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超結(jié)高壓MOSFET驅(qū)動電路及EMI設(shè)計
- 分析了超結(jié)結(jié)構(gòu)功率MOSFET在開關(guān)過程中由于Coss和Crss電容更強烈的非線性產(chǎn)生更快開關(guān)速度的特性；給出了不同外部驅(qū)動參數(shù)對開關(guān)過程的dV/dt和di/dt的影響；列出了不同驅(qū)動電路開關(guān)波形及開關(guān)性能的變化。最后，設(shè)計了優(yōu)化驅(qū)動電路，實現(xiàn)優(yōu)化的EMI結(jié)果，并給出了相應驅(qū)動電路的EMI測試結(jié)果。
- 關(guān)鍵字： 202106 超結(jié) 驅(qū)動 EMI 非線性 MOSFET
ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的新一代雙極MOSFET
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出內(nèi)置有2枚耐壓±40V和±60V的MOSFET且支持24V輸入的雙極MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常適用于FA等工業(yè)設(shè)備和基站（冷卻風扇）的電機驅(qū)動。近年來，為了支持工業(yè)設(shè)備和基站的電機所使用的24V輸入，MOSFET作為用于驅(qū)動的器件，需要具備考慮到電壓穩(wěn)定裕度的、40V和60V的耐壓能力。此外，為了進一步提高電機的效率并減小尺寸，對于MOSFET還提出了更低導通電阻和高速開關(guān)工作的要求。在這種背景下，
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Nexperia新8英寸晶圓線啟動，生產(chǎn)領(lǐng)先Qrr品質(zhì)因數(shù)80 V/100 V MOSFET
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布，位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產(chǎn)線啟動，首批產(chǎn)品使用最新的NextPower芯片技術(shù)的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生產(chǎn)線將立即擴大Nexperia的產(chǎn)能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件將具有行業(yè)內(nèi)極低的Qrr品質(zhì)因數(shù)(RDS(on) x Qrr)。Nexperia產(chǎn)品經(jīng)理Mike Becker指出：“鑒于全球半導體短缺的情況下，Nexperia積極投資
- 關(guān)鍵字： Nexperia MOSFET
安森美半導體推出創(chuàng)新的超高密度離線電源方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日推出業(yè)界首款專用臨界導通模式 (CrM) 圖騰柱PFC控制器，是該公司超高密度離線電源方案集的新成員。在傳統(tǒng)的PFC電路中，整流橋二極管在240 W電源中的損耗約4 W，占總損耗的20%左右。相比之下，PFC級的能效通常為97%，LLC電路實現(xiàn)類似的性能。然而，用 "圖騰柱 "配置的開關(guān)取代有損耗的二極管，并拉入升壓PFC功能，可減少電橋損耗，顯著提高整體能效。此外，NCP1680可適用于任何開關(guān)類型，無論是超級結(jié)
- 關(guān)鍵字： MOSFET
功率器件的演變
- 隨著世界中產(chǎn)階級的增加以及汽車、暖通空調(diào)（HVAC）和工業(yè)驅(qū)動更加電氣化，電力需求只會增加。在每個功率級（發(fā)電、配電、轉(zhuǎn)換和消耗）所能達到的能效將決定整個電力基礎(chǔ)設(shè)施的負擔增加程度。在每個功率級，能效低會導致產(chǎn)生熱量，這是主要的副產(chǎn)物。通常，消除熱量或以其他方式處理熱量需要消耗更多的能量。因此，減少每一功率級產(chǎn)生的廢熱具有相當大的影響。在轉(zhuǎn)換級，電力電子器件產(chǎn)生的熱量主要歸咎于導通損耗和開關(guān)損耗。更高能效的半導體意味著更少的熱量，因此也減少了能源浪費。低能效的半導體產(chǎn)生的熱量是不可利用的，且大多是不需要的
- 關(guān)鍵字： 202105 MOSFET
ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導體的應用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
東芝為電動助力轉(zhuǎn)向打造電機驅(qū)動系統(tǒng)核心
- 隨著汽車電氣和電子系統(tǒng)設(shè)計日趨復雜化，汽車電子系統(tǒng)的安全性逐漸成為消費者與廠商衡量新一代汽車產(chǎn)品優(yōu)劣的重要指標。如何量化評估汽車功能是否安全，如何減少、規(guī)避駕駛過程中遇到的各類風險，如何做到汽車功能安全等問題變得十分突出，為了解決上述難題，ISO26262 汽車功能安全國際標準應運而生。ISO26262 定義的功能安全是為了避免因電氣／電子系統(tǒng)故障而導致的不合理風險。由于電子控制器失效的可預見性非常低，為了保證即使出現(xiàn)部分電子器件故障，汽車系統(tǒng)也能在短期（故障容錯時間內(nèi)）內(nèi)安全運行，需要進行功能安全防護。
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET
碳化硅用于電機驅(qū)動
