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ARM制成45nm SOI測(cè)試芯片 功耗降低40%

  • 　　據(jù)ARM的研究人員的報(bào)道，公司制成的45nm SOI測(cè)試芯片和普通相同尺寸工藝相比，功耗可減少40%。該結(jié)果在近期的IEEE SOI Conference上發(fā)表。
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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)

  • 　　在最近召開的GSA會(huì)議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達(dá)到兩位數(shù)水平，預(yù)計(jì)年底良率有望達(dá)到50%左右。GlobalFoundries同時(shí)會(huì)在這個(gè)會(huì)議上展示其最新的制造設(shè)備。 　　據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達(dá)到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進(jìn)入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計(jì)劃，32nm SOI制程將在2
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Soitec第一季度銷售額環(huán)比增長22.3%

  • 　　法國SOI技術(shù)公司Soitec公布2009-2010財(cái)年第一季度銷售額為4390萬歐元(約合6190萬美元)，環(huán)比增長22.3%，同比減少27.2%。 　　6月，Soitec在收到了主要客戶的急單之后，大幅上調(diào)了第一財(cái)季的預(yù)期，預(yù)測(cè)第一季度銷售額環(huán)比增長20%。 　　第一季度，Soitec稱晶圓銷售收入為4110萬歐元(約合5790萬美元)，環(huán)比增長30.8%。其中300mm晶圓占了84%的份額，環(huán)比增長35%。
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Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路

  • 　　Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計(jì)服務(wù)團(tuán)隊(duì)之后，這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標(biāo)鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商，Global Foundries預(yù)計(jì)2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運(yùn)干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺(tái)。 　　Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾　臺(tái)廠不是主要對(duì)手

  • 　　Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時(shí)他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進(jìn)40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺(tái)積電雖是對(duì)手之一，但真正的目標(biāo)(Bench Mark)其實(shí)對(duì)準(zhǔn)英特爾(Intel)。 　　競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊

  • 　　新聞事件： 　　韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 　　事件影響： 　　將使英飛凌和LSI得以加速進(jìn)入高效能家電、低功率消費(fèi)與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場(chǎng) 　　LS預(yù)計(jì)于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 　　韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 　　合
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新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)

  • 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴(kuò)散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價(jià)的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
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IMEC加入SOI聯(lián)盟

  •         據(jù)EE Times網(wǎng)站報(bào)道，旨在推進(jìn)SOI晶圓應(yīng)用的產(chǎn)業(yè)組織SOI聯(lián)盟（SOI Consortium）宣布，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC已加入?yún)f(xié)會(huì)作為學(xué)術(shù)會(huì)員。         IMEC是一家獨(dú)立的納電子研究中心，已在SOI技術(shù)領(lǐng)域積極開展研究超過20年。IMEC開展的合作性CMOS微縮研究較商用制造水平超前2至3個(gè)節(jié)點(diǎn)。IMEC不僅研究SOI相關(guān)的器件原
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加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作

  •         由上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)舉辦的“集成電路產(chǎn)業(yè)材料本土化合作交流會(huì)”2月17日在張江休閑中心召開。來自上海新陽半導(dǎo)體材料有限公司、安集微電子（上海）有限公司、上海新傲科技有限公司、上海華誼微電子材料有限公司等集成電路材料企業(yè)就高純CU電鍍液、SOI外延片、CMP拋光液、清洗液及高純化學(xué)試劑等新材料、新工藝做了介紹。會(huì)上近60位長三角地區(qū)晶圓制造企業(yè)代表參與并就四個(gè)報(bào)告進(jìn)行交流。  &nb
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SOI的CAN收發(fā)器實(shí)現(xiàn)EMC優(yōu)化重大突破

  • 網(wǎng)絡(luò)電子系統(tǒng)在汽車和工業(yè)應(yīng)用中日益得到廣泛部署，飛利浦采用獨(dú)特的新型絕緣體上硅芯片(SOI)技術(shù)推出的控制...
  • 關(guān)鍵字： SOI  CAN  EMC  汽車電子  

用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新

  • 訪NXP 高級(jí)副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當(dāng)人們?cè)谥鸩搅?xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時(shí)候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動(dòng)金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會(huì)怎樣簡(jiǎn)化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實(shí)是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個(gè)非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
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滿足高溫環(huán)境需求的汽車電子器件

  • 汽車中使用的電子器件數(shù)量在不斷增多，而且這一趨勢(shì)也開始出現(xiàn)在一些由于環(huán)境惡劣而通常難以使用具有成本效益 ...
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新SOI電路模型應(yīng)邀競(jìng)爭(zhēng)國際標(biāo)準(zhǔn) 北大微電子研究爭(zhēng)創(chuàng)世界一流水平

  • 　　近日，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院教授何進(jìn)博士的喜接美國電子和信息技術(shù)聯(lián)合會(huì) (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國際集成電路模型標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請(qǐng)函，邀請(qǐng)何進(jìn)教授參加于6月5日到6日在美國波士頓舉行的關(guān)于新一代SOI 集成電路國際標(biāo)準(zhǔn)模型選擇的CMC會(huì)議， 攜帶北京大學(xué)自主研發(fā)的新SOI電路模型競(jìng)爭(zhēng)高科技IT技術(shù)—納米
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愛特梅爾推出采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動(dòng)器IC

  • 　　愛特梅爾公司宣布推出全新高溫六路半橋驅(qū)動(dòng)器芯片ATA6837和ATA6839。這兩款產(chǎn)品采用愛特梅爾的0.8 um 高壓BCD-on-SOI技術(shù) (SMART-I.S.?) 制造，可采用尺寸更小的低成本QFN封裝。新推器件具有高承壓能力 (高達(dá)40V)，因而既可用于客車 (如空調(diào)系統(tǒng)出風(fēng)口控制)，也可用于24V卡車。此外，這些器件還具有多種保護(hù)功能。 　　ATA6837是帶有集成功率級(jí)的完全保護(hù)的六路半橋驅(qū)動(dòng)器IC。經(jīng)由微控制器 (如愛特梅爾符合汽車規(guī)范要求的AVR? 微控制器ATm
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Atmel采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動(dòng)器集成電路

  • 　　Atmel推出新型高溫六邊形半橋驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) ATA6837 和 ATA6839。ATA6837 和 ATA6839 采用 Atmel 的高壓 0.8 um BCD-on-SOI 技術(shù) (SMART-I.S.(R)) 制造，該技術(shù)使得采用更小、成本更低的 QFN封裝成為可能。鑒于其高壓性能（高達(dá) 40V），這些新設(shè)備可同時(shí)用于乘用車應(yīng)用（如空調(diào)系統(tǒng)的片控制）以及 24V 卡車應(yīng)用。這些設(shè)備還具備廣泛的保護(hù)功能。 　　ATA6837 是一個(gè)得到充分保護(hù)、擁有全面功率級(jí)的六邊形半橋驅(qū)動(dòng)器 I
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soi介紹

SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路中元器件的介質(zhì)隔離，徹底消除了體硅CMOS電路中的寄生閂鎖效應(yīng)；采用這種材料制成的集成電路還具有寄生電容小、集成密度高、速度快、工藝簡(jiǎn)單、短溝道效應(yīng)小及特別適用于低壓低功耗電路等優(yōu)勢(shì)，因此可以說SO [ 查看詳細(xì) ]

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