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Diodes：MOSFET控制器提升PSU效率

  • 　　Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。 　　這款采用SO8封裝的MOSFET控制器操作電壓范圍寬廣，介于5V至25V之間，可由適配器的19V供電軌直接供電，并且在瞬態(tài)過壓狀態(tài)下，保證器件正常
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MOSFET控制器有助提升PSU效率

  • Diodes公司推出同步MOSFET控制器ZXGD3104N8，其額定電壓為25V，適用于90W及以上的筆記本和便攜式電腦的電源設(shè)計。這款新品能取代返馳式轉(zhuǎn)換器內(nèi)效率較低的肖特基二極管，并通過減少多達(dá)70%的整流器損耗，有效提升最高達(dá)3.5%的電源效率。因此，該器件有助電源供應(yīng)系統(tǒng)更容易達(dá)到能源之星V2.0所規(guī)定的電源平均效率需達(dá)到87%的評級要求。
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Diodes封裝MOSFET有助于實現(xiàn)低溫操作

  • 　　Diodes公司推出首款采用微型DFN1212-3封裝MOSFET。該器件的結(jié)點至環(huán)境熱阻(Rthj-a)為130oC/W，能在持續(xù)狀態(tài)下支持高達(dá)1W的功率耗散，相比于占位面積相同、Rthi-a性能為280oC/W的SOT723封裝，能實現(xiàn)更低溫度運行。 　　這款無鉛DFN1212-3封裝MOSFET與采用SOT723封裝的MOSFET一樣，印刷電路板(PCB)面積為1.44mm2，并具備0.5mm的狹小離板高度，但后者的熱效率則較低。這對采用DFN1212-3封裝的MOSFET
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Diodes負(fù)載開關(guān)提升HDMI端口保護功能

  • Diodes公司推出AP2331單信道限流負(fù)載開關(guān)。該產(chǎn)品專為高清晰度多媒體接口 (HDMI) 的標(biāo)準(zhǔn)及其它監(jiān)視器接口的保護功能而優(yōu)化設(shè)計，適合于3V至5V的熱插拔連接以及其它承受高電容性負(fù)載和可能受短路影響的應(yīng)用。
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Diodes推出新型P通道MOSFET

  • Diodes公司推出微型12V P通道強化型MOSFET——DMP1245UFCL，有助提升電池效率及減少電路板空間，并滿足空間局限的便攜式產(chǎn)品設(shè)計要求，如智能手機及平板計算機等。
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Diodes超薄型整流器簡化太陽能電池板設(shè)計

  • Diodes推出SBR12U45LH超級勢壘整流器 (SBR) ，額定電流為12A，以超薄型PowerDI-5SP封裝，為生產(chǎn)新一代太陽能光電模塊 (PV module) 的太陽能電池板制造商，解除設(shè)計和生產(chǎn)方面的主要顧慮 。
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Diodes偏壓控制及電源管理IC為LNB設(shè)計節(jié)省成本

  • Diodes公司針對單波段衛(wèi)星低噪聲模塊 (LNB) 推出一款高集成偏壓、控制及電源管理ICZXNB4204。該器件可減少 ...
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DIODES在成都高新區(qū)設(shè)立封裝測試生產(chǎn)基地

  • 　　達(dá)爾科技(DIODES)7月19日在成都高新綜合保稅區(qū)的生產(chǎn)基地奠基。達(dá)邇科技(成都)有限公司，是由美商達(dá)爾科技股份有限公司和成都亞光電子股份有限公司共同出資組建。 　　
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Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
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Diodes推出40V 閘極驅(qū)動器減少IGBT 開關(guān)損耗

  • Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器（gate driver） ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。
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Diodes 40V閘極驅(qū)動器減少IGBT開關(guān)損耗

  • 　　Diodes 公司推出專為開關(guān)高功率 IGBT 設(shè)計的 ZXGD3006E6 閘極驅(qū)動器(gate driver) ，有助于提高太陽能逆變器、電機驅(qū)動和電源應(yīng)用的功率轉(zhuǎn)換效率。 　　當(dāng)輸入電流為 1mA 時，該閘極驅(qū)動器通?？商峁?4A 的驅(qū)動電流，使其成為控制器的高輸出阻抗和 IGBT 的低輸入阻抗之間高增益緩沖級的最佳選擇。ZXGD3006E6 擁有一個發(fā)射極跟隨器配置，可防止閂鎖效應(yīng)(latch-up)及貫通問題(shoot-through)，實現(xiàn)少于 10ns 的傳輸延遲時間。 　
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Diodes 全新MOSFET組合可減少直流電機損耗

  • Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流（BLDC）電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻（Rdson）性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小。
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Diodes 推出超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器（Super Barrier Rectifier，簡稱SBR）系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)（SOA）。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。
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Diodes 超勢壘整流器提高汽車應(yīng)用可靠性

  • ????????Diodes 公司推出首款針對汽車應(yīng)用的超勢壘整流器(Super Barrier Rectifier，簡稱SBR)系列。與同類肖特基或超快二極管相比，該系列器件擁有更低的正向電壓降、改善了雪崩額定值以及更高的安全運行區(qū)(SOA)。這些堅固耐用的整流器讓汽車設(shè)計師可提升電機控制、顯示板以及 LED 照明電路的可靠性。 　　獲 AECQ101 認(rèn)證的 SBR20A60CTBQ、SBR30A45CTBQ
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Diodes 全新MOSFET 組合可減少直流電機損耗

  • 　　Diodes 公司推出一對互補性雙 MOSFET 組合DMC4040SSD，可用于低壓單相/三相無刷直流(BLDC)電機控制應(yīng)用。該組合具有互相匹配的 N 通道及 P 通道導(dǎo)通電阻(Rdson)性能，以確保平衡分配電機負(fù)載的直流損耗并將其減少到最小?！　?/li>
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