sic mosfet 文章進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)

面向工業(yè)環(huán)境的大功率無(wú)線電力傳輸技術(shù)

1.?? 簡(jiǎn)介隨著無(wú)線電力傳輸技術(shù)在消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的日益普及，工業(yè)和醫(yī)療行業(yè)也把關(guān)注焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移至這項(xiàng)技術(shù)及其固有優(yōu)勢(shì)。在如 WLAN 和藍(lán)牙（Bluetooth）等各項(xiàng)無(wú)線技術(shù)的推動(dòng)下，通信接口日益向無(wú)線化發(fā)展，無(wú)線電力傳輸技術(shù)也成為一種相應(yīng)的選擇。采用一些全新的方案，不僅能帶來(lái)明顯的技術(shù)優(yōu)勢(shì)，還能為新的工業(yè)設(shè)計(jì)開(kāi)辟更多可能性。這項(xiàng)技術(shù)提供了許多新的概念，特別是在需要對(duì)抗腐蝕性清潔劑、嚴(yán)重污染和高機(jī)械應(yīng)力等惡劣環(huán)境的工業(yè)領(lǐng)域，例如 ATEX、醫(yī)藥、建筑機(jī)械等。比如，它可以替代昂貴且易損
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仿真看世界之SiC MOSFET單管的并聯(lián)均流特性

開(kāi)篇前言關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問(wèn)題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。特別提醒仿真無(wú)法替代實(shí)驗(yàn)，僅供參考。1、選取仿真研究對(duì)象SiC MOSFETIMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、兩并聯(lián)Driver IC1EDI40I12AF、單通道、磁隔離、驅(qū)動(dòng)電流±4A(min)2、仿真電路Setup如圖1所示，基于雙脈沖的思路，搭建雙管并
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意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel AB 強(qiáng)化碳化硅產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈

近年隨著電動(dòng)汽車產(chǎn)業(yè)崛起，碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體市場(chǎng)需求激增，吸引產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)企業(yè)的關(guān)注，國(guó)際間碳化硅(SiC)晶圓的開(kāi)發(fā)驅(qū)使SiC爭(zhēng)奪戰(zhàn)正一觸即發(fā)。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導(dǎo)體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場(chǎng) (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應(yīng)用之電子電路的材料，因?yàn)橛锰蓟柚瞥傻男酒词购穸认鄬?duì)小也能夠經(jīng)受得起相對(duì)高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(chǎng)(Ec)和電
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功率半導(dǎo)體IGBT失效分析與可靠性研究

高端變頻空調(diào)在實(shí)際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機(jī)不工作，經(jīng)過(guò)大量失效主板分析確認(rèn)是主動(dòng)式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計(jì)分析，對(duì)IGBT失效原因及失效機(jī)理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過(guò)對(duì)IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機(jī)相關(guān)波形檢測(cè)、熱設(shè)計(jì)分析、IGBT極限參數(shù)檢測(cè)對(duì)比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е?，IGBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動(dòng)控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計(jì)方面全部提升IGBT工作可靠性。
關(guān)鍵字：主動(dòng)式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET

羅姆即將亮相2021 PCIM Asia深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2021年9月9日~11日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心舉辦的PCIM Asia 2021深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(展位號(hào):11號(hào)館B39),屆時(shí)將展示面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的、以世界先進(jìn)的SiC(碳化硅)元器件為核心的產(chǎn)品及電源解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“SiC/GaN功率器件技術(shù)與應(yīng)用分析大會(huì)”以及“電動(dòng)交通論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的碳化硅技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的SiC為核心的功率元器件技術(shù),以及充分發(fā)揮其性能的控制IC和
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了解熱阻在系統(tǒng)層級(jí)的影響

