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PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產(chǎn)生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結合實際應用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產(chǎn)驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內(nèi)部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產(chǎn)生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產(chǎn)生影響。
  • 關鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場  

LED手術無影燈調(diào)光電路的設計及應用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術無影燈恒流驅(qū)動調(diào)光電路，詳細論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅(qū)動模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實現(xiàn)對大功率LED手術無影燈進行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術無影燈的使用性能。
  • 關鍵字： 202008  LED手術無影燈  單片機  LM3404  調(diào)光控制  MOSFET  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或?qū)Ｓ密浖?。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅(qū)動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
  • 關鍵字： IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關鍵字： OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
  • 關鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關IC適合400 VDC電動汽車應用

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
  • 關鍵字： IC  MOSFET  

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
  • 關鍵字： MOSFET  UPS  PWM  

自有技術加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用

  • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

臻驅(qū)科技與羅姆成立碳化硅技術聯(lián)合實驗室

  • 中國新能源汽車電驅(qū)動領域高科技公司臻驅(qū)科技（上海）有限公司（以下簡稱“臻驅(qū)科技”）與全球知名半導體廠商ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）宣布在中國（上海）自由貿(mào)易區(qū)試驗區(qū)臨港新片區(qū)成立“碳化硅技術聯(lián)合實驗室”，并于2020年6月9日舉行了揭牌儀式。與IGBT*1等硅（Si）功率元器件相比，碳化硅（SiC）功率元器件具有傳導損耗、開關損耗*2小、耐溫度變化等優(yōu)勢，作為能夠顯著降低損耗的半導體，在電動汽車車載充電器以及DC/DC轉換器等方面的應用日益廣泛。自2017年合作以來，臻驅(qū)科技和羅姆就采
  • 關鍵字： MOSEFT  SiC  

新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案

  • 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
  • 關鍵字： 電源  SiC  IGBT  GaN  

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
  • 關鍵字： EV  OBC  MOSFET  

緯湃科技和羅姆攜手打造SiC電源解決方案

  • 汽車電動化領域的領先供應商——緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)近日宣布選擇SiC功率元器件的領軍企業(yè)——羅姆(以下簡稱“ROHM”)作為其SiC技術的首選供應商,并就電動汽車領域電力電子技術簽署了開發(fā)合作協(xié)議(2020年6月起生效)。通過使用SiC功率元器件,大陸集團旗下的Vitesco將能夠進一步提高電動汽車用電力電子器件的效率。由于SiC功率元器件具有高效率等特性,因而可以更有效地利用電動汽車電池的電能。這將非常有助于延長電動汽車的續(xù)航里程并削減電池體積。Vitesco電氣化技術事業(yè)部執(zhí)行副總裁
  • 關鍵字： SiC  電氣  
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