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Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET

　　Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴(kuò)充了其碳化硅MOSFET器件組合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET產(chǎn)品的重要補(bǔ)充，也是Littelfuse公司已發(fā)布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強(qiáng)有力補(bǔ)充。最終用戶將受益于更加緊湊節(jié)能的系統(tǒng)以及潛在更低的總體擁有成本?！　√蓟鐼OSFET LSIC1MO170E1000　　碳化硅MOSFET技術(shù)帶來(lái)的高效性可為諸多要求嚴(yán)格的應(yīng)用提供多
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CISSOID和泰科天潤(rùn)（GPT）達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議，攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

　　高溫與長(zhǎng)壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國(guó)碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤(rùn)半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布：雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，將共同開(kāi)展研發(fā)項(xiàng)目，推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?！　ISSOID和泰科天潤(rùn)簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議　　泰科天潤(rùn)是中國(guó)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商，既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè)，也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來(lái)自比利時(shí)，是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，專為極端溫
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基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管（SiC JBS）

　　碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，對(duì)電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件，SiC JBS能提供近乎理想的動(dòng)態(tài)性能，基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市，憑借其優(yōu)越性能廣受市場(chǎng)追捧。　　SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)　　作為單極型器件，SiC JBS在工作過(guò)程中沒(méi)有少數(shù)載流子儲(chǔ)存，其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容，反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個(gè)數(shù)量級(jí)。更重
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宜特FSM化學(xué)鍍服務(wù)本月上線，無(wú)縫接軌BGBM晶圓減薄工藝

　　隨電源管理零組件MOSFET在汽車智能化崛起后供不應(yīng)求，為填補(bǔ)供應(yīng)鏈中此一環(huán)節(jié)的不足，在半導(dǎo)體驗(yàn)證分析領(lǐng)域深耕多年的宜特科技，近期正式跨攻「MOSFET晶圓后端工藝整合服務(wù)」，其中晶圓減薄-背面研磨/背面金屬化(簡(jiǎn)稱BGBM，Backside Grinding/ Backside Metallization)工藝，在本月已有數(shù)家客戶穩(wěn)定投片進(jìn)行量產(chǎn)，在線生產(chǎn)良率連續(xù)兩月高于99.5%?！　⊥瑫r(shí)為了協(xié)助客戶一站式接軌BGBM工藝，在前端的正面金屬化工藝(簡(jiǎn)稱FSM)上，除了提供濺射沉積(Sputteri
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羅姆參展“2018第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國(guó)家會(huì)展中心(上海)舉行的第二十屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)上首次亮相。在為期5天的展會(huì)上，羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機(jī)器健康檢測(cè)”為主的工業(yè)設(shè)備解決方案，吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流。　　羅姆展臺(tái)掠影(展位號(hào)：6.1H　A245)　　近年來(lái)，羅姆向工業(yè)市場(chǎng)不斷進(jìn)取，凝聚在消費(fèi)電子設(shè)備和汽車相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù)，致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并通過(guò)高品質(zhì)、穩(wěn)定供應(yīng)的安心生產(chǎn)體制，持續(xù)不斷為工業(yè)設(shè)備發(fā)展做貢獻(xiàn)。
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MOSFET管并聯(lián)應(yīng)用時(shí)電流分配不均問(wèn)題探究

1 引言
MOSFET管的導(dǎo)通電阻具有正的溫度特性，可自動(dòng)調(diào)節(jié)電流，因而易于并聯(lián)應(yīng)用。但由于器件自身參數(shù)(柵極電路參數(shù)及漏源極電路參數(shù)不一致)原因，并聯(lián)應(yīng)用功率MOSFET管會(huì)產(chǎn)生電流分配不均的問(wèn)題，關(guān)于此問(wèn)題，
關(guān)鍵字： MOSFET 并聯(lián) 電流分配

SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%，X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外，隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng)，由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來(lái)越具有吸引力。　　功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過(guò)幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比，SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間，從而實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。此外，其反向恢復(fù)電荷要少很多，從而可降低開(kāi)關(guān)損耗。就其本身
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安森美半導(dǎo)體推動(dòng)電動(dòng)汽車充電樁市場(chǎng)創(chuàng)新發(fā)展

　　電動(dòng)汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動(dòng)力，用電機(jī)驅(qū)動(dòng)車輪行駛，符合道路交通、安全法規(guī)各項(xiàng)要求的車輛由于對(duì)環(huán)境影響相對(duì)傳統(tǒng)汽車較小，它的前景被廣泛看好近年來(lái)在國(guó)家環(huán)保政策的激勵(lì)下，在大家對(duì)綠色低碳健康生活的憧憬下，電動(dòng)汽車正日益普及。中國(guó)是世界最大的汽車市場(chǎng)，中國(guó)新能源汽車業(yè)近年來(lái)快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報(bào)道，2016年中國(guó)電動(dòng)汽車占全世界電動(dòng)汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國(guó)的“一車一樁”計(jì)劃，電動(dòng)汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬(wàn)個(gè)，與現(xiàn)
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如何更加快速地為電動(dòng)汽車充電

