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中歐“大咖”齊聚深圳,共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展
- 最近,由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo),青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦,深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來自中國和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會,圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國際合作進(jìn)行深入探討與交流,加速第三代半導(dǎo)體材料國產(chǎn)化替代進(jìn)程,助力國產(chǎn)半導(dǎo)體開辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會黨組書記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長黃鳴出席論
- 關(guān)鍵字: 碳化硅 二極管 MOSFET
Diodes公司推出微型車用 MOSFET,可提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 今日宣布推出額定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及額定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ,兩者均為符合車用規(guī)范的 MOSFET,采用 DFN2020 封裝。這兩款微型 MOSFET 僅占較大封裝 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 區(qū)域,可在直流對直流 (DC-DC) 轉(zhuǎn)換器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎蓋下」的汽車應(yīng)用之中,提供更高的功率密度。DMTH4008LFDFWQ 在 VGS = 10V 時的 RDS(ON) 標(biāo)
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SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體?
- 王?瑩?(《電子產(chǎn)品世界》編輯,北京?100036) SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示,2025年整個市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用?! 〔贿^,制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價格,主要原因有兩個:襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應(yīng)地下降,羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字: 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC
針對高耐用性和可靠性電源需求,意法半導(dǎo)體推出市場上擊穿電壓最高的1050V MOSFET VIPer轉(zhuǎn)換器
- 中國,2019年7月29日——意法半導(dǎo)體VIPer26K發(fā)布高壓功率轉(zhuǎn)換器,集成一個1050V耐雪崩N溝道功率MOSFET,使離線電源兼?zhèn)鋵拤狠斎肱c設(shè)計簡單的優(yōu)點。VIPer26K MOSFET具有極高的額定電壓,無需傳統(tǒng)垂直堆疊FET和相關(guān)無源元件,即可實現(xiàn)類似的電壓處理能力,可采用尺寸更小的外部緩沖器元件。轉(zhuǎn)換器內(nèi)置漏極限流保護(hù)功能,MOSFET包含一個用于過溫保護(hù)的senseFET引腳。單片集成高壓啟動電路、內(nèi)部誤差放大器和電流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常見開關(guān)式電源拓?fù)洌ㄔ吇蚋?/li>
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SiC將達(dá)23億美元規(guī)模,技術(shù)精進(jìn)是主攻方向
- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過,制約SiC發(fā)展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應(yīng)地下降,ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面,眾廠商競爭
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華為強力掃貨 手機、服務(wù)器用MOSFET急單聲聲催
- 中美貿(mào)易戰(zhàn)戰(zhàn)火延燒,華為禁令事件已經(jīng)讓大陸業(yè)者火速要求邏輯IC供應(yīng)鏈緊急備貨,熟悉功率元件業(yè)者透露,除了鞏固華為海思晶圓代工、封測代工供應(yīng)鏈以及臺系邏輯IC供應(yīng)體系外,瘋狂掃貨力道已經(jīng)蔓延到功率基礎(chǔ)元件金氧半場效晶體管(MOSFET)。
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安森美半導(dǎo)體推出新的工業(yè)級和符合車規(guī)的SiC MOSFET,補足成長的生態(tài)系統(tǒng),并為迅速增長的應(yīng)用帶來寬禁帶性能的優(yōu)勢
- 2019年3月19日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),推出了兩款新的碳化硅(SiC) MOSFET。工業(yè)級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1把寬禁帶技術(shù)的使能、廣泛性能優(yōu)勢帶到重要的高增長終端應(yīng)用領(lǐng)域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不間斷電源及服務(wù)器電源?! ∵@標(biāo)志著安森美半導(dǎo)體壯大其全面且不斷成長的SiC 生態(tài)系統(tǒng),包括SiC二極管和SiC驅(qū)動器等互補器件,以及
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600V 超級結(jié)MOSFET “PrestoMOS”系列產(chǎn)品助力變頻空調(diào)節(jié)能
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)推出600V耐壓超級結(jié) MOSFET“PrestoMOS”系列產(chǎn)品,在保持極快反向恢復(fù)時間(trr※1))的同時,提高設(shè)計靈活度,非常適用于空調(diào)、冰箱等白色家電的電機驅(qū)動以及EV充電樁。近日,該系列產(chǎn)品群又新增了“R60xxJNx系列”共30種機型?! 〈舜伍_發(fā)的新系列產(chǎn)品與以往產(chǎn)品同樣利用了ROHM獨有的壽命控制技術(shù),實現(xiàn)了極快的反向恢復(fù)時間(trr)。與IGBT相比,輕負(fù)載時的功耗成功減少了58%左右。另外,通過提高導(dǎo)通MOSFET所需要的電壓水
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案
- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設(shè)計之前對系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
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Diodes 公司的雙極晶體管采用 3.3mm x 3.3mm 封裝并提供更高的功率密度
- Diodes 公司 (Nasdaq:DIOD) 為領(lǐng)先業(yè)界的高質(zhì)量應(yīng)用特定標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品全球制造商與供貨商,產(chǎn)品涵蓋廣泛領(lǐng)域,包括獨立、邏輯、模擬及混合訊號半導(dǎo)體市場。公司推出 NPN 與 PNP 功率雙極晶體管,采用小尺寸封裝 (3.3mm x 3.3mm),可為需要高達(dá) 100V 與 3A 的應(yīng)用提供更高的功率密度。新款 NPN 與 PNP 晶體管的尺寸較小,可在閘極驅(qū)動功率 MOSFET 與 IGBT、線性 DC-DC 降壓穩(wěn)壓器、PNP LDO 及負(fù)載開關(guān)電路,提供更高的功率密度設(shè)計?!?/li>
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Vishay攜最新MOSFET、IC、無源器件和二極管技術(shù)亮相APEC 2019
- 2019年3月12日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,將在3月17日-21日于加利福尼亞州阿納海姆(Anaheim,California)舉行的2019年國際應(yīng)用電力電子展會(APEC)上展示其強大產(chǎn)品陣容。Vishay展位設(shè)在411展臺,將展示適用于廣泛應(yīng)用領(lǐng)域的最新業(yè)內(nèi)領(lǐng)先功率IC、無源器件、二極管和MOSFET技術(shù)?! ≡贏PEC 2019上展示的Vishay Siliconix電源IC包括SiC9xx microBR
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