在電阻方面，電流流動(dòng)的原理可以比作熱從熱物體流向冷物體時(shí)遇到的阻力。每種材料及其接口都有一個(gè)熱阻，可以用這些數(shù)字來(lái)計(jì)算從源頭帶走熱的速率。在整合式裝置中，半導(dǎo)體接面是產(chǎn)生熱的來(lái)源，允許接面超過(guò)其最大操作溫度將導(dǎo)致嚴(yán)重故障。整合式裝置制造商雖使用一些技術(shù)來(lái)設(shè)計(jì)保護(hù)措施，以避免發(fā)生過(guò)熱關(guān)機(jī)等情況，但不可避免的是仍會(huì)造成損壞。一個(gè)更好的解決方案，就是在設(shè)計(jì)上選擇抑制 (或至少限制) 會(huì)造成接面溫度超過(guò)其操作最大值的情況。由于無(wú)法直接強(qiáng)制冷卻接面溫度，透過(guò)傳導(dǎo)來(lái)進(jìn)行散熱是確保不會(huì)超過(guò)溫度的唯一方法。工程師需要在這
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BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局設(shè)計(jì)

討論了BUCK轉(zhuǎn)換器的開(kāi)通回路、關(guān)斷回路的電流特性，具有高電流變化率di/dt的輸入回路，以及具有高的電壓變化率dV/dt的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)是其關(guān)鍵回路和關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)，使用盡可能小的環(huán)路，短粗布線，優(yōu)先對(duì)其進(jìn)行PCB布局。給出了多層板的信號(hào)分配原則，也給出了分立和集成的BUCK轉(zhuǎn)換器的PCB布局技巧和一些實(shí)例，分析了它們的優(yōu)缺點(diǎn)。
關(guān)鍵字： PCB布局磁場(chǎng)干擾電場(chǎng)干擾 MOSFET 202108

碳化硅邁入新時(shí)代 ST 25年研發(fā)突破技術(shù)挑戰(zhàn)

1996年，ST開(kāi)始與卡塔尼亞大學(xué)合作研發(fā)碳化硅(SiC)，今天，SiC正在徹底改變電動(dòng)汽車。為了慶祝ST研發(fā)SiC 25周年，我們決定探討 SiC在當(dāng)今半導(dǎo)體行業(yè)中所扮演的角色，ST的碳化硅研發(fā)是如何取得成功的，以及未來(lái)發(fā)展方向。Exawatt的一項(xiàng)研究指出，到2030年， 70%的乘用車將采用SiC MOSFET。這項(xiàng)技術(shù)也正在改變其他市場(chǎng)，例如，太陽(yáng)能逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、服務(wù)器電源、充電站等。因此，了解SiC過(guò)去25年的發(fā)展歷程是極其重要的，對(duì)今天和明天的工程師大有裨益。碳化硅：半導(dǎo)體行業(yè)如何克服技術(shù)
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Maxim Integrated發(fā)布來(lái)自Trinamic子品牌的3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，可最大程度地延長(zhǎng)電池壽命并將元件數(shù)量減半

TRINAMIC Motion Control GmbH & Co. KG (Maxim Integrated Products, Inc子公司)近日宣布推出完全集成的TMC6140-LA ?3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器，有效簡(jiǎn)化無(wú)刷直流(DC)電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并最大程度地延長(zhǎng)電池壽命。TMC6140-LA 3相MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器為每相集成了低邊檢流放大器，構(gòu)成完備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)方案；與同類產(chǎn)品相比元件數(shù)量減半，且電源效率提高30%，大幅簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。TMC6140-LA針對(duì)較寬的電壓范圍進(jìn)行性
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鄭有炓院士：第三代半導(dǎo)體迎來(lái)新發(fā)展機(jī)遇

半導(dǎo)體材料是信息技術(shù)的核心基礎(chǔ)材料，一代材料、一代技術(shù)、一代產(chǎn)業(yè)，半個(gè)多世紀(jì)來(lái)從基礎(chǔ)技術(shù)層面支撐了信息技術(shù)翻天覆地的變化，推動(dòng)了電子信息科技產(chǎn)業(yè)可持續(xù)蓬勃發(fā)展。同樣地，信息技術(shù)和電子信息科技產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求又驅(qū)動(dòng)了半導(dǎo)體材料與技術(shù)的發(fā)展。第三代半導(dǎo)體材料及其應(yīng)用第三代半導(dǎo)體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它是繼20世紀(jì)50年代以Ge、Si為代表的第一代半導(dǎo)體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導(dǎo)體之后于90年代發(fā)展起來(lái)的新型寬禁帶半導(dǎo)體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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電動(dòng)汽車用SiC和傳統(tǒng)硅功率元器件都在經(jīng)歷技術(shù)變革

