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Type-C接口優(yōu)勢多 大受手機(jī)廠商追捧

  • 從產(chǎn)業(yè)鏈自上而下看，USB協(xié)會、標(biāo)準(zhǔn)制定、接口芯片、代工廠和消費(fèi)終端的業(yè)界巨頭都不遺余力推進(jìn)USB-C的普及，最受益的即是Type-C連接器/線纜廠商。
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大聯(lián)大世平推出基于Nuvoton的可應(yīng)用于VR的Type-C 數(shù)字耳機(jī)解決方案

  • 　　近日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于新唐科技(Nuvoton)的可應(yīng)用于VR系統(tǒng)的Type-C數(shù)字耳機(jī)解決方案?！　?nbsp;  　　圖示1-采用USB-Type C接口的數(shù)字耳機(jī)　　根據(jù)IHS Technology的報(bào)告預(yù)測，USB-Type C接口使用量最大的市場將集中在智能手機(jī)、平板和筆記本電腦上。從蘋果在最新一代手機(jī)上取消傳統(tǒng)3.5mm接口開始，USB-Type C等數(shù)字接口的應(yīng)用范圍和速
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賽普拉斯推出業(yè)內(nèi)首款USB-C HDMI Alt模式解決方案，使筆記本電腦、智能手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)直接連接HDMI電視

  • 　　全球領(lǐng)先的USB-C? 供應(yīng)商賽普拉斯半導(dǎo)體公司于今日宣布推出全球首款無需適配器或轉(zhuǎn)換器的完整的USB-C 至HDMI?連接解決方案。該解決方案以 Cypress EZ-PD?USB-C 控制器為基礎(chǔ)，使配備USB-C連接器的下一代筆記本電腦、智能手機(jī)、平板電腦、數(shù)碼相機(jī)和其他HDMI源設(shè)備能夠直接使用USB-C轉(zhuǎn)HDMI線纜連接至HDMI顯示設(shè)備，包括高清和4K電視等。目前，所有賽普拉斯EZ-PD控制器均可支持 USB Type-
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小接口背后有大秘密 關(guān)于USB接口你需要知道這些

  • 接口與協(xié)議的關(guān)系好比瓶子和酒的關(guān)系，接口就像是酒瓶，而協(xié)議就是里面的酒，換句話說，USB接口只是一種物理接口，采用什么協(xié)議，只是一種選擇而已。
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——常見C-V測量誤差 I

  • 偏移[1]和增益誤差[2]（如圖7所示）是C-V測量中最常見的誤差。X軸以對數(shù)標(biāo)度的方式給出了電容的真實(shí)值，大小范圍從皮法到納法。Y軸表示系統(tǒng)
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——常見C-V測量誤差I(lǐng)I

  • 線纜長度補(bǔ)償是一種經(jīng)常被忽視的校正技術(shù)。它是針對儀器廠商提供的某些特殊線纜進(jìn)行相位偏移校正的。交流信號沿著線纜傳輸需要一定的時(shí)間，
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——基于數(shù)字源表的準(zhǔn)靜態(tài)電容測

  • 在準(zhǔn)靜態(tài)電容測量[1]中，我們通過測量電流和電荷來計(jì)算電容值。這種斜率方法使用簡單，但是它的頻率范圍有限（1～10Hz），因而只能用于一些
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱—— C-V測量方法與應(yīng)用的匹配

  • 交流阻抗技術(shù)是最常用的電容測量技術(shù)[1]。它最適合于一般的低功率門電路，也適用于大多數(shù)測試結(jié)構(gòu)和大多數(shù)探針。其優(yōu)勢在于所需的設(shè)備相對
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱—— C-V測量參數(shù)提取的局限性

  • 在探討C-V測試系統(tǒng)的配置方法之前，了解半導(dǎo)體C-V測量技術(shù)[1]的局限性是很重要的：·電容：從10fF到1微法·電阻：從01歐姆到100M歐姆·
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C-V測量技術(shù)、技巧與陷阱——C-V測量技術(shù)連接與校正 I

  • 盡管很多C-V測量技術(shù)本身相對簡單，但是以一種能夠確保測量質(zhì)量的方式實(shí)現(xiàn)C-V測試儀與探針臺的連接卻不是那么簡單。目前探針臺使用的機(jī)械手
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【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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一種基于Type-C PD協(xié)議的手機(jī)快速充電方案

  • 　　快速充電技術(shù)無疑是目前智能手機(jī)廠商研發(fā)和宣傳的重點(diǎn)之一，其方案包括高通的Quick Charge，聯(lián)發(fā)科的Pump Express，以及自主研發(fā)的私用技術(shù)等等。這些技術(shù)的充電協(xié)議不同，相互之間無法快速充電。隨著USB Type-C接口的普及，Power Delivery(PD) 協(xié)議不僅為包括手機(jī)在內(nèi)的所有采用Type-C接口的電子設(shè)備提供了統(tǒng)一的快速充電標(biāo)準(zhǔn)，而且加速了電池直充方案的研發(fā)和普及。本文結(jié)合實(shí)際項(xiàng)目，完成了一套完整的基于PD協(xié)議的手機(jī)快充
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【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

  • 　　1 GaN 功率管的發(fā)展　　微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
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TIOBE 12月編程語言排行榜：C 為何一蹶不振？

  • 　　C 語言自 2015 年 11 月以來就有下降趨勢。在今年之前的整個(gè) 15 年的時(shí)間內(nèi)，其評分都在 15%-20% 之間波動(dòng)，但今年卻一反常態(tài)，評分跌至 10% 以下，并且沒有看到回升的勢頭。C 語言到底發(fā)生了什么呢?幾個(gè)月前，我們列出了可能的原因進(jìn)行過總結(jié)：第一，在編寫流行的移動(dòng)應(yīng)用或網(wǎng)站等時(shí)，已經(jīng)很少人使用 C;第二，大公司沒有對其進(jìn)行推廣，使得 C 
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