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競(jìng)逐eMMC商機(jī)　Flash控制芯片廠陷混戰(zhàn)

  • 2013年eMMC需求在智能手機(jī)市場(chǎng)帶動(dòng)下大幅成長(zhǎng)，2014年，平板電腦應(yīng)用需求亦值得期待，尤其在中國(guó)大陸銷售的平板電腦中，有90%尚未采用eMMC，這可能進(jìn)一步擴(kuò)大eMMC市場(chǎng)規(guī)模，引來業(yè)內(nèi)廠商混戰(zhàn)一片......
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FPGA中Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)及驗(yàn)證

  • 　　隨著FPGA的功能日益強(qiáng)大和完善，F(xiàn)PGA在項(xiàng)目中的應(yīng)用也越來越廣泛，其技術(shù)關(guān)鍵在于控制日益廣泛而豐富的外圍器件。本文以Flash存儲(chǔ)器件為FPGA的外圍，敘述了FPGA中SPI總線接口的Flash驅(qū)動(dòng)模塊的設(shè)計(jì)，其接口基本符合Avalon總線的規(guī)范要求，并且通過實(shí)際的讀寫操作驗(yàn)證
  • 關(guān)鍵字： Flash  驅(qū)動(dòng)  FPGA  

基于SRAM芯片立體封裝大容量的應(yīng)用

  • 　　靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱SRAM。在電子設(shè)備中，常見的存儲(chǔ)器有SRAM(靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)、FLASH(閃速存儲(chǔ)器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器)等。其中不同的存儲(chǔ)器有不同的特性，SRAM無需刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會(huì)消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號(hào)，即可保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失?！　?、VDMS16M32芯片介紹　　VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數(shù)據(jù)總線的立體封裝SRAM模
  • 關(guān)鍵字： SRAM  FLASH  DRAM  VDSR16M32  

基于FPGA的SPI Flash控制器的設(shè)計(jì)方案

  • 本文提出一個(gè)基于FPGA的SPI Flash讀寫硬件實(shí)現(xiàn)方案，該方案利用硬件對(duì)SPI Flash進(jìn)行控制，能夠非常方便地完成Flash的讀寫、擦除、刷新及預(yù)充電等操作，同時(shí)編寫的SPI Flash控制器IP核能夠進(jìn)行移植和復(fù)用，作為SOC芯片的功能模塊。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Flash  SOC  CPU  VHDL  

基于FPGA的速率自適應(yīng)圖像抽取算法

  • 載荷圖像可視化是深空探測(cè)任務(wù)中的重要需求，但受信道帶寬的限制，無法實(shí)時(shí)傳輸所有載荷數(shù)據(jù)，因此星載復(fù)接存儲(chǔ)器中圖像的抽取下傳是實(shí)現(xiàn)任務(wù)可視化的關(guān)鍵。
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基于SPI FLASH的FPGA多重配置

  • 通過FPGA的多重配置可以有效地精簡(jiǎn)控制結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)，同時(shí)可以用邏輯資源較少的FPGA器件實(shí)現(xiàn)需要很大資源才能實(shí)現(xiàn)的程序。以Virtex5系列開發(fā)板和配置存儲(chǔ)器SPI FLASH為基礎(chǔ)，從硬件電路和軟件設(shè)計(jì)兩個(gè)方面對(duì)多重配置進(jìn)行分析，給出了多重配置實(shí)現(xiàn)的具體步驟，對(duì)實(shí)現(xiàn)復(fù)雜硬件設(shè)計(jì)工程有一定的參考價(jià)值。
  • 關(guān)鍵字： FPGA  Virtex5  FLASH  ICAP  IPROG  寄存器  

提高M(jìn)SP430G單片機(jī)的Flash擦寫壽命的方法

  • 在嵌入式設(shè)計(jì)中，許多應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要使用EEPROM 存儲(chǔ)非易失性數(shù)據(jù)，由于成本原因，某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集 ...
  • 關(guān)鍵字： MSP430G  單片機(jī)  Flash  擦寫壽命    

單片機(jī)高手是怎樣煉成的

  • 近來在論壇總是見到一些菜鳥們?cè)诖蠼校骸拔蚁雽W(xué)單片機(jī)”，“我要學(xué)單片機(jī)”，“如何入門啊?”，“你們?cè)趺催@么厲害，是怎樣學(xué)的??”等等等等一系列的問題，實(shí)在是看多了也感到煩了，今天，就由我電子白菜厚著面皮，頂著無數(shù)老蝦的磚頭，在這里寫上一篇單片機(jī)學(xué)習(xí)心得，讓菜鳥們勇敢地跨出第一步。
  • 關(guān)鍵字： 單片機(jī)  LED  LCD  FLASH  USB  

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
  • 關(guān)鍵字： ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

AVR的主要特性

  • AVR單片機(jī)是1997年由ATMEL公司研發(fā)出的增強(qiáng)型內(nèi)置Flash的RISC(Reduced Instruction Set CPU) 精簡(jiǎn)指令集高 ...
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缺少仿真器時(shí)avr單片機(jī)的開發(fā)方法

  • 對(duì)FLASH存貯器單片機(jī)，不要仿真機(jī)也能方便快速地開發(fā)程序。具體可以從以下幾方面入手： 一、盡量使用高級(jí)語言開 ...
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ARM編程中Flash ROM驅(qū)動(dòng)示例

  • Intel Flash芯片 i28f160,i28f320:i28F320B: 64*64K,64個(gè)blocks,4M空間,每個(gè)block 64K,第一個(gè)64K由8個(gè)8*8 ...
  • 關(guān)鍵字： ARM編程  Flash  ROM驅(qū)動(dòng)    

單片機(jī)下程序RAM， ROM ，F(xiàn)lash

  • 8K的flash是有8*1024個(gè)字節(jié)，一條指令可能有1~4個(gè)機(jī)器碼，即1~4個(gè)字節(jié)，其中1~2機(jī)器碼的指令使用最為頻繁，所以這樣 ...
  • 關(guān)鍵字： 單片機(jī)  RAM  ROM  Flash    

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
  • 關(guān)鍵字： Flash  嵌入式  MCU  存儲(chǔ)器  NAND  寄存器  201312  

2014年Flash LED市場(chǎng)走勢(shì)將呈現(xiàn)M型化

  • 　　FlashLED在智慧型手機(jī)的滲透率已達(dá)100%，看準(zhǔn)Flash商機(jī)，LED業(yè)者積極投入Flash市場(chǎng)。2013年FlashLED的規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA、500mA與350mA為主流，業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，2014年FlashLED市場(chǎng)將呈現(xiàn)M型化發(fā)展，高階規(guī)格以驅(qū)動(dòng)電流1000mA所主導(dǎo)，而低階則會(huì)以驅(qū)動(dòng)電流350mA為主。 　　LEDFlash具有高穩(wěn)定性、發(fā)光角度小、低電壓即可驅(qū)動(dòng)、不需要充電與壽命較長(zhǎng)等特性，F(xiàn)lashLED已成為智慧型手機(jī)標(biāo)配，以2013年FlashLED市況來看，主流規(guī)
  • 關(guān)鍵字： Flash  LED  
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