- 0? ?引言近年來，電力電子領(lǐng)域最重要的發(fā)展是所謂的寬禁帶（WBG）材料的興起，即碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。WBG 材料的特性有望實現(xiàn)更小、更快、更高效的電力電子產(chǎn)品。WBG 功率器件已經(jīng)對從普通電源和充電器到太陽能發(fā)電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結(jié)構(gòu)產(chǎn)生了影響。SiC 功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。電機在工業(yè)應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調(diào)（HVAC）、重型機器人、物料搬運和許多其他功能。提高電機驅(qū)動的能效和可靠性是降低
- 關(guān)鍵字： 202106 MOSFET WBG 202106
在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應用也是方興未艾，越來越多的應用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導體進行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
- 關(guān)鍵字： MOSFET IGBT
貿(mào)澤電子與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議
- 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)近日 宣布與PANJIT簽訂全球分銷協(xié)議。PANJIT是一家成立于1986年的分立式半導體制造商。簽訂本協(xié)議后，貿(mào)澤開始備貨PANJIT 豐富多樣的產(chǎn)品，包括二極管、整流器和晶體管。貿(mào)澤備貨的PANJIT產(chǎn)品線包括高度可靠的汽車級E-Type瞬態(tài)電壓抑制器 (TVS)。150W至400W的E-type TVS產(chǎn)品采用外延 (EPI) 平面晶圓工藝，與傳統(tǒng)晶圓工藝相比，該工藝具有高浪涌、低反向電流和更好的箝位電壓
- 關(guān)鍵字： MOSFET
英飛凌推出EasyPACK? CoolSiC? MOSFET模塊，適用于1500V太陽能系統(tǒng)和ESS應用的快速開關(guān)
- 近日，英飛凌科技股份公司近日推出全新EasyPACK? 2B模塊。作為英飛凌1200 V系列的產(chǎn)品，該模塊采用有源鉗位三電平（ANPC）拓撲結(jié)構(gòu)，并集成了CoolSiC? MOSFET、TRENCHSTOP? IGBT7器件、NTC溫度傳感器以及PressFIT壓接引腳。此功率模塊適用于儲能系統(tǒng)（ESS）這樣的快速開關(guān)應用，還有助于提高太陽能系統(tǒng)的額定功率和能效，并可滿足對1500 V DC-link太陽能系統(tǒng)與日俱增的需求。Easy模塊F3L11MR12W2M1_B74專為在整個功率因數(shù)（cos φ）范
- 關(guān)鍵字： MOSFET
Microchip抗輻射MOSFET獲得商業(yè)和軍用衛(wèi)星及航空電源解決方案認證
- 空間應用電源需要在抗輻射技術(shù)環(huán)境中運行，防止極端粒子相互作用及太陽和電磁事件的影響，因為這類事件會降低空間系統(tǒng)的性能并干擾運行。為滿足這一要求，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）近日宣布其M6 MRH25N12U3抗輻射型250V、0.21歐姆Rds（on）金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）獲得了商業(yè)航天和國防空間應用認證。Microchip耐輻射M6 MRH25N12U3 MOSFET為電源轉(zhuǎn)換電路提供了主要的開關(guān)元件，包括負載點轉(zhuǎn)換器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電
- 關(guān)鍵字： MOSFET LET IC MCU
安森美半導體在APEC 2021發(fā)布新的用于電動車充電的完整碳化硅MOSFET模塊方案
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體 (ON Semiconductor)，近日發(fā)布一對1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模塊，進一步增強其用于充滿挑戰(zhàn)的電動車 (EV) 市場的產(chǎn)品系列。隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎(chǔ)設(shè)施，以提供一個快速充電站網(wǎng)絡(luò)，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續(xù)航里程焦慮癥”。這一領(lǐng)域的要求正在迅速發(fā)展，需要超過350 kW的功率水平和95%的能效成為“常規(guī)”。鑒于這些充電樁部署在不同的環(huán)境和地點，緊湊性、魯棒性和增強的可靠性都是設(shè)計人員面
- 關(guān)鍵字： MOSFET
采用SiC FET盡可能提升圖騰柱PFC級的能效
- 圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉(zhuǎn)換器的效率，但是主流半導體開關(guān)技術(shù)的局限性使其不能發(fā)揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數(shù)千瓦電壓下實現(xiàn)99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設(shè)計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權(quán)衡取舍，一個好例子是既要求達到服務(wù)器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發(fā)射保持在低水平，以幫助電網(wǎng)可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉(zhuǎn)換器部分實施PFC，升壓轉(zhuǎn)換器會將整流后
- 關(guān)鍵字： SiC FET PFC
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