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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？

  • 　　近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國(guó)成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因?yàn)镕D-SOI技術(shù)。 　　眾所周知，當(dāng)柵極長(zhǎng)度逼近20nm大關(guān)時(shí)，對(duì)電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導(dǎo)體微縮時(shí)代續(xù)命的高招。 　　盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營(yíng)化”，F(xiàn)inFET陣營(yíng)占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅(jiān)守與推動(dòng)者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 　　今天我們就來談?wù)凢i
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SOI與finFET工藝對(duì)比 中國(guó)需要發(fā)展誰才正確

  • 中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展可能關(guān)鍵不在于方向在那里?而是確定方向之后，如何踏實(shí)去干，去解決一個(gè)一個(gè)難題。任何進(jìn)步?jīng)]有捷徑，其中骨干企業(yè)的責(zé)任尤為重要。
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新型智能手表顯示FD-SOI正當(dāng)時(shí)？

  • 　　在今年，業(yè)界對(duì)FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。 　　因?yàn)闆]有可見的終端產(chǎn)品能證明其號(hào)稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場(chǎng)上有實(shí)際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢(shì)何在? 　　終于，現(xiàn)在有實(shí)際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實(shí)證──是一只中國(guó)智慧型手機(jī)品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國(guó)已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)

  • 　　日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會(huì)”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場(chǎng)份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。 　　   　　目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機(jī)、WiFi等無線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢(shì)。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國(guó)際上3G/4G手機(jī)用的射頻器件
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格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 　　隨著數(shù)以百萬計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。 　　隨著數(shù)以百萬計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計(jì)劃以加快未來互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

  • 　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項(xiàng)全新合作伙伴計(jì)劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。 　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計(jì)劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。 　　通過格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問世

  • 　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。 　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時(shí)表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

  • 　　產(chǎn)業(yè)資深顧問Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)… 　　半 導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮 減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來較高的閘成本。 　　  
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開發(fā)

  • 　　Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開發(fā)后續(xù)制程。 　　Globalfoundries聲稱其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

  • 　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開關(guān)、可調(diào)諧電容器和過濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！　∫苿?dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

  • 　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來說，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書。 　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

  • 　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。 　　因 為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那 些題目不關(guān)他們
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  

FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

  • 本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
  • 關(guān)鍵字： FD-SOI  FinFET  制造  201604  

“中國(guó)芯”入資法國(guó)半導(dǎo)體公司

  • 中國(guó)芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國(guó)際巨頭的“專利圍剿”，通過支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購(gòu)，培育具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的大型企業(yè)，無疑是明智的手段，也是最有效的手段。
  • 關(guān)鍵字： Soitec  FD-SOI  
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soi介紹

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說SO [ 查看詳細(xì) ]

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