- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款TFU 0603厚膜扁平貼片式保險絲，器件在更小的芯片尺寸內提供了超快動作的熔斷特性。器件的額定電流值高達4.0A，在32V額定電壓下的分斷能力為35A。
Vishay Beyschlag TFU 0603保險絲采用標準RR 1608M公制外形尺寸(91.55mmx85mmx45mm)，可對DC-DC轉換器、電池充電器和便攜式消費電子設備中的低壓電源提供次級側的過流保護。通過嚴格控制的制造工藝和Vishay先進的厚膜技術
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Vishay 保險絲
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，對其ThermaSim在線MOSFET熱仿真工具進行了改進，為設計者提供更好的仿真精度、效率和用戶友好度。
Vishay的ThermaSim是一個免費工具，可讓設計者在制造原型前，對器件進行細致的熱仿真，從而加快產品上市。ThermaSim是首款使用結構復雜的功率MOSFET模型的在線MOSFET仿真工具，使用有限元分析(FEA)技術生成的MOSFET模型提高了仿真精度。
設計者還可以定義其他散熱器件，并仿真這些元器件對M
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Vishay 熱仿真工具 MOSFET ThermaSim
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，發(fā)布經過重新設計的公司網站www.vishay.com，以便更好地服務客戶、戰(zhàn)略合作伙伴和其他用戶。通過對主頁的產品類別加以重新組織，增強搜索系統(tǒng)和改進產品選擇信息，新網站使用戶能夠更便捷地獲取產品信息。重新設計的網站還使用戶能很順暢地獲取客戶服務和支持、設計工具以及公司信息。
新主頁的產品類別非常清晰，包括Semiconductors、Passives Components和Customer Applications。這些主要
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Vishay 設計工具
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出6款用于消費電子應用的FRED Pt™超快恢復整流器。新的600V、8A器件在額定電流下具有1V的超低典型壓降，在硬開關條件下的快速恢復時間只有16ns，在125℃下的典型泄漏電流低至30μA。
新整流器適用于70W～400W的開關電源，為筆記本電腦和打印機適配器、桌面電腦、電視機和顯示器、游戲控制器，以及DVD和藍光播放器中的AC-DC電源提供了高能效的功率因數(shù)校正(PF
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Vishay 整流器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款4線VCUT05A4-05S-G-08雙向對稱(BiSy)ESD保護陣列，可保護PC和便攜式消費電子產品中的USB 2.0等數(shù)據端口應用。
新的保護陣列在0V時具有16pF的低容值，在5V工作電壓下的泄漏電流小于0.1μA。器件使用廣為采用的SOT23-5L封裝，在生產過程中很容易進行處理，0.7mm的超薄厚度可節(jié)省電路板空間。
VCUT05A4-05S-G-08能夠對4條數(shù)據線提供瞬態(tài)保護，保護等級達到pe
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Vishay ESD保護 USB2.0
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過新DSCC Drawing 10011認證的超高容值液鉭電容器 --- 10011。Vishay的新款DSCC 10011器件具有高達72,000µF的容值，采用A、B和C外形編碼。對于高可靠性應用，10011器件采用玻璃至金屬的密封結構，可以在-55℃～+85℃的溫度范圍內工作，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，1kHz時的最大ESR低至0.035?。
10011器件的特殊陰極系統(tǒng)具有單位體積的最高容
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Vishay 液鉭電容器 DSCC
- Vishay在官方網站上發(fā)布Power Metal Strip?分流電阻如何應用在定制產品中的解決方案的視頻介紹
賓夕法尼亞、MALVERN — 2010 年 5 月 6 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，為幫助客戶了解如何將Vishay Dale電阻技術用于定制產品，滿足特定用戶的需求，Vishay在其網站(http://www.vishay.com)新增加了一個介紹Power Metal Stri
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Vishay Power Metal Strip 分流電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用PowerPAK? 1212-8封裝的30V P溝道第三代TrenchFET?功率MOSFET --- Si7625DN。在這種電壓等級和3.3mmx3.3mm占位面積的P溝道MOSFET中，該器件的導通電阻是最低的。