近年來(lái)，在全球“創(chuàng)建無(wú)碳社會(huì)”和“碳中和”等減少環(huán)境負(fù)荷的努力中，電動(dòng)汽車（xEV）得以日益普及。為了進(jìn)一步提高系統(tǒng)的效率，對(duì)各種車載設(shè)備的逆變器和轉(zhuǎn)換器電路中使用的功率半導(dǎo)體也提出了多樣化需求，超低損耗的SiC 功率元器件（SiC MOSFET、SiC SBD等）和傳統(tǒng)的硅功率元器件（IGBT、SJ-MOSFET 等）都在經(jīng)歷技術(shù)變革。在OBC（車載充電機(jī)）方面，羅姆以功率器件、模擬IC 以及標(biāo)準(zhǔn)品這三大產(chǎn)品群進(jìn)行提案。羅姆半導(dǎo)體（上海）有限公司技術(shù)中心副總經(jīng)理周勁1? ?Si
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汽車電氣化的部分關(guān)鍵技術(shù)及ST的解決方案

1? ?汽車電氣化的趨勢(shì)和挑戰(zhàn)汽車市場(chǎng)中與電氣化相關(guān)的應(yīng)用是減少交通碳排放影響的關(guān)鍵因素。中國(guó)領(lǐng)導(dǎo)人在2020年9 月提出中國(guó)要在2030年碳達(dá)峰，2060 年實(shí)現(xiàn)碳中和的目標(biāo)。為了實(shí)現(xiàn)碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環(huán)。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時(shí)也要發(fā)展低排放的清潔能源作為主要發(fā)電的能源。中國(guó)交通運(yùn)輸行業(yè)碳排放占比達(dá)10%，而公路運(yùn)輸占其中的74%，主要來(lái)自燃油車的排放。因此，發(fā)展電動(dòng)汽車并逐漸從燃油車過(guò)渡到電動(dòng)汽車對(duì)減少
關(guān)鍵字： 202108 SiC BMS

清潔安全的汽車將由功能電子化和自動(dòng)駕駛賦能

未來(lái)的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進(jìn)的汽車功能電子化和自動(dòng)駕駛技術(shù)賦能。安森美半導(dǎo)體汽車戰(zhàn)略及業(yè)務(wù)拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動(dòng)汽車電動(dòng)車可幫助實(shí)現(xiàn)零排放，其市場(chǎng)發(fā)展是令人興奮和充滿生機(jī)的，隨著電動(dòng)車銷售不斷增長(zhǎng)，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個(gè)快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒(méi)有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過(guò)350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點(diǎn)，緊湊
關(guān)鍵字： 202108 SiC 汽車 OBC

功率因素校正電路旁路二極管的作用

本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開(kāi)機(jī)瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動(dòng)，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓降低、其進(jìn)入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時(shí)給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個(gè)措施。
關(guān)鍵字：功率因素校正旁路二極管線性區(qū) 欠壓保護(hù) 202103 MOSFET

簡(jiǎn)易直流電子負(fù)載的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)*

隨著電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試電源性能的方法在高科技產(chǎn)品的生產(chǎn)中逐漸暴露出許多的不足之處。為了解決采用傳統(tǒng)負(fù)載測(cè)試方法存在功耗較大、效率與調(diào)節(jié)精度低、體積大等問(wèn)題，設(shè)計(jì)并制作一款適合隨頻率、時(shí)間變化而發(fā)生改變的被測(cè)電源的簡(jiǎn)潔、實(shí)用、方便的直流電子負(fù)載。系統(tǒng)主要由STC12C5A60S2單片機(jī)主控、增強(qiáng)型N溝道場(chǎng)效應(yīng)管IRF3205功率管、矩陣按鍵、D/A和A/D電路等部分組成。實(shí)現(xiàn)了在一定電壓與電流范圍內(nèi)恒壓恒流任意可調(diào)，并通過(guò)LCD12864液晶顯示屏顯示被測(cè)電源的電壓值、電流值及相應(yīng)的設(shè)定值
關(guān)鍵字： STC12C5A60S2單片機(jī) 恒流恒壓 IRF3205 負(fù)載調(diào)整率 202105 MOSFET