推出電動(dòng)汽車（EV）的通告已經(jīng)鋪天蓋地地席卷了全球。這些標(biāo)題的吸睛點(diǎn)和不同點(diǎn)在于電動(dòng)汽車遠(yuǎn)程駕駛能力超越了目前的200至300英里范圍：目前，在所有駕駛情況和條件下，電動(dòng)車輛皆可與基于內(nèi)燃機(jī)的車輛媲美。
關(guān)鍵字：電動(dòng)汽車 SiC 傳輸電力

應(yīng)用角：汽車 - 電動(dòng)汽車電池?cái)嚅_(kāi)系統(tǒng)

　　在電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車中，需要一種方法將高壓電池與車輛的其他部分?jǐn)嚅_(kāi)連接。專門設(shè)計(jì)的大電流繼電器(接觸器)歷來(lái)一直是執(zhí)行此功能的首選方案。此繼電器的設(shè)計(jì)必須支持在負(fù)載下斷開(kāi)連接，而不受損壞。這是通過(guò)使用帶有真空封裝觸點(diǎn)的繼電器來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這些接觸器通常充滿惰性氣體，包圍觸點(diǎn)以消除空氣。通常，在高壓電池系統(tǒng)中，需要三個(gè)接觸器：一個(gè)用于兩個(gè)主要電池導(dǎo)體，另一個(gè)更小的版本用于預(yù)充電功能。傳統(tǒng)的電池?cái)嚅_(kāi)電路圖如圖1所示?！　‰妱?dòng)汽車制造商長(zhǎng)期以來(lái)一直希望有一種更小、更輕、更便宜的方案，以解決電池?cái)嚅_(kāi)問(wèn)題。功率半導(dǎo)
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羅姆即將舉辦2018第五屆“ ROHM技術(shù)研討會(huì)”

　　全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)即將舉辦2018第五屆“ROHM技術(shù)研討會(huì)”，屆時(shí)將于2018年9月至2019年1月巡回蘇州、廈門、北京、惠州、合肥等全國(guó)5大城市，面向青年工程師分享先進(jìn)的電源設(shè)計(jì)和應(yīng)用技術(shù)。日前，首站——蘇州站(9月6日)的免費(fèi)報(bào)名通道已開(kāi)啟!　　一年一度的“ROHM技術(shù)研討會(huì)”由羅姆主辦，自2014年起至今已成功舉辦了四屆，活動(dòng)足跡遍及全國(guó)各地，是羅姆與業(yè)界友人交流互動(dòng)、分享經(jīng)驗(yàn)的良好平臺(tái)。今年，根據(jù)各個(gè)城市不同的行業(yè)發(fā)展情況，羅姆將圍繞“電源”和“SiC(碳化硅)”主題帶來(lái)精
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開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)：何時(shí)使用BJT而非MOSFET？

MOSFET已經(jīng)是是開(kāi)關(guān)電源領(lǐng)域的絕對(duì)主力器件。但在一些實(shí)例中，與MOSFET相比，雙極性結(jié)式晶體管 (BJT.HTM style=margin: 0px; padding: 0px; font-si
關(guān)鍵字：開(kāi)關(guān)電源 BJT MOSFET

教你看懂MOSFET數(shù)據(jù)表

在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時(shí)，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然(BVDS、RDS(ON)、柵極電荷)，其它的一些參數(shù)會(huì)十分的含糊不清、模棱
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)據(jù) 電感器連續(xù)電流

大功率電源MOSMOSFET問(wèn)題的分析

本文主要介紹三極管原理最通俗的表達(dá)理解，希望對(duì)您的學(xué)習(xí)有所幫助。對(duì)三極管放大作用的理解，切記一點(diǎn)：能量不會(huì)無(wú)緣無(wú)故的產(chǎn)生，所以，三極管一定不
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大功率電源MOS工作溫度確定之計(jì)算功率耗散

在電子電路設(shè)計(jì)中，散熱設(shè)計(jì)是非常重要的一項(xiàng)指標(biāo)。但在很多設(shè)計(jì)環(huán)境下，空間的狹小程度限制了散熱功能設(shè)計(jì)與發(fā)揮。在大功率電源MOSFET當(dāng)中這種情況尤
關(guān)鍵字：大功率電 MOSFET 功率耗散