新款Si7625DN可用于筆記本電腦、上網本和工業(yè)/通用系統(tǒng)中的適配器、負載和電池開關。適配器開關(在適配器、墻上電源和電池電源之間切換)通常是開啟并且吸收電流。Si7625DN更低的
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Vishay MOSFET PowerPAK TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其CWR06和CWR16 TANTAMOUNT?固態(tài)鉭電容器現(xiàn)可滿足MIL-PRF-55365為宇航級應用制定的“T”-level要求。
為達到T級的可靠性，Vishay的CWR06和CWR16進行了額外測試，對原材料和產品批次定義進行嚴格控制，并達到Weibull C或D故障率，在-55℃、+0℃和+85℃下進行了100%的C浪涌試驗。此外，電容器進行了完備的視覺和
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Vishay 電容
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出首款采用芯片級MICRO FOOT®封裝的P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET --- Si8499DB。在1.5mmx1mm的占位面積內，這款20V器件提供業(yè)內P溝道MOSFET最低的導通電阻。
新的Si8499DB是采用第三代TrenchFET P溝道技術的首款芯片級產品。這種最先進的技術能夠實現(xiàn)超精細、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內P溝道MOSFET所能實現(xiàn)的最低導通電阻減小了一半：在4.5V、2
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Vishay MOSFET TrenchFET
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用1212外形尺寸的新款IHLP®小尺寸、高電流電感器 --- IHLP-1212BZ-11。IHLP-1212BZ-11是迄今為止Vishay最小的IHLP器件，具有3.0mm x 3.6mm的占位、2.0mm的超小尺寸以及0.22µH至1.5µH的標準感值，其最高頻率可達1.0MHz。
IHLP-1212BZ-11具有0.22µH~1.5µH的感值范圍，飽和電流范
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Vishay IHLP 電感器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式電阻 --- Vishay Sfernice RMKHT和電阻網絡。
新的Vishay Sfernice RMKHT打線式貼片電阻的工作溫度范圍為-55℃～+215℃，最高儲存溫度可達+230℃，是業(yè)界首款達到如此高溫范圍的薄膜電阻。該器件甚至在215℃的高溫下經過1000小時后的負載壽命穩(wěn)定率依然可達0.5%，并同時保持嚴格的TCR和容差。
新款分立電阻的
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Vishay 貼片電阻 電阻元件
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用0402、0603、0805和1206外形尺寸的電阻器件，擴充了MC AT系列專用薄膜貼片式電阻。此外，該系列中具有更低TCR和容差的新款精密版本也已經發(fā)布了。
越來越多的電子設計要求器件能夠耐受高溫和潮濕效應，因為這些效應會影響到器件的穩(wěn)定性和性能。Vishay的MC AT專業(yè)和精密電阻能夠在這些應用當中提供穩(wěn)定的性能。
今天發(fā)布的新款專業(yè)系列器件可在175℃的高溫下工作1000小時
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Vishay 電阻器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出通過了DSCC Drawing 10004認證的超高容值液鉭電容器 --- DSCC 10004。Vishay的新款DSCC 10004器件具有業(yè)內最高的容值，采用軸向T1、T2、T3和T4外形編碼。對于高可靠性應用，擴展的SuperTan® 10004采用玻璃至金屬的密封封裝，工作溫度范圍為-55℃~+85℃，電壓降額情況下的溫度可達+125℃，在120Hz下的最大ESR低至0.25Ω。
10004
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Vishay 液鉭電容器 DSCC
- 日前，Vishay宣布推出新款500V N溝道功率MOSFET --- SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的開關速度和損耗均得到了改善。SiHF8N50L-E3適用于ZVS拓撲，具有低至63ns的trr和114nC的Qrr，柵極電荷為34nC。
SiHF8N50L-E3改善了反向恢復特性，從而能夠更好地抵御EMI，實現(xiàn)更高的效率，同時避免出現(xiàn)導致MOSFET燒毀的內部體二極管恢復故障。
Vishay今天推出的新MOSFET具有500V電壓等級，在10V柵極驅動下的最大導通電
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Vishay MOSFET
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