)驅(qū)動IC進(jìn)行評估。東芝高度集成的電機(jī)驅(qū)動IC擁有四十多年的歷史，因得到電機(jī)控制系統(tǒng)的普遍采用而在業(yè)界廣受推崇。為控制多種應(yīng)用中的直流有刷電機(jī)、直流無刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)，東芝提供豐富的電機(jī)驅(qū)動
  • 關(guān)鍵字： NVM  IC  MOSFET  

英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進(jìn)實(shí)驗(yàn)室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預(yù)計(jì)將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個(gè)經(jīng)過抗輻射強(qiáng)化 (Rad Hard) 的關(guān)鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機(jī)遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

  • 嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi)）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制，以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
  • 關(guān)鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅(qū)動配置

  • 受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)洹Ｓ捎谒鼈兊母唛_關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)洹１疚闹?，我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn)，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  
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